SEM显微镜氮化硅膜窗口

SEM显微镜氮化硅膜窗口

参考价:¥1000
型号: SEM
产地: 江苏
品牌: 原位芯片
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产品详情

TE系列:

原位芯片X-Ray氮化硅薄膜窗口TE系列,为满足科研人员对样品的观测需求,苏州原位芯片采用先进的微电子工艺,设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。苏州原位芯片氮化硅膜窗格具有高洁净度,高X-射线透射性,低应力,高强度且膜厚均匀一致的特性,适用于高温(~1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。

 

产品应用

·纳米材料,半导体材料,光学晶体材料,功能薄膜材料

·胶体,气凝胶,有机材料和纳米颗粒的表征实验

·含碳样品分析(光阻剂,聚合物,食品,油品,燃料等)

·用于化学反应及退火效应的原位表征

·作为生物、细胞载体


技术参数

TE同步辐射氮化硅薄膜窗口

外框项目

参数

外框

参数

材料

N/P 型硅片

  电阻率

1~10Q*cm

氮化硅项目

  参数

  氮化硅项目

  参数

材料

  LPCVD 氮化硅  

应力

<250MPa

介电常数

6-7

介电强度

10 (106V/cm)

电阻率

1016Ω*cm

粗糙度(Ra)

0.28±5% nm

折射率@630nm

2.15-2.17

  粗糙度(Rms)

0.40±5% nm

 

 

产品型号

产品编号

膜厚

窗口尺寸

框架大小

TE025Z

10nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050Z

10nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE025Y

20nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050Y

20nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE025A

30nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050A

30nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100A

30nm

1x1mm

5x5mm

TE025B

50nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050B

50nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100B

50nm

1x1mm

5x5mm

TE150B

50nm

1.5x1.5mm

5x5mm

TE200B

50nm

2x2mm

5x5mm

TE025C

100nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050C

100nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100C

100nm

1x1mm

5x5mm

TE150C

100nm

1.5x1.5mm

5x5mm

TE200C

100nm

2x2mm

5x5mm

TE75050C

100nm

0.5x0.5mm

7.5x7.5mm

TE75200C

100nm

2x2mm

7.5x7.5mm

TE100300C(5pcs)

100nm

3x3mm

10x10mm

TE100500C(5pcs)

100nm

5x5mm

10x10mm

TE010D

200nm

0.1x0.1mm

5x5mm

TE025D

200nm

0.25x0.25mm

5x5mm

TE050D

200nm

0.5x0.5mm

5x5mm

TE100D

200nm

1x1mm

5x5mm

TE150D

200nm

1.5x1.5mm

5x5mm

TE200D

200nm

2x2mm

5x5mm

TE250D

200nm

2.5x2.5mm

5x5mm

每盒包含10枚芯片


苏州原位芯片科技有限责任公司为您提供原位芯片SEM显微镜氮化硅膜窗口,原位芯片SEM产地为江苏,属于其它服务,除了SEM显微镜氮化硅膜窗口的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多其它服务,原位芯片客服电话,售前、售后均可联系。

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