华微电子：公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术

8月5日，华微电子在网上回复投资者提问。第三代半导体方面，公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。

华微电子作为功率半导体龙头，近年来也把目光转向了第三代半导体领域。

作为首家国内功率半导体器件领域上市公司，华微电子坚持生产一代、储备一代、研发一代的技术开发战略，早已积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件的研发、制造。

目前SiC产品已经可以提供二极管产品、GaN器件可以提供快充使用的FET。华微电子表示，下一步，将进一步发挥公司的IDM模式的优势，集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术，完善相关生产线开发和制造能力，为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的三代半导体电力电子器件。

此前，华微电子发布了第一季度财报，营收为4.65亿元，比上年同期增加了18.67%。归属于上市公司股东得净利润为1099.7万元，比上年同期增加了27.97%。