预算4.07亿元！中国科学院微电子研究所近期大批仪器采购意向

序号

采购项目

需求概况

预算金额/万元

采购时间

1

8寸激光热退火设备

面向先进技术节点集成电路工艺的研究，采用新型热处理工艺，要求采用激光加热的方式，热处理时间在亚微秒水平。能够处理8英寸晶圆，需要提供现场工艺和支持服务.

1200

2024年12月

2

微小型芯片第三方测试

分别对三款芯片模组进行环境试验、信号完整性、电源完整性、电磁兼容性、可靠性和安全性等性能检测试验。三次单独试验和一次总体性能验证试验，共有四次测试。这四次测试将会分别签订四个合同，具体实施内容以实际签订的合同内容为准。 供方资质要求： 1.在ZF合格供方名录内； 2.通过质量体系（ISO9001）管理认证； 3.同时具有双C认证资质（CNAS和CMA）； 4.二级以上保密单位，随合同签订保密协议。

210

2024年10月

3

4G-LTE Cat.1通信SOC芯片晶圆

采购4G通信芯片套片晶圆，包含满足国内外4G-LTE Cat.1通信的SOC芯片及其配套的PMIC芯片，晶圆数量各1张，主要要求如下： 1.集成处理器的4G-LTE通信SOC芯片晶圆； 2.配套的PMIC晶圆； 3.晶圆经过CP测试； 4.提供必要的DIE信息； 5.提供软件二次开发环境； 6.提供演示硬件及样片。

160

2024年10月

4

全自动化学品供液系统

供液流量≥20slm,PLC控制，可实现自动手动切换，漏液报警系统，具备换液记录功能。操作界面：具有参数设定、手动运行、自动运行、状态监控、信息记录等功能。权限设置：具备3级权限。

400

2024年10月

5

可靠性、SPICE建模软件

在项目执行其需要建立先进制程工艺的可靠性模型，需要对器件模型参数自动提取和优化，需要使用其内嵌并行的NanoSpice仿真器，建立最新版CMC行业标准SPICE器件模型，实现可靠性OMI接口生产，并被EDA工具使用。

450

2024年9月

6

上华制版流片

采购标的名称：0.18um SOI BCD流片加工和制版加工 需实现的功能：负责对硅验证与制版的正确性 数量：2批次 要求：1、0.18um SOI BCD工艺;2、提供用于电路设计用的PDK套件，包括特殊器件版图以及仿真模型库；3、提供数据管理：对提交的GDSII文件进行完整性检查；根据甲方需求进行LVS、DRC等设计规则的复查； 4、过程管理：提供数据提交、加工表格、制版数据检查等重要过程的提示与技术支持； 5、保密管理：甲方数据保存1年，逾期销毁，甲方可书面通知提前销毁； 6、风险管理：负责对硅验证数据与制版数据的正确性，符合工艺要求做出承诺。

200

2024年11月

7

8英寸高低温半自动晶圆测试探针台

采购标的名称：8英寸高低温半自动晶圆测试探针台 主要功能：实现对先进GAA工艺和200mm晶圆特性的研究，验证建模平台和工艺设计的合理性并做出改进。通过DC-CV、1/f噪声测验和DC-IV等手段来对GAA器件建模，最终实现满足极端条件下测量的挑战和实验室自动化的需求，也为大规模批量应用提供准确的电气特性。 采购标的数量：1台 质量要求： （1）具有微暗室优化的腔体结构可以减少干燥气体的消耗量；（2）能够在半自动系统中进行DC-CV、DC-IV, RTN和RF测试且适配200mm晶圆的测试；（3）支持温度范围 -60°C-+200°C；（4）高性能防震系统；（5）最高移动速度>10mm/S；（6）Chuck角度旋转精度0.0001°，往返重复精度+-1μm，绝对定位精度+/-2μm。 服务、安全、时限等要求：12周内到货。

