全自动纳米压印光刻生产线GL300Cluster

工艺紫外纳米压印光刻设备200mm WLO

简介：GL8 MLA Gen2是一种专门为晶圆级光学加工（WLO-Wafer Level Optics）开发的全幅紫外纳米压印设备，可在200mm基底面积上平行复制生产聚合物光学器件。 GL8 MLA Gen2是一种专门为晶圆级光学加工（WLO-Wafer Level Optics）开发的全幅紫外纳米压印设备，可在200mm基底面积上平行复制生产聚合物光学器件。 该设备支持从晶圆级母模具表面自动复制柔性复合工作模具，工作模具具有精度高，寿命长等特点，可以显著降低大面积纳米压印工艺中模具使用成本。内置的点胶系统、APC（主动模具基底平行控制）技术、以及自动脱模功能都保证了大面积晶圆级光学生产的精度、均匀性（TTV）与良率。同时，自动模具基底对位系统还可实现晶圆之间对位堆叠工艺（WLS-Wafer Level Stacking）。 GL8 MLA纳米压印设备适用于DOE、匀光片（Diffuser）、微透镜阵列、菲涅尔透镜等产品的研发和量产。 主要功能 ●经过量产验证的200mm晶圆级光学生产（WLO）设备 ●APC主动模具基底平行控制技术，确保大面积晶圆压印TTV均匀性 ●设备内自动复制柔性

高精度紫外纳米压印光刻设备GL8CLIVGen2

简介：GL8 CLIV Gen2是天仁微纳新型全幅高精度紫外纳米压印设备，标配天仁微纳CLIV（Contact Litho in Vacuum）压印技术，可实现200mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。 GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微纳新型全幅高精度紫外纳米压印设备，可实现200/300mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。 该设备支持自动复制柔性复合工作模具，工作模具具有精度高，寿命长等特点，可以显著降低大面积纳米压印工艺中模具使用成本。保证了大面积纳米压印过程中结构精度与高深宽比结构的完整填充，同时保证了大面积结构压印均匀性。 GL8/12 CLIV纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的量产。 主要功能 ● 经过量产验证的200mm大面积、高精度、高深宽比纳米压印 ● CLIV技术，确保压印

纳米压印光刻设备研发型Desktop仪器样本

简介：UniPrinter是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计，操作简单、功能强大的台面型纳米压印光刻设备。可实现4英寸以下基底面积上高精度（优于10nm * ）、高深宽比（优于10比1 * ）纳米结构压印，适合用作紫外纳米压印光刻工艺开发，器件原型快速验证，纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，在UniPrinter上开发的工艺可以无障碍转移到天仁微纳其它量产设备上进行生产。 UniPrinter纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED等应用领域的研发。 主要功能 ● 沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产 ● 直径100mm以下面积高精度、高深宽比纳米压印 ● 设备内自动复制柔性复合工作模具 ● 自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预 ● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强>300mW/cm2 ），完美支持各种纳米压印材料 ● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密

量产型高精度紫外纳米压印光刻设备GL150/300 CLIV

简介：GL150/300 CLIV 是天仁微纳最新型全自动高精度紫外纳米压印设备，标配天仁微纳CLIV（Contact Litho in Vacuum）压印技术，可实现最大150/300mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。 该设备支持cassette to cassette自动上下片、自动复制柔性复合工作模具，工作模具自动更换。整个工艺过程在密闭洁净环境中进行，以保证压印结果质量。CLIV技术的应用保证了大面积纳米压印过程中结构精度与高深宽比结构的完整填充，同时保证了大面积结构压印均匀性。 GL150/300 CLIV纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的量产。