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3.35亿！zycgr24041501公示仪器采购意向

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2024.08.12 点击0次

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导读：据中国政府采购网信息，近日，zycgr24041501公示了系列2024年8月、9月的仪器采购意向，总预算金额3.35亿元.

据中国政府采购网信息，近日，zycgr24041501公示了系列2024年8月、9月的仪器采购意向，总预算金额3.35亿元，包括激光共聚焦显微镜、场发射扫描电子显微镜、傅里叶转换红外光谱仪、微区近红外光谱测量系统、超构透镜光学检测系统、半导体综合电学测试仪、球差校正扫描透射电镜、透射电镜等多种仪器设备。

3.35亿！zycgr24041501公示仪器采购意向


序号采购项目采购品目预算金额预计采购需求概况
名称(万元)采购日期
1激光切片机/裂片机A02180600非金属矿物切削加工设备1502024年9月1.加工幅面300×300 mm 2.机床X/Y轴定位精度±0.005 mm，重复定位精度±0.002 mm 3.机床Z轴定位精度±0.02 mm，重复定位精度±0.01 mm 4. 激光器类型可配置CO2激光器或光纤激光器等
2高压电子束曝光A02062002电气物理设备30002024年9月1、加速电压大于等于100KV； 2、最小线宽小于等于8nm； 3、配备激光干涉台行程不小于200*200mm； 4、图形发生器频率不小于125MHZ。
3低压电子束曝光A02062002电气物理设备8502024年9月1、加速电压不低于30KV； 2、写场大于500 μm； 3、最大加工晶圆尺寸不低于4英寸； 4、图形发生器频率不低于20MHZ。
4聚焦离子束直写加工A02062002电气物理设备11602024年9月1、具有较高的离子束分辨率：优于20.0nm； 2、高精度XYZR四轴微探针微采样系统； 3、压电陶瓷堆样品台，样品台定位分辨率优于1μm，样品台行程20mm。
5紫外光刻系统A02100303物理光学仪器4262024年9月1、 最大衬底尺寸：8英寸圆形，并且在配合对应的夹具时，可以向下兼容各类不同尺寸的衬底及不规则小片； 2、分辨率：优于1.0μm； 3、正面对准精度±0.5μm，背面对准精度±2.0μm； 4、曝光光源：UV LED曝光光源支持 365nm(i线)或 405nm(h线)或375nm激光光源。
6纳米压印系统A02100303-物理光学仪器A02100303物理光学仪器4502024年9月1、适用四英寸及以下基片的压印；能够使用厚度2mm的曲面（包含凹面和凸面）衬底进图案转移和压印；压印结构精度优于50nm； 2、压印温度：室温至200 °C； 3、支持LED紫外压印，波长365±10 nm，功率≥35mW/cm2； 4、压印平整度±10 nm。
7激光直写A02100309激光仪器6402024年9月1、半导体激光器, 激光器波段为405nm, 激光能量不低于300mW； 2、工作台平台采用单片固定装置, 最大基板尺寸不小于9”× 9”, 有效光刻面积不小于200 x 200mm2；基材厚度0~12毫米； 3、平台的移动精度采用激光干涉仪来控制, 干涉仪分辨率不低于10nm； 4、激光读写头具备自动聚焦功能； 5、255阶灰度曝光功能；可实现最小线宽300nm。
8全自动涂胶显影系统A02100699其他试验仪器及装置1802024年9月1、可应用于硅基和玻璃基衬底； 2、适用于大于等于90nm线宽工艺； 3、适用于5mm以下翘曲晶圆的传送加工工艺； 4、具有高精度温控功能；
9全自动有机清洗系统A02100700其他试验仪器及装置1502024年9月1、至少配置3套清洗单元； 2、清洗方式包含常压、高压水、兆声、毛刷、二流体等； 3、清洗效果：0.1μm粒子少于80个；0.2μm粒子小于40个； 4、适用于8寸以下样片；
10电感耦合等离子体刻蚀系统*2A02062002电气物理设备8802024年9月1、反应腔室：本底真空至少达到1E-6mbar,真空漏率室温达到 2E-3mbar·l/s； 2、下电极：可容纳最大8寸，兼容4寸、6寸晶圆。电极温度可动态调制，温度范围为+20℃/到+200℃； 3、ICP源：工作压力范围0.001~0.2 mbar，等离子体密度≥5E+11cm-3； 4、射频功率源：频率13.56 MHz，最大功率600 W； 5、控制系统：提供等离子设备和工艺可视化状态显示、工艺控制、以及大量其他的安全保护功能。
11深反应离子和电容式等离子体复合刻蚀系统A02062002电气物理设备8302024年9月1、真空反应室：提供工艺过程中的真空环境，包括内衬、静电卡盘、真空计、真空开关等；腔室本底真空＜0.5 mTorr；腔室漏气率＜1.0 mTorr/min；控压范围：2~250 mTorr；控压精度0.1 mTorr； 2、等离子体系统：提供等离子体源和偏压控制，包括射频电源、全自动匹配器等；立体源SRF1可用功率范围：13.56MHz：500~3200W(量程5500W)；立体源SRF2可用功率范围：13.56MHz：500~2800W(量程3000W)；下电极LF可用功率范围：400KHz: 40~400W(量程1500W)；匹配稳定时间：< 3 s；匹配精确度：上电极：±1%设定值或±5W，下电极：±10%设定值； 3、气路输送系统：提供工艺气体，包括MFC、气动阀门等； 4、终点检测系统：NMC508SVM配置EPD用于工艺终点的判断。 5、软件控制模块。
12临时键合/解键合机A02100699其他试验仪器及装置1502024年9月1、适用于12英寸以下的晶圆键合/解键合功能； 2、适用于硅、玻璃，蓝宝石等材料； 3、具有加热压板以减少热缺陷，最大温度应大于200℃；
13反应离子刻蚀A02062002电气物理设备1102024年9月RIE-10NR性能指标： 1、反应室容量：样品最大8寸,电极间距55mm； 2、射频功率 ：30-300W，自动匹配，反射功率小于5W； 3、RF放电压力范围：4－50Pa； 4、工艺气体（Process Gas）：MFC：CF4, O2, CHF3,SF6,Ar(工艺气体不包括PN2，CDA)； 5、反应室漏率：<1×10-8Pa？m３/sec(出厂时He检漏仪检测)； 6、管道漏率：<1×10-8Pa？m３/sec(出厂时He检漏仪检测)； 7、极限真空：Level of 10-4 Pa（< 3×10-4Pa）； 8、抽速：Atm～10-2 Pa/5 min； 9、保压： 50nm/min@ 8” SiO2 on Si wafer； 11、均匀性：< ±5%，Uniformity = +/-（Max-Min）/ (2*Avg) *100%；
