型号: | Inphenix |
产地: | 吉林 |
品牌: | 德国3P |
评分: |
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产品说明
垂直腔面发射激光器阵列芯片(SLD)是边发射半导体光源。垂直腔面发射激光器阵列芯片(SLD)的独特特性是与输出激光二极管(LD)类似的高输出功率和低光束发散度,但具有更宽的光谱和低相干性,类似于发光二极管(LED)。超辐射发光二极管(SLD)在几何形状上与激光器类似,但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比,超辐射发光二极管(SLD)操作的主要区别是:有源区内的增益更高,电流密度更高,光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管(SLD)具有与LED相似的结构特征,通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管(SLD)本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管(SLD)像低电流水平的LED一样工作,但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。
产品特点:
· 中心波长:750-1640nm
· 典型3dB带宽:10-110nm
· 典型输出功率:0.2-45mW
· 典型波纹:0.1-1dB
产品参数:
中心波长(nm) | 光谱宽度(nm) | 输出功率(W) | 孔距(um) | 数组大小(um) | 型号 |
905 | <10 | 35 | 122 x 122 | 2440 x 2430 | IPVSC0901 |
940 | <10 | 35 | 122 x 122 | 2440 x 2430 | IPVSC0902 |
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