| 型号： | cl4510 |
| 产地： | 山东 |
| 品牌： | 晨立 |
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实验型加热炉主要适用于科研单位、高等院校、研究机构及企业。供大规模集成电路、MEMS生产线用做6硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer的相应工艺。
主要技术指标：
炉管数：1～4管
配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸)
恒温区长度： 760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃) 760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)
单点稳定性： ±1.0℃/24h (300～800℃) ±0.5℃/24h (800～1280℃)
气源路数： ≤7路
气体控制： 浮子/质量流量计
悬臂舟参数： 速度： 20～1000 mm/min 行程：2000 mm 定位精度：±1 mm 载荷：17 Kg
超净工作台： 净化等级：100级（万级厂房）
噪音： ≤62dB（A）
振动： ≤3μm
控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机
晨立扩散炉设备,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可完全替代国外同规格产品满足不同工艺的要求。
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