14反应离子束刻蚀机A02062002电气物理设备7502024年9月包括：主机系统、离子源系统、气路系统、真空系统、控制模块。 1、主机系统：腔室极限真空： 600m3/h 5、软件操作模块。 6、安全性能。
15高精度冷冻离子加工系统A02062002电气物理设备1452024年9月1、气体源为氩气，控制方式质量流量控制。 2、加速电压：0.0-6.0kV。 3、真空系统：涡轮分子泵（67 L/S）+机械泵（135 L/min(50 Hz)、162 L/min(60 Hz)。 4、截面研磨 最大研磨速率（Si片）500 um/h^1以上。 可装载最大20(W)*12 mm(D)*7 mm（H）样品。样品移动范围为 X：±7 mm、Y：0～+3 mm。离子束间歇加工ON/OFF 时间设定范围1秒～59分59秒。摆动角度±15°、±30°、±40°。 5、平面研磨 加工范围Φ32 mm。最大样品尺寸Φ50×25(H) mm 。 样品移动范围为 X：0～+5 mm。离子束间歇加工ON/OFF 时间设定范围1秒～59分59秒。旋转速度：1rpm\25rpm。摆动角度±60°、±90°。倾斜角度：0～90°
16原子层沉积系统A02052402真空应用设备1502024年9月1.反应腔采用单腔设计，具有后期升级原位椭偏仪和QCM的能力；基片加热温度最高350℃，控温精度±1℃；反应腔可容纳样品尺寸至少8” (200 mm) x 0.25” (6.4 mm)； 2.真空泵抽速不低于14.6 CFM，单片反应腔抽取真空速度在1分钟内达到5x10-2 Torr，充腔时间在1分钟内完成； 3.单源脉冲时间可精确控制到0.01s；工艺载气使用量单脉冲不大于50sccm； 4.普通反应前驱源(每路分别包含ALD阀门、带加热的前驱源钢瓶和不锈钢管路)共6路，每个前驱源钢瓶可以加热到200℃。
17原子层沉积系统（双腔）A02052402真空应用设备1002024年9月1、双腔结构； 2、反应温度可调节，最高温度大于等于450℃； 3、兼容8英寸以下晶圆； 4、至少四路前驱体源系统；
18等离子体增强化学气相沉积A02052402真空应用设备2102024年9月1.最大8”样品，兼容小尺寸样品； 2.至少6路工艺气体：SiH4, NH3, N2O, N2, CF4, O2; 3.反应室极限真空<3E-4Pa; 4.沉积SiO2： 沉积速率≥40nm/min, 均匀性≤±5%， 应力范围-200~0MPa； 5.沉积SiN： 沉积速率≥30nm/min, 均匀性≤±5%， 应力范围-200~200MPa。
19电感耦合等离子体辅助化学气相沉积A02052402真空应用设备4002024年9月1. 适用于8寸的晶圆沉积，兼容小尺寸样品； 2. 本底真空小于2x10-6 mbar (1.5x10-3 mTorr)，漏率不大于5x10-4 mbar l/s，腔壁可加热； 3. 下电极：控温范围不小于室温~+300℃，控温精度不低于±1℃。上电极：平板三螺旋天线方式的高效ICP等离子源，等离子体密度可不小于1E+12 cm-3； 4. 射频源：上电极驱动ICP源，频率13.56 MHz，功率不低于1000 W；下电极射频偏压源，频率13.56 MHz，功率不小于300 W； 5. 至少6路工艺气体; 6.可低温沉积介质薄膜，可沉积30um以上的二氧化硅薄膜;
20电子束蒸发沉积系统A02052402真空应用设备1802024年9月1、适用于8英寸晶圆； 2、不锈钢材料，本底真空小于5E-9Torr; 3、电子枪功率应大于5KW； 4、应具有膜厚仪监测实时膜厚；
21电感耦合增强原子层沉积系统A02052402真空应用设备4002024年9月1. 系统功能：样品台可盛放8英寸样品，样品加热温度最高可达400°C；能够生长纯金属、金属氧化物或金属氮化物； 2. 操作模式：系统须是等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）系统，当不使用等离子体增强功能时，该系统还需允许热原子层沉积； 3. 前驱体源系统：须配备至少4路前驱源管路。其中，至少5条管路每路都能够适应气体、液体或固体前体； 4.等离子系统：采用远程电感耦合等离子体（ICP）。射频电源功率不小于300W，频率为13.56MHz。须提供1个氩（Ar）前体载气，最少4条氩（Ar）、氮（N2）、氧（O2）等离子气体管路。
22激光共聚焦显微镜A02100301显微镜2002024年9月1、配有 405 nm 半导体激光器，光纤端输出功率不低于 5mw； 2、激光器强度完全由软件调节和控制，可根据实际测试需求在 4%到 100%之间连续调节； 2、3、最大扫描像素不低于6144x6144，可连续调节； 4、最大扫描分辨率不小于 3700万像素。 5、具有扫描变倍功能，范围 0.5x-40x，调节步进精度至少为 0.1x； 6、具有智能共聚焦针孔，针孔调节可完全通过计算机控制，调节范围 1μm-460μm 连续可调； 图像处理：可进行多种运算，加减乘除，比率，转换，滤波（低通，平均，高通，也可以用户自定义）
23场发射扫描电子显微镜A02100301显微镜4902024年9月1.二次电子分辨率： 1.0nm （加速电压15kV），1.3nm （加速电压1kV）； 2.加速电压范围： 0.5～30kV ； 3. 5轴全自动样品台 X：0-110mm，Y：0-110mm，Z：1.5-40mm，T：-4°～70°，R：360°连续可调； 4. 电子枪：肖特基场发射电子枪或冷场发射电子枪。
24傅里叶转换红外光谱仪A02100303物理光学仪器4002024年9月1. 可消除二氧化碳和水蒸气的干扰； 2. 主机光谱范围：8000--400cm-1； 3. 干涉仪：步进扫描功能超高精度迈克尔逊干涉仪，气悬浮轴承驱动，无磨损； 4. 红外显微镜：具有红外镜头，采用MCT或InGaAs检测器；
25微区近红外光谱测量系统A02100303物理光学仪器3002024年9月1、系统激光光源至少包含405nm、532nm和785nm激光； 2、光谱仪参数：光谱仪焦长不低于500mm，光栅面积不低于 68mm x 68mm；杂散光抑制比达到1x10-4；最大光谱分辨率至少达到0.6nm、多个探测器系统组合后可测量光谱范围应包含400-1700nm,； 3、显微镜系统：应配置三维移动台，至少配置5x,10x,50x或者5x,20x,50x物镜组。
26超构透镜光学检测系统A02100304光学测试仪器1802024年9月1、工作波段：400-950nm; 2、光源：内置3个空间光激光器457nm,532nm,660nm,FWHM＜1MHz; 3、入射平行光发散角＜0.5°（半角）； 4、焦距测量范围0-22mm; 5、设备数值孔径≥0.75； 6、空间分辨率：1μm@532nm.
