微纳级半导体光/电特性三维检测仪研制

成果名称

微纳级半导体光/电特性三维检测仪

单位名称

高动态导航技术北京市重点实验室

联系人

付国栋

联系邮箱

fuguodd@163.com

成果成熟度

□正在研发      □已有样机   □通过小试   □通过中试   √可以量产

合作方式

√技术转让    √技术入股    √合作开发   □其他

成果简介： 

    半导体光电探测器晶圆向大直径、高密度发展，检测要求呈多样化趋势，迫切需求大行程（≥300mm）、高定位精度（0.5μm）、能够提供高/低温、光/暗等环境的光/电特性检测仪器。针对上述需求，突破高精度直驱控制、微弱信号提取及处理、低温无霜测试控制、单光子信号源等关键技术，形成大行程、高精度半导体光/电特性检测仪及三维平台精准定位技术，在大面阵、高精度定位，长时高可靠控制，微纳级信号检测与处理，高精度低温无霜测试等方面达到国际先进水平。主要性能指标：（1）轴系：XYZR四轴（2）行程：300mm；（3）位移精度：1μm（4）温度范围：-60℃～200℃。成果已在核高基项目中获得应用。

应用前景：
    成果主要用于半导体晶圆设计和生产过程中的IV/CV/脉冲、暗电流、暗计数、单光子探测效率、温度特性、噪声等效功率测试及数据采集、分析。
    成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。
    预计国内市场年需求量在1800～2000台，市场规模约30亿元。

知识产权及项目获奖情况：
    具有核心技术，受理发明专利2项：
   （1）专利名称：一种三维多曲面融合敏感结构微纳振幅电容检测系统（申请号：CN201410512345.5）；
   （2）专利名称：一种基于模糊控制的小型数字舵机系统（申请号：CN201410233762.6）。