155

2024年9月

8

测试板卡设计加工

标的名称：测试板卡设计加工 目标： 面向智能存储芯片的硬件测试板卡设计、加工。满足智能存储芯片中的DDR、互连的信号要求，同时硬件板卡集成低功耗内存和计算内存颗粒与板载FPGA组合成DIMM形式，可以与主机与DIMM形式进行连接并进行功能、性能测试。 标的数量：2块 质量、服务、安全、时限等要求： 需要设计集成DDR、高速FPGA GPIO的智能内存颗粒，板卡采用DIMM形式与主机进行连接，板载FPGA可以实现对颗粒控制并与上位机通信。开发周期：3个月。

100

2024年9月

9

FPGA测试代码开发

标的名称：FPGA测试代码开发 目标： 面向智能存储芯片的测试的控制器、通信和计算逻辑的设计与开发。满足智能存储芯片中的DDR颗粒控制、存算融合芯粒的控制要求，同时按照要求完成与上位机和其他板卡的通信协议的实现。 标的数量：1批次 质量、服务、安全、时限等要求： DDR颗粒的控制器逻辑、存算逻辑和高速通信接口逻辑的代码开发，完成在指定FPGA上进行测试与验证，预留相关自定义功能二次开发接口。开发周期：3个月。

100

2024年9月

10

低维材料微纳加工电子束直写系统

本项目采购1台低维材料微纳加工电子束直写系统，主要用于小尺寸低维材料器件微纳工艺加工，其光刻线条精度要求能够达到20nm，采购需要满足收到预付款后6个月内发货，具备12个月质保期，并由设备厂商工程师在现场完成安装、培训以及后续设备维护等。

165

2024年11月

11

光刻机维修

尼康S205C深紫外光刻机为先导中心项目《先进逻辑器件及制造技术》的必要工艺设备。目前该设备因为Wafer Stage故障，需要更换TC马达等备件，我所无法自行完成维修，处于宕机状态。为保障项目的顺利推进，使该设备恢复正常运行，需要从尼康精机（中国）有限公司购买备件并由该公司派遣专业技术人员进行更换及调试。 光刻机维修项目包括： 1. Wafer Stage TC马达更换及调试 2. 机台全面检查 3. 故障及隐患处理 本次委托的技术要求： 设备所有部件均能正常运行，且无报警；设备各项技术参数及指标达到该设备SPEC 本次委托的验收要求：保证光刻机正常运行，且性能指标达到验收要求。验收方式为现场验收设备状态，并由供应商提供维修保养报告，对报告内容进行验收。所换备件需质保6个月。

280

2024年11月

12

12英寸流片验证

1.名称：12英寸流片验证；2.数量：1；3.目标：首先基于12英寸工艺线完成后道特殊结构工艺短流程验证，之后完成28nm全流程流片加工、前道工艺流片晶圆和特殊工艺整合流片；4.质量：满足28nm节点WAT测试报告；5.服务：服务方在收到用户GDS数据之后，半年内完成工艺流片验证。

2000

2024年11月

13

宏力制版流片

采购标的名称：0.18um/0.13um SOI流片加工和制版加工 需实现的功能：负责对硅验证与制版的正确性 数量：3批次 要求：1、0.18um/0.13um SOI工艺;2、提供用于电路设计用的PDK套件，包括特殊器件版图以及仿真模型库；3、提供数据管理：对提交的GDSII文件进行完整性检查；根据甲方需求进行LVS、DRC等设计规则的复查； 4、过程管理：提供数据提交、加工表格、制版数据检查等重要过程的提示与技术支持； 5、保密管理：甲方数据保存1年，逾期销毁，甲方可书面通知提前销毁； 6、风险管理：负责对硅验证数据与制版数据的正确性，符合工艺要求做出承诺。