27半导体综合电学测试仪A02110204半导体器件参数测量仪1402024年9月1、电流：30fA 精度，0.1fA 灵敏度；2、噪声测试带宽：高精度最高 100kHz，超低频最高 40Hz；3、噪声测试速度：<10s/bias（大于 0.5Hz 频率分辨率）；4、内置脉冲测试：200V 电压，3A 脉冲电流，最小 50us 脉宽；5、高速时域信号采集：最小采样时间 < 1us，10 万点数据；6、噪声测试频率分辨率：高精度 0.1Hz，超低频 0.001Hz。
28快速退火炉A02062001工业电热设备（电炉）1002024年9月1.支持最大200mm（8英寸）晶圆。 2.最快升温速率100度/秒。 3.双红外灯管加热（2*21kW）,顶部和底部双层加热设计。 4.最快降温速率T=1000 °C>400 °C 200 K/min，T= 400 °C>150 °C 30 K/min。 5.最高真空度 10-3 hPa
29原子力显微镜A02100301显微镜3202024年9月1.扫描范围≥90μm x 90μm x 8μm； 2. 应配备光学辅助观察系统； 3. 应配置防震台; 4. 具有优异的噪声控制水平； 5. 具有接触、非接触、力、电场等多种测量模式；
30椭偏仪A02100304光学测试仪器1982024年9月1. 光谱范围深紫外、可见光到近红外，190 – 1700 nm。 2. 用于紫外/可见光段的高灵敏度硅 CCD 阵列探测器，2048像素，光谱分辨率 5 nm（FWHM），像素分辨率 0.45 nm。 3. 用于近红外段的线性铟镓砷阵列探测器，256 像素，光谱分辨率 12 nm（FWHM），像素分辨率 4 nm。 4. 测量时间：典型值 17 秒，整个ψ, Δ谱。 5. 高度、倾斜度可调节的样品载物台，直径 200 mm（可选150 mm 或者 300 mm）。
31富氧电子束沉积系统A02052402真空应用设备3052024年9月1. 蒸发腔本底真空达到5E-7torr； 2. 样品尺寸：8 inch；具有便捷的样品传输功能； 3. 电子枪：功率≥5kW； 4. 膜厚仪：可自动控制电子枪工作的膜厚控制仪，控制精度＜0.05 Å/s； 5. 含有离子源。
32超高真空多腔室磁控溅射沉积系统A02052402真空应用设备8102024年9月1. 极限真空达到5E-9torr； 2. 样品台：八寸样品架，360度旋转，XYZ三轴移动, Z轴自动升降； 3. 靶基距可调； 5. 薄膜均匀性：±5%； 6. 含三个沉积腔室。
33冷等静压机A02062099其他电气机械设备1402024年9月设计压力：66000 psi(4550 bar)@200℉(93℃)；工作压力：60000psi（4137bar）@40°F-200°F（4°-93℃）；内部工作腔尺寸：内径：4英寸（101.6mm）；内部长度：22英寸（558.8mm）
34选择性激光诱导凝胶成型陶瓷3D打印机A02062099其他电气机械设备1602024年9月成型尺寸(mm)：φ260*120mm；成型机理：紫外激光诱导凝胶成型；激光器冷却方式：水冷；紫外光波长：355nm；实测光斑尺寸：≤50μm；激光功率：3000mW；光功率调节：1-100%可调；层厚分辨率：1μm-200μm；浆料-固含量：（氧化锆为参考）不低于50 vol.%
35贴片机A02059900其他机械设备1832024年9月贴装速度 85500cph；元件贴装范围 0.12mm*0.12mm min 200mm*125mm max；PCB尺寸 50mm*45mm min 550mm*260mm（双轨模式）550mm*460mm（单轨模式）；贴装精度 0.03mmm
36五轴陶瓷精雕机A02059900其他机械设备7902024年9月主机 DMU最大运动行程(X / Y / Z) 500 / 450 / 400 mm；最高主轴转速，铣削 18000 rpm； 最高主轴转速，超声 18000 rpm ；超声发射系统 HSK-A63；最大工件尺寸/装夹面ø 630 × 500 mm；最大工作台承重(5轴) 200 kg
37超分辨近场纳米光谱与成像系统A02100399其他光学仪器10002024年9月散射式近场光学显微镜主机；集成的光学聚焦和信号收集模块；集成的红外波段近场照明模块；近场光学成像与光谱探测模块。
38KHz 飞秒激光系统A02100309激光仪器3002024年9月重频1KHz；能量：7mJ；中心波长：800nm；可调范围：260nm-15000nm
39角分辨显微镜A02100301显微镜4002024年9月动量空间成像范围：-12 rad/μm ~ 12 rad/μm（可见）；-5 rad/μm ~ 5 rad/μm（近红外）动量空间分辨率：0.2 rad/μm（可见），0.1 rad/μm（近红外）近红外探测器：制冷型探测器
40三维光学轮廓仪A02100304光学测试仪器2502024年9月Z方向扫描范围0.1nm -10mm；最大扫描速度114μm/sec；CCD成像单元1392x1044
41微区时间分辨光谱A02100404光学式分析仪器6002024年9月部件一、飞秒激光器 中心波长： 1030+/-10nm；最大功率：20 W；脉宽： 0.4 mJ @ 1 - 50 kHz；脉冲稳定性 <0.5 % rms over 24 h；重复频率：1Hz-200kHz 可调部件二、光参量放大器 =总输出波长：315-2600nm_x000b_；长时间功率稳定性（8h）：<2 %@800nm 部件三、飞秒瞬态吸收光谱仪 白光范围Probe：350-1600nm；时间窗口：8ns（8.3fs延迟线分辨率）；偏振、样品架、中性密度调节调节方式：电动；测量方式：透射、反射；时间分辨率：<1.4xPump或Probe脉宽（以较长者为准）；最大数据采集速度：4000 spectra/s 纳秒TA测量模块 测量范围350–2200 nm，时间窗口：8ns – 8 ms；显微测试模块
42超高分辨荧光显微镜A02100301显微镜8002024年9月STED 超高系统的分辨率：xy分辨率≤50nm，或z轴分辨率≤130nm，结合荧光寿命技术，实现xy分辨率≤30nm，z轴分辨率≤130nm,系统同时也具有LIGHTNING高分辨技术，成像分辨率XY方向120nm，Z方向200nm。 激光器覆盖可见光及紫外光，各激光器单独分立；独立AOTF。激光器按如下谱线配置： 405nm，485nm-685nm连续波长脉冲激光器，总计201根激发谱线。 四个均可以进行光谱扫描的内置荧光通道，一个明场、暗场、DIC、相差效果良好的透射光通道，可同时多色定位及分析。光谱扫描和荧光光谱分离功能，可通过单次扫描采集荧光光谱分布曲线，并对荧光光谱进行分析和分离不同标记的信号，可以解决同时使用多种荧光标记时激发光或发射光波长重叠造成的串色问题； 研究型全自动倒置显微镜，调焦，物镜转换，载物台，荧光滤色镜转换，荧光挡板等全部电动，状态自动跟踪； 具有任意形状、视野图像拼接功能，具有螺旋扫描等多种扫描方式，扫描拼图速度叫常规系统快5-6X； 真正搭载在激光扫描共焦显微镜上的STED超高分辨率系统，可做光学切片成像。
