型号: | LEEM III |
产地: | 德国 |
品牌: | 德国美克 |
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我们的LEEM产品系列涵盖了研究人员寻找额外的实验室表征工具的需求,以增加现有系统,以及灵活和可升级的主要调查仪器。
最紧凑的LEEM, LEEMIV,是一种“法兰上”的仪器,可以安装在预先存在的腔室中,使用任何类型的机械手盒安装在适当的CF 200法兰上。因此,客户可以使用自己的he冷却机械手或其他扫描探针仪器中使用的墨盒。虽然LEEM IV紧凑且易于使用,但它提供了优于20 nm的出色分辨率。
对具有高成像和电子动能分辨率的XPEEM感兴趣的用户将在SPELEEM中找到理想的仪器。成像能量分析仪的最高动能分辨率为~115 meV,空间分辨率优于10 nm。对于更苛刻的分辨率,请访问我们的像差校正LEEM页面。此外,色散面成像允许在15 eV内实时对光谱变化进行直接动态研究,例如在薄膜生长或相变期间。
LEEM III系统非常紧凑,提供了很高的科学灵活性。晶体表面的直接实时成像使生长、分解、熔化、相变过程和表面扩散的动态研究成为可能。该系统使用简单,具有先进的计算机控制,易于校准。这使用户能够充分利用他们的研究时间。
LEEM III也可以使用几个组件进行升级,甚至扩展其能力。自旋极化电子枪可用于高横向分辨率的快速磁畴成像。
可以添加成像能量分析仪来解析光发射电子的动能并进行XPEEM,例如使用he等离子体放电光源(hv≈21 eV)或聚焦的实验室x射线源。
亮点:
最高分辨率(< 8nm),最佳分辨率:4.6 nm
Leem, leed, mem, uv - peek, teem
快速样品交换
特高压原位晶体生长观察
宽样品温度范围(~ 100k至1800k)
先进的计算机控制
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