200

2024年11月

14

工艺节点抗辐照射频芯片流片加工

采购标的名称：RF-SOI 55nm工艺节点抗辐照射频芯片流片加工 需实现的功能：负责对硅验证与制版的正确性 数量：1批次 要求：1、RF-SOI工艺节点55nm;2、提供用于电路设计用的PDK套件，包括抗辐照射频器件版图以及仿真模型库；3、提供数据管理：对提交的GDSII文件进行完整性检查；根据甲方需求进行LVS、DRC等设计规则的复查； 4、过程管理：提供数据提交、加工表格、制版数据检查等重要过程的提示与技术支持； 5、保密管理：甲方数据保存1年，逾期销毁，甲方可书面通知提前销毁； 6、风险管理：负责对硅验证数据与制版数据的正确性，符合工艺要求做出承诺。

196

2024年11月

15

先进工艺节点高速接口芯片流片加工

采购标的名称：先进工艺节点高速接口芯片流片加工 需实现的功能：负责对硅验证与制版的正确性 数量：1批次 要求：1、先进工艺节点;2、提供用于电路设计用的PDK套件，包括特殊器件版图以及仿真模型库；3、提供数据管理：对提交的GDSII文件进行完整性检查；根据甲方需求进行LVS、DRC等设计规则的复查； 4、过程管理：提供数据提交、加工表格、制版数据检查等重要过程的提示与技术支持； 5、保密管理：甲方数据保存1年，逾期销毁，甲方可书面通知提前销毁； 6、风险管理：负责对硅验证数据与制版数据的正确性，符合工艺要求做出承诺。

300

2024年11月

16

功率器件

高频功率器件采购 两款高频功率器件采购。器件1耐压1000V，额定电流10A，导通电阻小于等于1.2Ω；器件2耐压500V，额定电流4.5A，导通电阻小于等于1.5Ω。 两款器件各120只。 器件需满足宽温区工作能力。

390

2024年11月

17

先进光刻工艺仿真平台

采购标的名称：先进光刻仿真平台 采购标的需要实现的主要功能：光刻中的光学临近效应修正（OPC）和光源掩模联合优化（SMO）工作，可以完成DUV光刻中基于传统方法以及反演光刻（ILT）的OPC和SMO，还能够从基础物理原理与化学原理出发，精确的模拟光刻过程，包括光刻机曝光过程中的光学行为，光刻胶中发生的光学，光化学反应，化学反应的行为。OPC工作通过优化掩模图形，使得光刻生产中最终的光刻胶形貌得到优化，提高光刻质量，SMO功能则能够同时优化光刻中的掩模和光源，进而提高光刻质量。 采购标的数量：一套（仿真软件平台） 采购标的需要满足的质量等要求：既可以完成DUV光刻中传统方法以及反演光刻（ILT）的OPC和SMO，还能够进行基础物理原理与化学原理的严格仿真（具体包含以下模块：1，DUV集成开发仿真环境；2，光源掩模协同优化（DUV SMO）模块;3,光学临近效应修正（DUV OPC）模块;4,ILT反演光刻模块；5 DUV 光刻严格仿真软件） 还应包含以下调试培训服务： 1平台的安装和调试 安装版本为公司能提供的平台版本的最新稳定版本 2培训 平台成功启动后， 提供示例项目，演示平台功能，并开展软件使用的培训。 3端和现场的技术讨论: 4 测试案例所用示例图形设计。

500

2024年10月

18

光源-掩模协同优化专用仿真平台

采购标的名称：光源-掩模协同优化专用仿真平台 采购标的需实现的主要功能：该平台用于支持尖端光刻工艺开发, 面向半导体制造商光刻技术研发，它既可以方便地用于开发新光刻工艺，也能在设计，掩膜板和成像等各层面深度优化现有工艺。用于搭建仿真光刻工艺和分辨率增强技术的光刻软件仿真平台，可用先进快速的模型来精确反震出版图设计通过光刻供以后在晶圆上产生的实际信息，来支撑更小节点的计算光刻仿真研究。 采购标的数量：1套 采购标的需满足的质量：平台能对OPC修正后的版图进行仿真验证，质量要求满足现有使用标准。 还应包含以下调试培训服务： 1平台的安装和调试 安装版本为公司能提供的平台版本的最新稳定版本，或在告知并得到同意的情况下，合作的开发版本 2培训平台成功启动后，提供示例项目，演示平台功能，并开展软件使用的培训。