43二维电子光谱A02100304光学测试仪器6502024年9月部件一、飞秒激光器 中心波长： 1030+/-10nm,；最大功率：20 W；脉宽： 0.4 mJ @ 1 - 50 kHz；脉冲稳定性 <0.5 % rms over 24 h；重复频率：1Hz-200kHz 可调 部件二、光参量放大器 总输出波长：315-2600nm_x000b_；长时间功率稳定性（8h）：<2 %@800nm 部件三、可见二维电子光谱仪 重复率≤100 kHz_x005f ；输入极化线性，水平；输入光束尺寸（1/e^2）4.5 mm，准直；带单色仪和检测器；整形器
44高速多光阱纳米光镊与力学测量系统A02100303物理光学仪器3752024年9月平场荧光相差长工作距离物镜 4x，10x，60X，100X各1支，DAPI、FITC、TRITC窄带荧光滤块各1支，高速扫描电动载物台1套，高级数码显微成像系统 2套，红外激光器、电源、控制器及其光路1套，光镊测力系统 1套，高精度压电陶瓷载物台 1套，图像工作站 1套，光镊配套控制软件1套
45陶瓷基复合材料天线罩A*2A0207099其他雷达配套设备2202024年9月体密度(g/cm³)：≥15室温 介电常数：≥2.8 损耗角正切：≤0.008 导热系数(W/m•K)：≤0.7
46陶瓷基复合材料天线罩BA0207099其他雷达配套设备1102024年9月体密度(g/cm³)：≥15室温 介电常数：≥2.8 损耗角正切：≤0.008 导热系数(W/m•K)：≤0.7 热膨胀系数(×10-6/℃)：≤1.0 拉伸强度(Mpa)：≥25 拉伸模量(GPa)：≥10 压缩强度(Mpa)：≥50 压缩模量(GPa)：≥10
47透波陶瓷平板*15A0207099其他雷达配套设备302024年9月体密度(g/cm³)：≥15室温 介电常数：≥2.8 损耗角正切：≤0.008 导热系数(W/m•K)：≤0.7
48大型修缮A01010213科研用房3002024年9月完成千级洁净间的改造，设备的二次配
494D-STEM专用混合像素直接电子探测器A02109900其他仪器仪表4002024年8月①配置伸缩底装的耐受辐照直读探测器； ②探测器动态范围：≥108 el/s/pixel；像素尺寸：≤100μm×100μm；探测速度：≥120KHz（@≥12bit）；探测器像素数量：≥192×192，有效探测面积≥20mm×20mm； ③配置专用STEM数据同步控制器，能够同步STEM扫描线圈扫描及探测器数据获取； ④配置专用数据采集软件及4D-STEM数据分析软件，同时具备常见BF/ABF/ADF等虚拟探头选项，可同时多种模式成像。
50中、低温电子高周疲劳试验系统A02100699其他试验仪器及装置2452024年8月1.最大工作频率≥100Hz，最小工作频率≤0.001Hz； 2.轴向最大动载≥±10kN；最大静载≥±7.1kN； 3.最大动态扭矩≥±100Nm；最大静态扭矩≥±100Nm； 4.试验机位移分辨率≤0.005μm；位移精度≤±30μm； 5.轴向刚度≥450kN/mm；扭转刚度≥8825Nm/deg； 6.高低温楔形疲劳夹具：可以在温度箱内使用，耐温范围不低于-70℃至350℃； 7.高低温箱：高温不低于350℃；低温不高于-70℃；箱内高度不低于560mm；
51耦合极端环境双轴蠕变试验系统A02100599其他试验机9002024年8月耦合极端环境双轴蠕变试验系统3套，主要用于测量材料的单双轴拉伸、压缩、弯曲、剪切等力学性能，用于长时加载测试，模拟实际服役中单双轴蠕变，兼容极端环境下的万能单轴力学测试需求，实现材料在高低温、化学腐蚀、高压环境下的双轴变比例蠕变、拉压和低周疲劳测试等。
52高低温10T万能试验系统A02100599其他试验机2902024年8月1.载荷≥100kN，机架垂直试验空间≥2600mm; 2.最小试验速度≤0.00005mm/min，最大试验速度≥1000 mm/min 3.速度精度：≤设定速度的±0.1%; 4.位移测试精度≤显示值的±0.05%; 5.加载温度范围：-80~1600℃;
53数字图像测量附件A02109900其他仪器仪表3352024年8月应变分辨率：3D≤0.002%；2D≤0.001%； 2.应变测量范围：0.005%~≥2000%； 3.应变测量系统噪音3D≤0.001%； 4.3D位移分辨率≤0.005像素；
54单室高真空卷绕镀膜系统A02052402真空应用设备2452024年9月本次拟采购1台单室高真空卷绕镀膜系统，该系统需具备蒸镀金属单质、氧化物等，以及进行PET、PI、质子交换膜等柔性基膜材料的高精度往复卷绕传输的能力。主要用于质子交换膜的改性，通过优化镀层组分、分布及厚度，可以改善膜结构并提高膜的离子传导性、化学稳定性和机械强度等性能。该设备还需具备在柔性基材表面连续性镀膜的中试生产能力，即可实现单次蒸镀长度长达100m的质子膜卷料。最后，该设备应选用质量优异的部件，确保使用寿命在20年以上，并需要具备完善的终身售后服务。为了确保操作安全，设备应设置缺相保护、误操作保护，联动互锁以及一键停止等功能。
55质子交换膜涂布中试线A02100599其他试验机2702024年9月本次拟采购1台质子交换膜涂布中试线，用于均质膜和增强复合膜的制备，具备单次连续生产长度不低于100m，宽度不低于200 mm的中试生产能力。为了确保质子膜品质，涂布单元的模头应选择哈C合金避免金属离子污染质子膜。此外烘箱单元也做了特殊设计，其长度长达10m，拆分为5节，温度高达250℃，实现多阶连续加热以及高温后处理能力。 最后，该设备应选用质量优异的部件，确保使用寿命在20年以上，并需要具备完善的终身售后服务。为了确保操作安全，设备需在啮合点入料侧设置机械安全防护设置，并配有急停开关，各传动部件、所有接线端子均有封闭防护罩，各操作面板安装急停按钮，急停后所有压辊离压，电机停止。
56球差校正扫描透射电镜A02100301显微镜49002024年8月球差校正扫描透射电镜1套，主要用于多种材料在原子及亚埃尺度下晶体结构和化学成分解析，并且可对材料进行快速、精确的三维重构表征。主机质保1年，并需提供安装和调试以及人员培训。
57球差校正扫描透射电镜A02100301显微镜40002024年8月球差校正扫描透射电镜1套，主要用于在原位环境下，实现样品在复杂化学环境反应过程的原子尺度成像，对材料的表界面、相变、化学反应等科学问题研究。主机质保1年，并需提供安装和调试以及人员培训。
