型号: | EFI Microscope |
产地: | 美国 |
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集成电路失效分析设备-短路开路漏电定位设备,又叫超导法电故障隔离显微镜EFI Microscope,能给出所有静态缺陷位置:短路,漏电,开路。用于集成电路与3D电子器件的短路、漏电、开路故障检测并精确定位。
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该产品集成超导量子干涉器件SQUID与空间域反射SDR技术,在器件封装以及印刷电路板中,是非常有效的非常独特的短路、漏电、开路定位装置。可用于重要电子器件的可靠性分析与失效定位,如芯片制造,航空航天等领域。
3D缺陷
当直流电路径可用时,计算从样品表面到电流路径的距离来定位
封装短路
对于Magma microscopes来说是一个绝配,因为磁场可以透过所有物质,比如粉末与接地面,硅,成型化合物等。
Die shorts 硅切片(Die)短路
用高分辨率探头定位,空间分辨率好于500nm。磁场分辨率不受波长限制,但只受探头尺寸与扫描距离限制。
漏电
具有500nA的电流灵敏度,可以找出百万欧姆电阻的漏电。典型的失效,如电迁移与树突构成地方的高电流/高电压会弥合样品,可以用Magma microscopes很好的解决。
开路失效
用新的空间区域反射计(SDR)技术,在探测RF磁场时脉冲一个高频信号(20MHz to 200MHz),可以发现开路失效,使用该技术,在带堆叠切片,TSV与中介层的SOC封装上,可以定位硅器件中的开路失效。
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