500

2024年10月

19

光刻工艺仿真平台

采购标的名称：光刻工艺仿真平台 采购标的需实现的主要功能：光刻工艺分辨率必须依靠计算光刻来保证，拟采购的产品在项目研究中发挥重要作用，主要包括对现有半导体制造工艺使用配套的先进的分辨率增强技术，对光刻工艺进行仿真、验证和优化等功能。 采购标的数量：1套 采购标的需满足的质量：平台能对OPC修正后的版图进行仿真验证，质量要求满足现有使用标准。 还应包含以下调试培训服务： 1平台的安装和调试 安装版本为公司能提供的平台版本的最新稳定版本，或在告知并得到同意的情况下，合作的开发版本 2培训平台成功启动后，提供示例项目，演示平台功能，并开展软件使用的培训。

690

2024年10月

20

高性能计算板卡

用于先进工艺和器件仿真计算，实现大规模并行计算、加速分子动力学仿真。单芯片的FP32矢量非tensor算力≥19.5TFLops，显存容量≥80GB，显存带宽≥1,555 GB/s， 支持PCIE连接。

198

2024年10月

21

技术分析报告

采购标的需实现的主要功能：该技术分析报告需包括该DRAM产品工艺及电路相关技术细节，包含但不限于该DRAM工艺单元器件结构、材料组分、阵列排布、外围电路布局、电路模块划分、高速电路实现方式，等等； 采购标的数量：移动硬盘文件形式一份(可无限复制)； 采购标的需满足的质量、服务、安全、时限等要求：该技术报告需符合专业性、准确性及完整性要求，需满足技术分析报告规定的售后服务要求，确保报告数据安全可靠，不侵害第三方技术秘密，时限确保在2024年12月31日前提供。

245

2024年12月

22

MPW流片服务

提供基于cadence软件的工艺模型库，设计开发与校验库的详细安装教程，IO 及标准单元库使用说明，需满足项目各项功能、指标需求，可实现数模混合芯片代工制造。工艺节点：40nm LL CMOS工艺；供电电压：1.1V/2.5V； IP 库：数字标准单元库、标准IO库； 工艺需求：CMOS、PNP、MOM电容等； 其他：提供数字电路设计流程开发所需的全部开发文件支持；芯片功能：芯片测试结果与仿真结果吻合；芯片数量：50颗形貌完好、功能正常裸die。

100

2024年12月

23

流片

为完成项目指标，需要在工厂进行流片，具体要求在实际执行时确定。

140

2024年11月

24

团簇等离子体抛光设备

对SiC外延片表面进行精细抛光，可以降低外延层表面粗糙度，获得高质量SiC外延层，降低器件表面缺陷，从而有效提高栅氧化层质量，同时能够降低器件表面载流子散射，提高器件沟道迁移率，从而实现高质量、高可靠性的SiC MOSFET器件 。

365

2024年10月

25

SOI硅片

名称：SOI硅片； 数量：665片； 需求概况：FDSOI是全耗尽型绝缘衬底上硅技术，在体硅中引入了超薄的埋氧（BOX）层作为绝缘层，具有功耗低、速度快、抗辐射、可靠性高的特点，工艺步骤简单，生产周期短。相比主流FinFET技术，SOI技术工艺简单，相同功耗下具有更高的性能，在低功耗、高速度和高集成度上性能更优。为顺利实施项目年度计划，完成攻关任务，需要大量的SOI晶圆进行工艺流片。 需满足的要求：供应商提供的顶层硅、埋氧层、衬底电阻率、颗粒及沾污等质检报告数据满足技术需求，硅片到货后，供应商能够提供出厂检验报告。在整个验收过程中，如遇到产品本身质量问题，供应商应及时解决。交货周期为收到预付款货款后7个月内。