58透射电镜A02100301显微镜8802024年8月①配置高亮度场发射电子枪。TEM线分辨率：优于0.1nm；扫描透射模式分辨率：优于0.16nm。高压稳定性优于0.5 ppm/min。 ②配置超大面积高分辨率的电制冷能谱仪。 ③配置具有原位功能的电镜成像系统，满足原位需求的科研工作。 ④配置减震台、消磁器


3.35亿！zycgr24041501公示仪器采购意向

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扫描透射电镜

电感耦合等离子体

光学测试仪

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据中国政府采购网信息，近日，zycgr24041501公示了系列2024年8月、9月的仪器采购意向，总预算金额3.35亿元，包括激光共聚焦显微镜、场发射扫描电子显微镜、傅里叶转换红外光谱仪、微区近红外光谱测量系统、超构透镜光学检测系统、半导体综合电学测试仪、球差校正扫描透射电镜、透射电镜等多种仪器设备。

3.35亿！zycgr24041501公示仪器采购意向


序号采购项目采购品目预算金额预计采购需求概况
名称(万元)采购日期
1激光切片机/裂片机A02180600非金属矿物切削加工设备1502024年9月1.加工幅面300×300 mm 2.机床X/Y轴定位精度±0.005 mm，重复定位精度±0.002 mm 3.机床Z轴定位精度±0.02 mm，重复定位精度±0.01 mm 4. 激光器类型可配置CO2激光器或光纤激光器等
2高压电子束曝光A02062002电气物理设备30002024年9月1、加速电压大于等于100KV； 2、最小线宽小于等于8nm； 3、配备激光干涉台行程不小于200*200mm； 4、图形发生器频率不小于125MHZ。
3低压电子束曝光A02062002电气物理设备8502024年9月1、加速电压不低于30KV； 2、写场大于500 μm； 3、最大加工晶圆尺寸不低于4英寸； 4、图形发生器频率不低于20MHZ。
4聚焦离子束直写加工A02062002电气物理设备11602024年9月1、具有较高的离子束分辨率：优于20.0nm； 2、高精度XYZR四轴微探针微采样系统； 3、压电陶瓷堆样品台，样品台定位分辨率优于1μm，样品台行程20mm。
5紫外光刻系统A02100303物理光学仪器4262024年9月1、 最大衬底尺寸：8英寸圆形，并且在配合对应的夹具时，可以向下兼容各类不同尺寸的衬底及不规则小片； 2、分辨率：优于1.0μm； 3、正面对准精度±0.5μm，背面对准精度±2.0μm； 4、曝光光源：UV LED曝光光源支持 365nm(i线)或 405nm(h线)或375nm激光光源。
6纳米压印系统A02100303-物理光学仪器A02100303物理光学仪器4502024年9月1、适用四英寸及以下基片的压印；能够使用厚度2mm的曲面（包含凹面和凸面）衬底进图案转移和压印；压印结构精度优于50nm； 2、压印温度：室温至200 °C； 3、支持LED紫外压印，波长365±10 nm，功率≥35mW/cm2； 4、压印平整度±10 nm。
7激光直写A02100309激光仪器6402024年9月1、半导体激光器, 激光器波段为405nm, 激光能量不低于300mW； 2、工作台平台采用单片固定装置, 最大基板尺寸不小于9”× 9”, 有效光刻面积不小于200 x 200mm2；基材厚度0~12毫米； 3、平台的移动精度采用激光干涉仪来控制, 干涉仪分辨率不低于10nm； 4、激光读写头具备自动聚焦功能； 5、255阶灰度曝光功能；可实现最小线宽300nm。
8全自动涂胶显影系统A02100699其他试验仪器及装置1802024年9月1、可应用于硅基和玻璃基衬底； 2、适用于大于等于90nm线宽工艺； 3、适用于5mm以下翘曲晶圆的传送加工工艺； 4、具有高精度温控功能；
9全自动有机清洗系统A02100700其他试验仪器及装置1502024年9月1、至少配置3套清洗单元； 2、清洗方式包含常压、高压水、兆声、毛刷、二流体等； 3、清洗效果：0.1μm粒子少于80个；0.2μm粒子小于40个； 4、适用于8寸以下样片；
10电感耦合等离子体刻蚀系统*2A02062002电气物理设备8802024年9月1、反应腔室：本底真空至少达到1E-6mbar,真空漏率室温达到 2E-3mbar·l/s； 2、下电极：可容纳最大8寸，兼容4寸、6寸晶圆。电极温度可动态调制，温度范围为+20℃/到+200℃； 3、ICP源：工作压力范围0.001~0.2 mbar，等离子体密度≥5E+11cm-3； 4、射频功率源：频率13.56 MHz，最大功率600 W； 5、控制系统：提供等离子设备和工艺可视化状态显示、工艺控制、以及大量其他的安全保护功能。
11深反应离子和电容式等离子体复合刻蚀系统A02062002电气物理设备8302024年9月1、真空反应室：提供工艺过程中的真空环境，包括内衬、静电卡盘、真空计、真空开关等；腔室本底真空＜0.5 mTorr；腔室漏气率＜1.0 mTorr/min；控压范围：2~250 mTorr；控压精度0.1 mTorr； 2、等离子体系统：提供等离子体源和偏压控制，包括射频电源、全自动匹配器等；立体源SRF1可用功率范围：13.56MHz：500~3200W(量程5500W)；立体源SRF2可用功率范围：13.56MHz：500~2800W(量程3000W)；下电极LF可用功率范围：400KHz: 40~400W(量程1500W)；匹配稳定时间：< 3 s；匹配精确度：上电极：±1%设定值或±5W，下电极：±10%设定值； 3、气路输送系统：提供工艺气体，包括MFC、气动阀门等； 4、终点检测系统：NMC508SVM配置EPD用于工艺终点的判断。 5、软件控制模块。
12临时键合/解键合机A02100699其他试验仪器及装置1502024年9月1、适用于12英寸以下的晶圆键合/解键合功能； 2、适用于硅、玻璃，蓝宝石等材料； 3、具有加热压板以减少热缺陷，最大温度应大于200℃；
13反应离子刻蚀A02062002电气物理设备1102024年9月RIE-10NR性能指标： 1、反应室容量：样品最大8寸,电极间距55mm； 2、射频功率 ：30-300W，自动匹配，反射功率小于5W； 3、RF放电压力范围：4－50Pa； 4、工艺气体（Process Gas）：MFC：CF4, O2, CHF3,SF6,Ar(工艺气体不包括PN2，CDA)； 5、反应室漏率：<1×10-8Pa？m３/sec(出厂时He检漏仪检测)； 6、管道漏率：<1×10-8Pa？m３/sec(出厂时He检漏仪检测)； 7、极限真空：Level of 10-4 Pa（< 3×10-4Pa）； 8、抽速：Atm～10-2 Pa/5 min； 9、保压： 50nm/min@ 8” SiO2 on Si wafer； 11、均匀性：< ±5%，Uniformity = +/-（Max-Min）/ (2*Avg) *100%；
