导读:Soitec拥有专利技术SmartSiC,可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层,并将其键合到低电阻率的多晶硅晶圆上,助力改进器件的性能和生产良率。
近日,意法半导体和Soitec宣布就SiC晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体表示,通过此次合作,意法半导体未来200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术,旨在通过中期量产增加器件和模块产量,认证工作将在未来18个月内开展。
Soitec拥有专利技术SmartSiC,可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层,并将其键合到低电阻率的多晶硅晶圆上,助力改进器件的性能和生产良率。此外,优质的碳化硅晶圆可被多次重复利用,进而大幅降低生产的总能耗。
Soitec首席运营官安世鹏表示:“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的SmartCut工艺与碳化硅半导体相结合,SmartSiC技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec的SmartSiC优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合,将推动汽车芯片制造领域的重大变革,并树立新的行业标准。”
扩产方面,记者从意法半导体方面了解到,意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅衬底制造厂,以满足意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求。根据官方信息,该新厂预计2023年开始投产,以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
产品方面,12月14日,意法半导体发布了新的碳化硅功率模块,可提高电动汽车性能和续航里程。现在该功率模块已用于现代汽车公司的E-GMP电动汽车平台,以及共享该平台的起亚EV6等多款车型。
来源于:中国电子报
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