309

2024年11月

26

透射电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)以及二次离子质谱(SIMS)等半导体测试分析

1.名称：透射电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)以及二次离子质谱(SIMS)等半导体测试分析；2.数量：2800个；3.目标：FIB、TEM和SIMS等测试分析，用于先导CMOS工艺、器件和电路研发；4.质量：TEM结构清晰，膜层量测准确，指定位置需看到晶格，成分分析准确，符合业界检测标准；5.服务：按需求方指定位置和需求进行分析和量测，提供盖章的标准检测报告；6.时限：收到普通样品72小时内提供分析报告；收到加急样品24小时内提供分析报告。

1400

2024年10月

27

掩模版加工

掩模版加工数量300质量满足各工艺节点的掩模版分辨率及质量要求。服务方在收到用户数据之后，三周内完成不同工艺节点的掩模版制作。目标加工0.5um工艺节点，0.35um工艺节点，0.25um工艺节点，0.18um工艺节点，0.13um工艺节点的掩模版。用于12英寸和8英寸工艺平台器件流片加工使用。

1440

2024年10月

28

原子层沉积系统

采购标的名称：原子层沉积系统 主要功能目标：在较低温度下制备高质量介质层，以单原子层分辨率沉积氧化物，成键牢固、成膜均匀。 采购标的数量：1 质量要求：按照合同中约定的产品技术标准及设备清单、国家质量检测标准进行验收，验收合格后提供给买方一套完整的技术资料，包括技术说明书、产品技术标准（含验收标准）、安装调试使用保养维修手册、产品原产地出厂合格证及出厂货物明细表、完整的备件和特种工具或服务等清单等。 时限要求：2024年12月31日前到货，30天内完成安装，保修期3年。

150

2024年12月

29

紫外光刻系统

采购标的名称：紫外光刻系统 主要功能目标：通过紫外曝光实现高速、高精度图形转移，在≤0.5um尺寸精度下实现精准、快速定位。 采购标的数量：1 质量要求：按照合同中约定的产品技术标准及设备清单、国家质量检测标准进行验收，验收合格后提供给买方一套完整的技术资料，包括技术说明书、产品技术标准（含验收标准）、安装调试使用保养维修手册、产品原产地出厂合格证及出厂货物明细表、完整的备件和特种工具或服务等清单等。 时限要求：2024年12月31日前到货，30天内完成安装，保修期3年。

105

2024年12月

30

电子束镀膜系统

采购标的名称：电子束镀膜系统 主要功能目标：采用聚焦电子束蒸发金属靶材，在室温下形成均匀金属膜层，膜厚均匀性优于±3%，膜厚分辨率低至0.1A。 采购标的数量：1 质量要求：按照合同中约定的产品技术标准及设备清单、国家质量检测标准进行验收，验收合格后提供给买方一套完整的技术资料，包括技术说明书、产品技术标准（含验收标准）、安装调试使用保养维修手册、产品原产地出厂合格证及出厂货物明细表、完整的备件和特种工具或服务等清单等。 时限要求：2024年12月31日前到货，30天内完成安装，保修期3年。

190

2024年12月

31

高精度低噪声混合电路测试系统

采购标的名称：高精度低噪声混合电路测试系统 需实现的主要功能：用于实现16位及以上高精度ADC电路的关键参数测试需求，包括信噪比（SNR）、谐波失真（THD）、无杂散动态范围（SFDR）等关键指标。同时具备对运算放大器的输入电压噪声、输入电流噪声等微小参数的精确检测能力。 数量：1套 质量：设备符合国家标准及行业标准，为全新正品、未使用过，并且配备标准附件。设备到货后，根据合同和制造厂商的装箱单进行清点检查，如发现短缺、损坏或与合同约定的设备或型号不符，制造厂商负责免费补齐、更换。 时限：设备安装验收完毕后，质保期为1年。

