很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道,选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷,详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说,选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应,即由于ALD的化学反应特性,薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说,在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如,等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟,但对于选择性ALD来说,成核延迟现象却被放大了。
![科普系列:选择性原子层沉积技术](http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg)
有意思的是,虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象,但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂,这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。
以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念: