型号: | TTT-07-UV Litho-ACA |
产地: | 广东 |
品牌: | 精信立 |
评分: |
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产品简介
当代集成电路的发展进程中,紫外光刻技术起着不可替代的作用。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光,进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路,这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度,也成为了评价光刻设备品质的关键指标。
常规光刻机需要定制光学掩模板,不但价格高,且灵活性差。任何设计上的变动,都需要重新制造掩模板。激光直写设备具备很高的灵活性,且可以达到较高的精度,但由于是逐行扫描,曝光效率较低。近些年,基于空间光调制器(DMD/DLP)的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。
TTT-07-UV Litho-ACA无掩模板紫外光刻机最小分辨率可达1 μm(光刻镜头B),高性能无铁芯直线驱动电机保证了极佳的套刻精度和最大6英寸的图形拼接,而基于空间光调制器的光刻技术,使得其在光学掩模板设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点,必将使其成为二维材料、电输运测试,光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。
系统结构图
TTT-07-UV Litho-ACA的光刻实例
产品亮点
1、高精度、真紫外曝光
2、光刻图案设计灵活
3、所见即所得的精准套刻
4、超大面积拼接
5、灰度曝光
6、高稳定性,操作便捷
系统升级选项
1、激光光源
2、主动隔振平台
3、三维重构观测
4、手套箱内集成
关键技术指标(TTT-07-UV Litho-ACA)
曝光机基础参数 | 曝光光源 | 405nm LED |
数字掩模板分辨率 | 1920×1080像素 | |
光刻参数 | 观测镜头 | 大范围样品观测2.6 mm×1.7 mm |
光刻镜头A | 1.5 μm(确保值),0.4 mm×0.4 mm,20 mm2/min(50%占空比) | |
光刻镜头B | 1 μm(确保值),0.16 mm×0.16 mm,3 mm2/min(50%占空比) | |
显微观测参数 | 照明光源 | 强光LED |
相机 | 大靶面工业相机,实时图像采集 | |
尺寸测量 | 线宽测量 | |
套刻参数 | 精准套刻 | 单画幅套刻精度:350nm(指引光) 全画幅套刻精度:500nm(全局畸变矫正算法) |
套刻指引 | 520 nm/620 nm,实时虚拟曝光投影,实现所见即所得 | |
运动台参数 | 电动位移台 | 类型:高性能无铁芯直线驱动电机 行程:150 mm 步进精度:50 nm(直线光栅尺精度) 双向重复定位精度:±100 nm |
自动对焦模组 | 机器视觉智能主动对焦功能 支持样品厚度:0-15 mm(运动台行程20 mm) 定位精度:50 nm | |
旋转位移台 | 类型:手动 行程:细调范围±5°,粗调范围320° | |
电动物镜切换线轨 | 支持三个物镜的快速切换(<200 ms) 重复定位精度优于300 nm | |
基片参数 | 支持基片尺寸 | 3 mm×3 mm(最小),150 mm×150 mm(最大) |
其他参数 | 软件 | 全自动光刻控制软件 集成深度定制的矢量图转像素图软件 |
设备尺寸 | 设备主体:79 cm(长)×70 cm(宽)×68 cm(高) 机柜:60 cm(长)×80 cm(宽)×100 cm(高) | |
设备重量 | 200 kg | |
设备外壳 | UV防护外壳 | |
附属配件 | 含光学平台,电脑,无线键鼠,真空泵 | |
环境控制 | 机体内除湿装置 |
安装要求
温度 | 20 – 40℃ | 湿度 | RH< 60 % |
电源 | 220V,50Hz |
应用示例
?微流道芯片
?二维材料的电极搭建
?微纳结构曝光
?太赫兹/毫米波器件制备
?电输运测试/光电器件测试
?光学掩模板的制作
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