一分钟快速了解硅片沾污检测技术与仪器

半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。硅片是从硅棒上切割下来的晶片表明的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，悬挂键的活性非常高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质会导致各种缺陷。

随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽不断减小，抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污对器件的质量和成品率影响越来越严重。对于线宽为0.35μm的64兆DRAM器件，影响电路的临界颗粒尺寸为0.06μm，抛光片的表明金属杂质沾污全部小于5×10¹⁶at/cm²，抛光片表面大于0.2μm的颗粒数应小于20个/片。因此对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的质量要求越来越严，对硅片沾污的检测便显得尤为关键。

以下为硅片沾污检测技术与仪器概览：

国家也出台了多个相关国家标准。