集成电路失效分析设备-短路开路漏电定位

集成电路失效分析设备-短路开路漏电定位设备，又叫超导法电故障隔离显微镜EFI Microscope，能给出所有静态缺陷位置：短路，漏电，开路。用于集成电路与3D电子器件的短路、漏电、开路故障检测并精确定位。

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该产品集成超导量子干涉器件SQUID与空间域反射SDR技术，在器件封装以及印刷电路板中，是非常有效的非常独特的短路、漏电、开路定位装置。可用于重要电子器件的可靠性分析与失效定位，如芯片制造，航空航天等领域。

3D缺陷

当直流电路径可用时，计算从样品表面到电流路径的距离来定位

封装短路

对于Magma microscopes来说是一个绝配，因为磁场可以透过所有物质，比如粉末与接地面，硅，成型化合物等。

Die shorts 硅切片（Die）短路

用高分辨率探头定位，空间分辨率好于500nm。磁场分辨率不受波长限制，但只受探头尺寸与扫描距离限制。

漏电

具有500nA的电流灵敏度，可以找出百万欧姆电阻的漏电。典型的失效，如电迁移与树突构成地方的高电流/高电压会弥合样品，可以用Magma microscopes很好的解决。

开路失效

用新的空间区域反射计（SDR）技术，在探测RF磁场时脉冲一个高频信号（20MHz to 200MHz），可以发现开路失效，使用该技术，在带堆叠切片，TSV与中介层的SOC封装上，可以定位硅器件中的开路失效。