150

2024年12月

32

高温封装热力学分析系统

采购标的名称:高温封装热力学分析系统 需实现的主要功能:用于在高温封装材料及热管理工程应用和研究工作中的分析测试需求，包括封装材料导热系数测试、封装材料力学性能测试以及热管理分析等功能。 数量:1套。 质量:设备符合国家标准及行业标准，为全新正品、未使用过，并且配备标准附件。设备到货后，根据合同和制造厂商的装箱单进行清点检查，如发现短缺、损坏或与合同约定的设备或型号不符，制造厂商负责免费补齐、更换。 时限:设备安装验收完毕后，质保期为1年。

300

2024年12月

33

晶圆级金属氧化物化学气相沉积设备

具备绝缘衬底上（蓝宝石、二氧化硅）生长8英寸晶圆级新型半导体材料（主要是过渡金属硫化物）及其异质结的工艺能力，且尺寸可向下兼容；生长出的材料均匀度>99%, 缺陷密度 <1*1013 cm-2，单一晶畴取向，可重复性高；设备配备两个腔室淋浴喷头，无腔室前预反应；具备多温区加热和旋转，加热范围 300-1400 摄氏度。

2000

2024年9月

34

GF代工厂的流片服务

主要按需求进行流片服务，具体要求按实际项目进度制定。需要2次。

150

2024年9月

35

掩模版

项目实施过程中，预采购4张6英寸标准掩模版，覆盖14nm技术节点Metal 0/Metal1/Via0/Via1等关键层的原始设计图形及版图修正后的图形特征。根据项目需要，掩模版以及后续的流片和数据收集，由项目承担单位委托北方集成电路创新中心（STIC）至中芯国际（SMIC/SMNC）进行实施。

320

2024年9月

36

SMIC流片、制版加工服务

名称：制版加工服务。采购需求：SMIC代工厂的制版加工服务，预计25次。

1000

2024年12月

37

SMIC、HHG、CSMC、TSMC、GF、HLMC、Towerjazz、UMC等代工厂的制版加工服务

名称：制版加工服务。采购需求：SMIC、HHG、CSMC、TSMC、GF、HLMC、Towerjazz、UMC等代工厂的制版加工服务，预计20次。

1000

2024年12月

38

SMIC、HHG、CSMC、TSMC、GF、HLMC、Towerjazz、UMC等代工厂的流片服务

名称：流片服务。采购需求：SMIC、HHG、CSMC、TSMC、GF、HLMC、Towerjazz、UMC等代工厂的流片加工，预计50次。

1000

2024年12月

39

减压硅锗外延设备

采购减压硅锗外延设备1台，该设备主要用于面向高性能SRAM的CMOS晶体管研发需要的同时引入P型与N型锗硅源漏及高迁移率锗硅沟道，在同一硅片上分别为N、PMOS沟道提供应力，并形成高迁移率的不同掺杂的锗硅沟道。以及器件原位掺杂源漏区域的单晶材料制备。

2000

2024年9月

40

二维半导体MOCVD设备

采购八英寸晶圆级二维材料金属有机化学气相沉积设备1台，具备绝缘衬底上（蓝宝石、二氧化硅）生长 8 英寸晶圆级二维半导体材料（主要是过渡金属硫化物）及其异质结的工艺能力，且尺寸可向下兼容；生长出的材料均匀度 >99%, 缺陷密度 <1*1013 cm-2，单一晶畴取向，可重复性高；设备配备两个腔室淋浴喷头，无腔室前预反应；具备多温区加热和旋转，加热范围 300-1400 摄氏度。目前先导中心没有这类设备，无法满足项目的研制需求，故需要专门配置购置。

