导读:近日,合肥工业大学电子科学与应用物理学院科研团队,成功研发出新型深紫外光电探测器,开创性地将透光性好、电子迁移率高且电阻率低的电子材料石墨烯和高质量β-氧化镓单晶片引入深紫外光电探测器中,并提出一种全新的器件MSM结构,实现了对半导体与金属电极接触性能的大幅提升。
目前,我国深紫外光电探测技术由于受传统器件结构等限制,仍存在易受环境影响、光电性能较差、器件响应速度和信号利用率难以兼顾等问题。
近日,合肥工业大学电子科学与应用物理学院科研团队,成功研发出新型深紫外光电探测器,开创性地将透光性好、电子迁移率高且电阻率低的电子材料石墨烯和高质量β-氧化镓单晶片引入深紫外光电探测器中,并提出一种全新的器件MSM结构,实现了对半导体与金属电极接触性能的大幅提升。器件光谱响应分析结果表明,该器件具有优异的光谱选择性,在深紫外光区域响应非常明显。器件性能分析结果则显示,该器件能够在深紫外光区域的光电转化效率及探测率大幅度提升。该深紫外光电探测技术将在刑侦检测、电网安全监测、森林火灾告警等领域应用前景广阔。
来源于:中国教育报
热门评论
最新资讯
新闻专题
更多推荐