中科院耗资近千万成功采购分子束外延系统（MBE） 助力第三代半导体“弯道超车”

       中美贸易战以来，半导体产业受到了空前的关注。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表。第二代半导体材料砷化镓（GaAs）也已经广泛应用。而以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料相较前两代产品，性能优势显著并受到业内的广泛好评。面对第一代和第二代半导体落后于世界先进水平的局面，我国在第三代半导体上的研究有望实现“弯道超车”。因此，我国对第三代半导体的研究空前重视。

       而分子束外延是第三代半导体中的关键技术，主要用来沉淀GaAs异质外延层并可达到原子分辨率的一种主要方法。也被用来在硅片衬底上沉积硅并能严格控制外延层厚度和掺杂的均匀性。

       近日，中国科学院物理研究所耗资908.1774000万成功采购一套分子束外延系统（MBE）。

       以下为中标公告。

一、项目编号：OITC-G200331103（招标文件编号：OITC-G200331103）

二、项目名称：中国科学院物理研究所分子束外延系统（MBE）采购项目

三、中标（成交）信息

供应商名称：磊备半导体科技（上海）有限公司

供应商地址：上海市宝山区毛家路31号12幢G006室

中标（成交）金额：908.1774000（万元）

四、主要标的信息

五、评审专家（单一来源采购人员）名单：

奚文龙、高子萍、蒋秀高、李毅民、苏少奎

六、代理服务收费标准及金额：

本项目代理费收费标准：[2002]1980号文件

本项目代理费总金额：9.1654万元（人民币）

七、公告期限

本公告发布之日起1个工作日。

八、其它补充事宜

中标金额：欧元1105000

1欧元=8.2188人民币