仪器信息网APP
选仪器、听讲座、看资讯

某国产光刻设备商公开和授权一批光刻技术专利

导读:近日,合肥芯碁公开和授权一批光刻技术专利。

近日, 合肥芯碁微电子装备股份有限公司公开和授权一批光刻技术专利。

      据了解,合肥芯碁微电子装备股份有限公司(简称:芯碁微装),成立于2015年6月,注册资本12080万元,坐落于合肥市高新区集成电路产业基地,公司专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发和生产。主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备。

以下为专利详情:

发明名称专利类型法律状态申请号申请日公开(公告)号公开 (公告)日期
一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法发明授权授权CN201910534115.12019-06-20CN110275399B2021-05-07
一种激光直写光刻机长辊式压板机构发明公布公开CN202011626210.32020-12-30CN112764322A2021-05-07
镜头畸变补偿方法、存储介质以及直写式光刻机发明公布公开CN202011635539.62020-12-31CN112748644A2021-05-04
吸盘组件和具有其的光刻机实用新型授权CN202022035008.52020-09-15CN213069472U2021-04-27
成像装置和光刻机实用新型授权CN202021586260.92020-08-03CN213069471U2021-04-27
一种用于直写光刻机的电机串并联系统实用新型授权CN202022234271.72020-10-09CN213069473U2021-04-27

《一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法》公开了一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法,包括建立激光直接成像设备基础台面的直角坐标系;在基础台面上放置尺寸标定板,该尺寸标定板布置有至少三个MARK点,其中有三个MARK点构成的直角三角形;利用左对准相机和右对准相机测量构成直角三角形的MARK点的中心坐标;以左对准相机或右对准相机为基准相机,利用所测MARK点的中心坐标计算两对准相机的位置关系误差。本发明解决了两相机距离较远无法标定位置关系的问题。

《成像装置和光刻机》公开了一种成像装置和光刻机,成像装置包括:镜筒、光学组件和运动转换件,镜筒内形成有安装腔,镜筒形成有轴向延伸的限位槽,限位槽径向贯穿镜筒的壁,光学组件设置于安装腔内,光学组件外侧设置有移动件,移动件穿设限位槽,以实现光学组件轴向移动,运动转换件可转动地套设在镜筒的外侧且与移动件相配合,以在运动转换件相对镜筒转动时驱动移动件在限位槽内轴向移动。使用该运动转换件可以将光学组件的旋转和上下两个方向的运动分开,通过运动转换件的旋转推动移动件,从而可以带动光学组件实现上下移动,这样避免了传统的直接使用螺纹旋转上下调节给成像装置的成像质量带来的各种不良影响。

随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

基于此,仪器信息网拟于2021年5月14日举办“半导体光刻技术与应用主题网络研讨会”,依托“网络讲堂”栏目,邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会,就半导体光刻技术等话题共同探讨,为广大从事半导体光刻设备和技术研发的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。(点击图片免费报名参会

某国产光刻设备商公开和授权一批光刻技术专利


来源于:仪器信息网

打开APP,掌握第一手行业动态
打赏
点赞

近期会议

更多

热门评论

新闻专题

更多推荐

写评论…
0

近日, 合肥芯碁微电子装备股份有限公司公开和授权一批光刻技术专利。

      据了解,合肥芯碁微电子装备股份有限公司(简称:芯碁微装),成立于2015年6月,注册资本12080万元,坐落于合肥市高新区集成电路产业基地,公司专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发和生产。主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备。

以下为专利详情:

发明名称专利类型法律状态申请号申请日公开(公告)号公开 (公告)日期
一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法发明授权授权CN201910534115.12019-06-20CN110275399B2021-05-07
一种激光直写光刻机长辊式压板机构发明公布公开CN202011626210.32020-12-30CN112764322A2021-05-07
镜头畸变补偿方法、存储介质以及直写式光刻机发明公布公开CN202011635539.62020-12-31CN112748644A2021-05-04
吸盘组件和具有其的光刻机实用新型授权CN202022035008.52020-09-15CN213069472U2021-04-27
成像装置和光刻机实用新型授权CN202021586260.92020-08-03CN213069471U2021-04-27
一种用于直写光刻机的电机串并联系统实用新型授权CN202022234271.72020-10-09CN213069473U2021-04-27

《一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法》公开了一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法,包括建立激光直接成像设备基础台面的直角坐标系;在基础台面上放置尺寸标定板,该尺寸标定板布置有至少三个MARK点,其中有三个MARK点构成的直角三角形;利用左对准相机和右对准相机测量构成直角三角形的MARK点的中心坐标;以左对准相机或右对准相机为基准相机,利用所测MARK点的中心坐标计算两对准相机的位置关系误差。本发明解决了两相机距离较远无法标定位置关系的问题。

《成像装置和光刻机》公开了一种成像装置和光刻机,成像装置包括:镜筒、光学组件和运动转换件,镜筒内形成有安装腔,镜筒形成有轴向延伸的限位槽,限位槽径向贯穿镜筒的壁,光学组件设置于安装腔内,光学组件外侧设置有移动件,移动件穿设限位槽,以实现光学组件轴向移动,运动转换件可转动地套设在镜筒的外侧且与移动件相配合,以在运动转换件相对镜筒转动时驱动移动件在限位槽内轴向移动。使用该运动转换件可以将光学组件的旋转和上下两个方向的运动分开,通过运动转换件的旋转推动移动件,从而可以带动光学组件实现上下移动,这样避免了传统的直接使用螺纹旋转上下调节给成像装置的成像质量带来的各种不良影响。

随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

基于此,仪器信息网拟于2021年5月14日举办“半导体光刻技术与应用主题网络研讨会”,依托“网络讲堂”栏目,邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会,就半导体光刻技术等话题共同探讨,为广大从事半导体光刻设备和技术研发的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。(点击图片免费报名参会

某国产光刻设备商公开和授权一批光刻技术专利