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通知!上海发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南

导读:2024年9月19日,上海市科学技术委员会发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南。征集范围涵盖先进光刻、未来芯片、先进器件与材料等在内的5个专题,30个方向。

为深入实施创新驱动发展战略,加快建设具有全球影响力的科技创新中心,根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》,2024年9月19日,上海市科学技术委员会发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南。征集范围涵盖先进光刻、未来芯片、先进器件与材料、面向集成电路的人工智能应用、先进EDA工具5个专题,30个方向。

通知!上海发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南


一、征集范围

2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南
专题方向经费额度
先进光刻面向稳定高功率极紫外光源生成的加速器参数自优化研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进光刻极紫外光源光束稳定性监测与调节研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进光刻极紫外光刻胶二次电子反应动力学研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻BEUV光源研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻基于多场调控的深紫外超分辨光刻研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻高分辨共聚物的精准合成与自组装研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻高分辨周期性共聚物微相分离退火研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进光刻柱状相共聚物分离膜的分离机制研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片基于低维材料的存算一体电路和芯片设计方法研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片存算融合的大模型训推一体架构与芯片研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片基于AI的三维空间计算处理器系统研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片三维铁电畴壁存储器研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片边缘光计算研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片高精度光子高速张量卷积计算研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片神经形态学光信息存储和处理研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片超宽带光电子调制与接收机理研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片高速无损光交换架构与动态重构机制研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片薄膜铌酸锂非线性光子学研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片硅基二维材料异质集成研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进器件与材料二维材料低缺陷大面积生长研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进器件与材料铪基薄膜极化机制和k值提升研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进器件与材料钙钛矿氧化物高介电常数材料与工艺研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进器件与材料基于ALD工艺的铪基铁电材料表征与器件性能提升研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
面向集成电路的人工智能应用面向集成电路前道量检测成像的语义分割大模型研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
面向集成电路的人工智能应用面向先进硅基器件的人工智能建模及参数优化研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
面向集成电路的人工智能应用面向导向自组装工艺的大语言模型研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具面向2.5D/3D集成的先进封装材料及器件宽频段、宽温区表征研究定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具三维集成芯片布局布线EDA算法研究定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具面向2.5D+3D集成的电磁-热-应力多物理仿真研究定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具基于多智能体强化学习的集成电路设计优化研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元


二、申报要求

除满足前述相应条件外,还须遵循以下要求:

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织,具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构(如科技部、国家自然科学基金等)资助项目基础上提出的新项目,应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求,项目负责人应承诺所提交材料真实性,申报单位应当对申请人的申请资格负责,并对申请材料的真实性和完整性进行审核,不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的,须在提交项目可行性方案的同时,上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估,涉及科技部《科技伦理审查办法(试行)(国科发监〔2023〕167号)第二条所列范围科技活动的,应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者,不得作为项目负责人申报。

7.项目经费预算编制应当真实、合理,符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

8.各研究方向同一单位限报1项。

三、申报方式

1.项目申报采用网上申报方式,无需送交纸质材料。申请人通过“中国上海”门户网站(http://www.sh.gov.cn)--政务服务--点击“上海市财政科技投入信息管理平台”进入申报页面,或者直接通过域名https://czkj.sheic.org.cn/进入申报页面:

【初次填写】使用“一网通办”登录(如尚未注册账号,请先转入“一网通办”注册账号页面完成注册),进入申报指南页面,点击相应的指南专题,进行项目申报;

【继续填写】使用“一网通办”登录后,继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月27日9:00,截止时间(含申报单位网上审核提交)为2024年10月21日16:30

四、评审方式

采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式。

五、咨询电话

服务热线:8008205114(座机)、4008205114(手机) 


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来源于:仪器信息网

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为深入实施创新驱动发展战略,加快建设具有全球影响力的科技创新中心,根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》,2024年9月19日,上海市科学技术委员会发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南。征集范围涵盖先进光刻、未来芯片、先进器件与材料、面向集成电路的人工智能应用、先进EDA工具5个专题,30个方向。

通知!上海发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南


一、征集范围

2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南
专题方向经费额度
先进光刻面向稳定高功率极紫外光源生成的加速器参数自优化研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进光刻极紫外光源光束稳定性监测与调节研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进光刻极紫外光刻胶二次电子反应动力学研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻BEUV光源研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻基于多场调控的深紫外超分辨光刻研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻高分辨共聚物的精准合成与自组装研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进光刻高分辨周期性共聚物微相分离退火研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进光刻柱状相共聚物分离膜的分离机制研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
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未来芯片边缘光计算研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
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未来芯片超宽带光电子调制与接收机理研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片高速无损光交换架构与动态重构机制研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
未来芯片薄膜铌酸锂非线性光子学研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
未来芯片硅基二维材料异质集成研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进器件与材料二维材料低缺陷大面积生长研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进器件与材料铪基薄膜极化机制和k值提升研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度300万元
先进器件与材料钙钛矿氧化物高介电常数材料与工艺研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进器件与材料基于ALD工艺的铪基铁电材料表征与器件性能提升研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
面向集成电路的人工智能应用面向集成电路前道量检测成像的语义分割大模型研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
面向集成电路的人工智能应用面向先进硅基器件的人工智能建模及参数优化研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
面向集成电路的人工智能应用面向导向自组装工艺的大语言模型研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具面向2.5D/3D集成的先进封装材料及器件宽频段、宽温区表征研究定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具三维集成芯片布局布线EDA算法研究定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具面向2.5D+3D集成的电磁-热-应力多物理仿真研究定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度100万元
先进EDA工具基于多智能体强化学习的集成电路设计优化研究定额资助,拟支持不超过1个项目,每项资助额度100万元


二、申报要求

除满足前述相应条件外,还须遵循以下要求:

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织,具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构(如科技部、国家自然科学基金等)资助项目基础上提出的新项目,应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求,项目负责人应承诺所提交材料真实性,申报单位应当对申请人的申请资格负责,并对申请材料的真实性和完整性进行审核,不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的,须在提交项目可行性方案的同时,上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估,涉及科技部《科技伦理审查办法(试行)(国科发监〔2023〕167号)第二条所列范围科技活动的,应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者,不得作为项目负责人申报。

7.项目经费预算编制应当真实、合理,符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

8.各研究方向同一单位限报1项。

三、申报方式

1.项目申报采用网上申报方式,无需送交纸质材料。申请人通过“中国上海”门户网站(http://www.sh.gov.cn)--政务服务--点击“上海市财政科技投入信息管理平台”进入申报页面,或者直接通过域名https://czkj.sheic.org.cn/进入申报页面:

【初次填写】使用“一网通办”登录(如尚未注册账号,请先转入“一网通办”注册账号页面完成注册),进入申报指南页面,点击相应的指南专题,进行项目申报;

【继续填写】使用“一网通办”登录后,继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月27日9:00,截止时间(含申报单位网上审核提交)为2024年10月21日16:30

四、评审方式

采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式。

五、咨询电话

服务热线:8008205114(座机)、4008205114(手机) 


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