14反应离子束刻蚀机A02062002电气物理设备7502024年9月包括：主机系统、离子源系统、气路系统、真空系统、控制模块。 1、主机系统：腔室极限真空： 600m3/h 5、软件操作模块。 6、安全性能。
15高精度冷冻离子加工系统A02062002电气物理设备1452024年9月1、气体源为氩气，控制方式质量流量控制。 2、加速电压：0.0-6.0kV。 3、真空系统：涡轮分子泵（67 L/S）+机械泵（135 L/min(50 Hz)、162 L/min(60 Hz)。 4、截面研磨 最大研磨速率（Si片）500 um/h^1以上。 可装载最大20(W)*12 mm(D)*7 mm（H）样品。样品移动范围为 X：±7 mm、Y：0～+3 mm。离子束间歇加工ON/OFF 时间设定范围1秒～59分59秒。摆动角度±15°、±30°、±40°。 5、平面研磨 加工范围Φ32 mm。最大样品尺寸Φ50×25(H) mm 。 样品移动范围为 X：0～+5 mm。离子束间歇加工ON/OFF 时间设定范围1秒～59分59秒。旋转速度：1rpm\25rpm。摆动角度±60°、±90°。倾斜角度：0～90°
16原子层沉积系统A02052402真空应用设备1502024年9月1.反应腔采用单腔设计，具有后期升级原位椭偏仪和QCM的能力；基片加热温度最高350℃，控温精度±1℃；反应腔可容纳样品尺寸至少8” (200 mm) x 0.25” (6.4 mm)； 2.真空泵抽速不低于14.6 CFM，单片反应腔抽取真空速度在1分钟内达到5x10-2 Torr，充腔时间在1分钟内完成； 3.单源脉冲时间可精确控制到0.01s；工艺载气使用量单脉冲不大于50sccm； 4.普通反应前驱源(每路分别包含ALD阀门、带加热的前驱源钢瓶和不锈钢管路)共6路，每个前驱源钢瓶可以加热到200℃。
17原子层沉积系统（双腔）A02052402真空应用设备1002024年9月1、双腔结构； 2、反应温度可调节，最高温度大于等于450℃； 3、兼容8英寸以下晶圆； 4、至少四路前驱体源系统；
18等离子体增强化学气相沉积A02052402真空应用设备2102024年9月1.最大8”样品，兼容小尺寸样品； 2.至少6路工艺气体：SiH4, NH3, N2O, N2, CF4, O2; 3.反应室极限真空<3E-4Pa; 4.沉积SiO2： 沉积速率≥40nm/min, 均匀性≤±5%， 应力范围-200~0MPa； 5.沉积SiN： 沉积速率≥30nm/min, 均匀性≤±5%， 应力范围-200~200MPa。
19电感耦合等离子体辅助化学气相沉积A02052402真空应用设备4002024年9月1. 适用于8寸的晶圆沉积，兼容小尺寸样品； 2. 本底真空小于2x10-6 mbar (1.5x10-3 mTorr)，漏率不大于5x10-4 mbar l/s，腔壁可加热； 3. 下电极：控温范围不小于室温~+300℃，控温精度不低于±1℃。上电极：平板三螺旋天线方式的高效ICP等离子源，等离子体密度可不小于1E+12 cm-3； 4. 射频源：上电极驱动ICP源，频率13.56 MHz，功率不低于1000 W；下电极射频偏压源，频率13.56 MHz，功率不小于300 W； 5. 至少6路工艺气体; 6.可低温沉积介质薄膜，可沉积30um以上的二氧化硅薄膜;
20电子束蒸发沉积系统A02052402真空应用设备1802024年9月1、适用于8英寸晶圆； 2、不锈钢材料，本底真空小于5E-9Torr; 3、电子枪功率应大于5KW； 4、应具有膜厚仪监测实时膜厚；
21电感耦合增强原子层沉积系统A02052402真空应用设备4002024年9月1. 系统功能：样品台可盛放8英寸样品，样品加热温度最高可达400°C；能够生长纯金属、金属氧化物或金属氮化物； 2. 操作模式：系统须是等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）系统，当不使用等离子体增强功能时，该系统还需允许热原子层沉积； 3. 前驱体源系统：须配备至少4路前驱源管路。其中，至少5条管路每路都能够适应气体、液体或固体前体； 4.等离子系统：采用远程电感耦合等离子体（ICP）。射频电源功率不小于300W，频率为13.56MHz。须提供1个氩（Ar）前体载气，最少4条氩（Ar）、氮（N2）、氧（O2）等离子气体管路。
22激光共聚焦显微镜A02100301显微镜2002024年9月1、配有 405 nm 半导体激光器，光纤端输出功率不低于 5mw； 2、激光器强度完全由软件调节和控制，可根据实际测试需求在 4%到 100%之间连续调节； 2、3、最大扫描像素不低于6144x6144，可连续调节； 4、最大扫描分辨率不小于 3700万像素。 5、具有扫描变倍功能，范围 0.5x-40x，调节步进精度至少为 0.1x； 6、具有智能共聚焦针孔，针孔调节可完全通过计算机控制，调节范围 1μm-460μm 连续可调； 图像处理：可进行多种运算，加减乘除，比率，转换，滤波（低通，平均，高通，也可以用户自定义）
23场发射扫描电子显微镜A02100301显微镜4902024年9月1.二次电子分辨率： 1.0nm （加速电压15kV），1.3nm （加速电压1kV）； 2.加速电压范围： 0.5～30kV ； 3. 5轴全自动样品台 X：0-110mm，Y：0-110mm，Z：1.5-40mm，T：-4°～70°，R：360°连续可调； 4. 电子枪：肖特基场发射电子枪或冷场发射电子枪。
24傅里叶转换红外光谱仪A02100303物理光学仪器4002024年9月1. 可消除二氧化碳和水蒸气的干扰； 2. 主机光谱范围：8000--400cm-1； 3. 干涉仪：步进扫描功能超高精度迈克尔逊干涉仪，气悬浮轴承驱动，无磨损； 4. 红外显微镜：具有红外镜头，采用MCT或InGaAs检测器；
25微区近红外光谱测量系统A02100303物理光学仪器3002024年9月1、系统激光光源至少包含405nm、532nm和785nm激光； 2、光谱仪参数：光谱仪焦长不低于500mm，光栅面积不低于 68mm x 68mm；杂散光抑制比达到1x10-4；最大光谱分辨率至少达到0.6nm、多个探测器系统组合后可测量光谱范围应包含400-1700nm,； 3、显微镜系统：应配置三维移动台，至少配置5x,10x,50x或者5x,20x,50x物镜组。
26超构透镜光学检测系统A02100304光学测试仪器1802024年9月1、工作波段：400-950nm; 2、光源：内置3个空间光激光器457nm,532nm,660nm,FWHM＜1MHz; 3、入射平行光发散角＜0.5°（半角）； 4、焦距测量范围0-22mm; 5、设备数值孔径≥0.75； 6、空间分辨率：1μm@532nm.
