方案摘要
方案下载| 应用领域 | 电子/电气 |
| 检测样本 | |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | LPCVD设备 |
小型管式LPCVD设备简介 LPECVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
小型管式LPCVD设备简介
LPECVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
设备主要技术指标
成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最*高温度 1200℃
恒温区长度 根据用户需要配置
恒温区控温精度 ≤±0.5℃
工作压强范围 13～1330Pa
膜层不均匀性 ≤±5％
基片每次装载数量 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
压力控制 闭环充气式控制
装片方式 手动进出样品
生产型LPCVD设备简介
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相关镀膜工艺。
设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最*高温度 1200℃
恒温区长度 根据用户需要配置
恒温区控温精度 ≤±0.5℃
工作压强范围 13～1330Pa
膜层不均匀性 ≤±5％
基片每次装载数量 100片
设备总功率 16kW
冷却水用量 2m3/h
压力控制 闭环充气式控制
装片方式 悬臂舟自动送样
LPCVD软件控制界面
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7
文献贡献者
PECVD设备解决方案
高真空电子束蒸发镀膜机解决方案
真空电阻热蒸发镀膜设备解决方案
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