导读:通过不同的操作模式,测试可以得到表面质谱、表面成像、深度剖析和三维分析信息,用来完成工业生产和科研研究过程中所需的掺杂和杂质深度数据;浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析;芯片结构及杂质元素定性定量分析
二次离子质谱(secondaryionmassspectroscopy,简称SIMS),是一种非常灵敏的表面成份精密分析仪器,原理利用质谱法分析初级离子入射靶面后,样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时,一次离子注入被分析样品,把动能传递给固体原子,引起中性粒子和带止负电荷的二次离子发生溅射,然后根据溅射的二次离子的质量信号,对被轰击样品的表面和内部元素分布特征进行分析。
通过不同的操作模式,测试可以得到表面质谱、表面成像、深度剖析和三维分析信息,用来完成工业生产和科研研究过程中所需的掺杂和杂质深度数据;浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析;芯片结构及杂质元素定性定量分析;薄膜的组成和杂质的测量等,这种技术本身具有“破坏性”的物质溅射,可以应用在包括但不仅限于金属及合金、半导体、绝缘体、有机物、生物膜分析对象上。
质量分析器可采用单聚焦、双聚焦,飞行时间、四极杆、离子阱、离子回旋共振等,其中飞行时间离子质谱TOF-SIMS是通过将二次离子质谱分析技术(SIMS)与飞行时间质量分析器(TOF)结合起来,由于其一次脉冲就可得到一个全谱,离子利用率最高,能最好地实现对样品几乎无损的静态分析,分析速度快和样品的消耗极少,分析质量范围宽,对有机、无机材料都有很好的分析能力。
来源于:微源检测
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