27半导体综合电学测试仪A02110204半导体器件参数测量仪1402024年9月1、电流：30fA 精度，0.1fA 灵敏度；2、噪声测试带宽：高精度最高 100kHz，超低频最高 40Hz；3、噪声测试速度：<10s/bias（大于 0.5Hz 频率分辨率）；4、内置脉冲测试：200V 电压，3A 脉冲电流，最小 50us 脉宽；5、高速时域信号采集：最小采样时间 < 1us，10 万点数据；6、噪声测试频率分辨率：高精度 0.1Hz，超低频 0.001Hz。
28快速退火炉A02062001工业电热设备（电炉）1002024年9月1.支持最大200mm（8英寸）晶圆。 2.最快升温速率100度/秒。 3.双红外灯管加热（2*21kW）,顶部和底部双层加热设计。 4.最快降温速率T=1000 °C>400 °C 200 K/min，T= 400 °C>150 °C 30 K/min。 5.最高真空度 10-3 hPa
29原子力显微镜A02100301显微镜3202024年9月1.扫描范围≥90μm x 90μm x 8μm； 2. 应配备光学辅助观察系统； 3. 应配置防震台; 4. 具有优异的噪声控制水平； 5. 具有接触、非接触、力、电场等多种测量模式；
30椭偏仪A02100304光学测试仪器1982024年9月1. 光谱范围深紫外、可见光到近红外，190 – 1700 nm。 2. 用于紫外/可见光段的高灵敏度硅 CCD 阵列探测器，2048像素，光谱分辨率 5 nm（FWHM），像素分辨率 0.45 nm。 3. 用于近红外段的线性铟镓砷阵列探测器，256 像素，光谱分辨率 12 nm（FWHM），像素分辨率 4 nm。 4. 测量时间：典型值 17 秒，整个ψ, Δ谱。 5. 高度、倾斜度可调节的样品载物台，直径 200 mm（可选150 mm 或者 300 mm）。
31富氧电子束沉积系统A02052402真空应用设备3052024年9月1. 蒸发腔本底真空达到5E-7torr； 2. 样品尺寸：8 inch；具有便捷的样品传输功能； 3. 电子枪：功率≥5kW； 4. 膜厚仪：可自动控制电子枪工作的膜厚控制仪，控制精度＜0.05 Å/s； 5. 含有离子源。
32超高真空多腔室磁控溅射沉积系统A02052402真空应用设备8102024年9月1. 极限真空达到5E-9torr； 2. 样品台：八寸样品架，360度旋转，XYZ三轴移动, Z轴自动升降； 3. 靶基距可调； 5. 薄膜均匀性：±5%； 6. 含三个沉积腔室。
33冷等静压机A02062099其他电气机械设备1402024年9月设计压力：66000 psi(4550 bar)@200℉(93℃)；工作压力：60000psi（4137bar）@40°F-200°F（4°-93℃）；内部工作腔尺寸：内径：4英寸（101.6mm）；内部长度：22英寸（558.8mm）
34选择性激光诱导凝胶成型陶瓷3D打印机A02062099其他电气机械设备1602024年9月成型尺寸(mm)：φ260*120mm；成型机理：紫外激光诱导凝胶成型；激光器冷却方式：水冷；紫外光波长：355nm；实测光斑尺寸：≤50μm；激光功率：3000mW；光功率调节：1-100%可调；层厚分辨率：1μm-200μm；浆料-固含量：（氧化锆为参考）不低于50 vol.%
35贴片机A02059900其他机械设备1832024年9月贴装速度 85500cph；元件贴装范围 0.12mm*0.12mm min 200mm*125mm max；PCB尺寸 50mm*45mm min 550mm*260mm（双轨模式）550mm*460mm（单轨模式）；贴装精度 0.03mmm
36五轴陶瓷精雕机A02059900其他机械设备7902024年9月主机 DMU最大运动行程(X / Y / Z) 500 / 450 / 400 mm；最高主轴转速，铣削 18000 rpm； 最高主轴转速，超声 18000 rpm ；超声发射系统 HSK-A63；最大工件尺寸/装夹面ø 630 × 500 mm；最大工作台承重(5轴) 200 kg
37超分辨近场纳米光谱与成像系统A02100399其他光学仪器10002024年9月散射式近场光学显微镜主机；集成的光学聚焦和信号收集模块；集成的红外波段近场照明模块；近场光学成像与光谱探测模块。
38KHz 飞秒激光系统A02100309激光仪器3002024年9月重频1KHz；能量：7mJ；中心波长：800nm；可调范围：260nm-15000nm
39角分辨显微镜A02100301显微镜4002024年9月动量空间成像范围：-12 rad/μm ~ 12 rad/μm（可见）；-5 rad/μm ~ 5 rad/μm（近红外）动量空间分辨率：0.2 rad/μm（可见），0.1 rad/μm（近红外）近红外探测器：制冷型探测器
40三维光学轮廓仪A02100304光学测试仪器2502024年9月Z方向扫描范围0.1nm -10mm；最大扫描速度114μm/sec；CCD成像单元1392x1044
41微区时间分辨光谱A02100404光学式分析仪器6002024年9月部件一、飞秒激光器 中心波长： 1030+/-10nm；最大功率：20 W；脉宽： 0.4 mJ @ 1 - 50 kHz；脉冲稳定性 <0.5 % rms over 24 h；重复频率：1Hz-200kHz 可调部件二、光参量放大器 =总输出波长：315-2600nm_x000b_；长时间功率稳定性（8h）：<2 %@800nm 部件三、飞秒瞬态吸收光谱仪 白光范围Probe：350-1600nm；时间窗口：8ns（8.3fs延迟线分辨率）；偏振、样品架、中性密度调节调节方式：电动；测量方式：透射、反射；时间分辨率：<1.4xPump或Probe脉宽（以较长者为准）；最大数据采集速度：4000 spectra/s 纳秒TA测量模块 测量范围350–2200 nm，时间窗口：8ns – 8 ms；显微测试模块
42超高分辨荧光显微镜A02100301显微镜8002024年9月STED 超高系统的分辨率：xy分辨率≤50nm，或z轴分辨率≤130nm，结合荧光寿命技术，实现xy分辨率≤30nm，z轴分辨率≤130nm,系统同时也具有LIGHTNING高分辨技术，成像分辨率XY方向120nm，Z方向200nm。 激光器覆盖可见光及紫外光，各激光器单独分立；独立AOTF。激光器按如下谱线配置： 405nm，485nm-685nm连续波长脉冲激光器，总计201根激发谱线。 四个均可以进行光谱扫描的内置荧光通道，一个明场、暗场、DIC、相差效果良好的透射光通道，可同时多色定位及分析。光谱扫描和荧光光谱分离功能，可通过单次扫描采集荧光光谱分布曲线，并对荧光光谱进行分析和分离不同标记的信号，可以解决同时使用多种荧光标记时激发光或发射光波长重叠造成的串色问题； 研究型全自动倒置显微镜，调焦，物镜转换，载物台，荧光滤色镜转换，荧光挡板等全部电动，状态自动跟踪； 具有任意形状、视野图像拼接功能，具有螺旋扫描等多种扫描方式，扫描拼图速度叫常规系统快5-6X； 真正搭载在激光扫描共焦显微镜上的STED超高分辨率系统，可做光学切片成像。
