Webinar-实验室SAXS和GISAXS作为微电子应用的计量工具

一、概述

多年来，半导体行业一直在努力缩小元件的尺寸，这就需要使用具有亚纳米级分辨率的新表征方法。因此，临界尺寸 SAXS（CD-SAXS）测量技术应运而生。良好的结果，加上该技术的高分辨率潜力，以及对评估三维 (3D) 纳米级图案的非破坏性方法的不断探索，使得 CD-SAXS 于 2007 年被纳入ITRS。

CD-SAXS 包括测量周期性图案（如线光栅），以确定线的深度剖面。这种技术通常应用于存储器件开发过程中的各个光刻阶段，精确控制是实现最佳器件性能的关键。由于本研究中使用的光栅是在硅晶片上的，因此测量是采用掠入射（GISAXS）进行的。首次使用实验室光源进行CD-GISAXS测量是在CEA-LETI的Xeuss 3.0仪器上，使用铜靶光源进行的。在本次网络研讨会上，我们将说明如何确定深度形状，并介绍逆算法解决方法。

二、讲座详情

1、主要学习内容

- 实验室SAXS 如何用于表征光刻工艺形成的纳米结构并检测缺陷？

- 如何使用逆算法逐步确定线的形状？

- SAXS 分析的主要优势是什么，以及如何在与其他技术并用时探索其协同潜力？

2、时间

2024年6月27日21：00-21：45

3、主讲人

Guillaume Freychet博士目前在法国格勒诺布尔的法国替代能源和原子能委员会担任线站科学家。他曾在布鲁克海文的NSLS-II软物质界面线站担任线站科学家，也曾在先进光源担任博士后研究员。他于2016年在格勒诺布尔-阿尔卑斯大学获得博士学位，是X射线散射使用方面的专家，尤其擅长结构材料。

三、报名方式

https://register.gotowebinar.com/register/3792842765549422941?source=Website

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