晶正铌酸锂单晶薄膜光开关电光调制器

铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用*广泛,*重要的基片材料之一。目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。

晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的**物理性质, 直径为3英寸,上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, *下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上，此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。

技术参数

产品应用

1. 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽,功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。

2. 信息存储领域, 可实现高密度信息存储。

3. 电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。

4. 红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。