43二维电子光谱A02100304光学测试仪器6502024年9月部件一、飞秒激光器 中心波长： 1030+/-10nm,；最大功率：20 W；脉宽： 0.4 mJ @ 1 - 50 kHz；脉冲稳定性 <0.5 % rms over 24 h；重复频率：1Hz-200kHz 可调 部件二、光参量放大器 总输出波长：315-2600nm_x000b_；长时间功率稳定性（8h）：<2 %@800nm 部件三、可见二维电子光谱仪 重复率≤100 kHz_x005f ；输入极化线性，水平；输入光束尺寸（1/e^2）4.5 mm，准直；带单色仪和检测器；整形器
44高速多光阱纳米光镊与力学测量系统A02100303物理光学仪器3752024年9月平场荧光相差长工作距离物镜 4x，10x，60X，100X各1支，DAPI、FITC、TRITC窄带荧光滤块各1支，高速扫描电动载物台1套，高级数码显微成像系统 2套，红外激光器、电源、控制器及其光路1套，光镊测力系统 1套，高精度压电陶瓷载物台 1套，图像工作站 1套，光镊配套控制软件1套
45陶瓷基复合材料天线罩A*2A0207099其他雷达配套设备2202024年9月体密度(g/cm³)：≥15室温 介电常数：≥2.8 损耗角正切：≤0.008 导热系数(W/m•K)：≤0.7
46陶瓷基复合材料天线罩BA0207099其他雷达配套设备1102024年9月体密度(g/cm³)：≥15室温 介电常数：≥2.8 损耗角正切：≤0.008 导热系数(W/m•K)：≤0.7 热膨胀系数(×10-6/℃)：≤1.0 拉伸强度(Mpa)：≥25 拉伸模量(GPa)：≥10 压缩强度(Mpa)：≥50 压缩模量(GPa)：≥10
47透波陶瓷平板*15A0207099其他雷达配套设备302024年9月体密度(g/cm³)：≥15室温 介电常数：≥2.8 损耗角正切：≤0.008 导热系数(W/m•K)：≤0.7
48大型修缮A01010213科研用房3002024年9月完成千级洁净间的改造，设备的二次配
494D-STEM专用混合像素直接电子探测器A02109900其他仪器仪表4002024年8月①配置伸缩底装的耐受辐照直读探测器； ②探测器动态范围：≥108 el/s/pixel；像素尺寸：≤100μm×100μm；探测速度：≥120KHz（@≥12bit）；探测器像素数量：≥192×192，有效探测面积≥20mm×20mm； ③配置专用STEM数据同步控制器，能够同步STEM扫描线圈扫描及探测器数据获取； ④配置专用数据采集软件及4D-STEM数据分析软件，同时具备常见BF/ABF/ADF等虚拟探头选项，可同时多种模式成像。
50中、低温电子高周疲劳试验系统A02100699其他试验仪器及装置2452024年8月1.最大工作频率≥100Hz，最小工作频率≤0.001Hz； 2.轴向最大动载≥±10kN；最大静载≥±7.1kN； 3.最大动态扭矩≥±100Nm；最大静态扭矩≥±100Nm； 4.试验机位移分辨率≤0.005μm；位移精度≤±30μm； 5.轴向刚度≥450kN/mm；扭转刚度≥8825Nm/deg； 6.高低温楔形疲劳夹具：可以在温度箱内使用，耐温范围不低于-70℃至350℃； 7.高低温箱：高温不低于350℃；低温不高于-70℃；箱内高度不低于560mm；
51耦合极端环境双轴蠕变试验系统A02100599其他试验机9002024年8月耦合极端环境双轴蠕变试验系统3套，主要用于测量材料的单双轴拉伸、压缩、弯曲、剪切等力学性能，用于长时加载测试，模拟实际服役中单双轴蠕变，兼容极端环境下的万能单轴力学测试需求，实现材料在高低温、化学腐蚀、高压环境下的双轴变比例蠕变、拉压和低周疲劳测试等。
52高低温10T万能试验系统A02100599其他试验机2902024年8月1.载荷≥100kN，机架垂直试验空间≥2600mm; 2.最小试验速度≤0.00005mm/min，最大试验速度≥1000 mm/min 3.速度精度：≤设定速度的±0.1%; 4.位移测试精度≤显示值的±0.05%; 5.加载温度范围：-80~1600℃;
53数字图像测量附件A02109900其他仪器仪表3352024年8月应变分辨率：3D≤0.002%；2D≤0.001%； 2.应变测量范围：0.005%~≥2000%； 3.应变测量系统噪音3D≤0.001%； 4.3D位移分辨率≤0.005像素；
54单室高真空卷绕镀膜系统A02052402真空应用设备2452024年9月本次拟采购1台单室高真空卷绕镀膜系统，该系统需具备蒸镀金属单质、氧化物等，以及进行PET、PI、质子交换膜等柔性基膜材料的高精度往复卷绕传输的能力。主要用于质子交换膜的改性，通过优化镀层组分、分布及厚度，可以改善膜结构并提高膜的离子传导性、化学稳定性和机械强度等性能。该设备还需具备在柔性基材表面连续性镀膜的中试生产能力，即可实现单次蒸镀长度长达100m的质子膜卷料。最后，该设备应选用质量优异的部件，确保使用寿命在20年以上，并需要具备完善的终身售后服务。为了确保操作安全，设备应设置缺相保护、误操作保护，联动互锁以及一键停止等功能。
55质子交换膜涂布中试线A02100599其他试验机2702024年9月本次拟采购1台质子交换膜涂布中试线，用于均质膜和增强复合膜的制备，具备单次连续生产长度不低于100m，宽度不低于200 mm的中试生产能力。为了确保质子膜品质，涂布单元的模头应选择哈C合金避免金属离子污染质子膜。此外烘箱单元也做了特殊设计，其长度长达10m，拆分为5节，温度高达250℃，实现多阶连续加热以及高温后处理能力。 最后，该设备应选用质量优异的部件，确保使用寿命在20年以上，并需要具备完善的终身售后服务。为了确保操作安全，设备需在啮合点入料侧设置机械安全防护设置，并配有急停开关，各传动部件、所有接线端子均有封闭防护罩，各操作面板安装急停按钮，急停后所有压辊离压，电机停止。
56球差校正扫描透射电镜A02100301显微镜49002024年8月球差校正扫描透射电镜1套，主要用于多种材料在原子及亚埃尺度下晶体结构和化学成分解析，并且可对材料进行快速、精确的三维重构表征。主机质保1年，并需提供安装和调试以及人员培训。
57球差校正扫描透射电镜A02100301显微镜40002024年8月球差校正扫描透射电镜1套，主要用于在原位环境下，实现样品在复杂化学环境反应过程的原子尺度成像，对材料的表界面、相变、化学反应等科学问题研究。主机质保1年，并需提供安装和调试以及人员培训。
58透射电镜A02100301显微镜8802024年8月①配置高亮度场发射电子枪。TEM线分辨率：优于0.1nm；扫描透射模式分辨率：优于0.16nm。高压稳定性优于0.5 ppm/min。 ②配置超大面积高分辨率的电制冷能谱仪。 ③配置具有原位功能的电镜成像系统，满足原位需求的科研工作。 ④配置减震台、消磁器


3.35亿！zycgr24041501公示仪器采购意向