2000

2024年9月

41

低温变频C-V测试设备

采购半低温变频C-V测试设备1台，研究所现有测试设备无法满足低温测试环境，且该设备的漏电较大、测试仪器频率范围较小，不能满足测试参数需求，对Ge和SiGe衬底器件需在低温环境下进行多频电容测试，为了保障本项目的研发，准确表征器件电学性能，需要采购该设备。

350

2024年9月

42

高密度等离子体化学气相沉积设备

采购高密度等离子体化学气相沉积设备1台，面向高密度器件研发需要同时引入多层互连，沉积的薄膜可以满足后段互连的绝缘层隔离要求。

2250

2024年9月

43

12/8英寸90nm精度光刻机

采购标的名称：12/8英寸90nm精度光刻机 。采购标的主要功能：光刻90nm及以上光刻胶图形 。主要目标：最大分辨率：90nm；叠加精度：≤5nm；晶圆尺寸：200mm或300mm 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：光刻出90nm胶图形及100nm小孔 不同材料基底上可重复 。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

8000

2024年12月

44

90nm光刻机配套涂胶显影机

采购标的名称：90nm光刻机配套涂胶显影机。采购标的主要功能：。主要目标：涂胶膜厚均匀性：3sigma小于10nm；显影条宽均匀性（0.15umCD测试）：3sigma小于10nm；晶圆尺寸：200mm或300mm； 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：提供满足光刻最大机分辨率及可重复性要的光刻胶薄膜及显影方案。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

1800

2024年12月

45

8英寸晶圆CMP

采购标的名称：8英寸晶圆CMP。采购标的主要功能：CMP用于小尺寸DRAM器件制造过程中晶圆全局均匀平坦化。主要目标：抛光后表面达到超高平整度且表面粗糙度小于0.5nm，8英寸晶圆片内磨削TTV＜1um，晶圆尺寸：200mm 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：片内平坦化均一性高，重复性好。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

800

2024年12月

46

8英寸晶圆兆声清洗机

采购标的名称：8英寸晶圆兆声清洗机。采购标的主要功能：针对小尺寸DRAM用于抛光后及刻蚀后晶圆的刷洗工艺。主要目标：粒径＞0.3um 的颗粒去除率 >95%; 碎片率 ＜1‰; 划痕率＜1‰ 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：针对8英寸晶圆内90nm以下小孔颗粒去除率大于等于95%，并且重复性好。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

380

2024年12月

47

8英寸晶圆ALD

采购标的名称：8英寸晶圆ALD。采购标的主要功能：主要用于小尺寸3D DRAM器件的IGZO及适配氧化物薄膜材料的生长。主要目标：薄膜片内均匀性小于3%；薄膜片间均匀性小于3%；晶圆尺寸：200mm 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：8英寸片内生长薄膜均一性、可靠性高，片间薄膜生长厚度重复性好。设备兼容热法和射频两种模式生长。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

900

2024年12月

48

8英寸晶圆快速退火炉

采购标的名称：8英寸晶圆快速退火炉。采购标的主要功能：小尺寸3D DRAM器件研制中需要对制备的器件进行高温快速退火处理以提升器件的电学性能。主要目标： 温度范围300-1000℃ ；配置两句路气体 （氮气 氧气）；支持真空及常压模式；晶圆尺寸 200mm。。采购数量：1台 。采购标的所需质量：退火过程中温度设置值与实际值误差在1%以内。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

200

2024年12月

49

8英寸晶圆干法去胶机

采购标的名称：8英寸晶圆干法去胶机。采购标的主要功能：设备产生的等离子体与有机聚合物发生氧化反应去除光刻胶。主要目标：射频功率: 2KW @13.56Mhz;极限压力 < 5.0e-3 Torr 晶圆尺寸 200mm。 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：去胶时对光刻胶下薄膜材料损伤小、刻蚀精度高、片内均一性好、片间重复率高。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

200

2024年12月

50

高精度扫描电子显微镜

采购标的名称：高精度扫描电子显微镜。采购标的主要功能：通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。主要目标：电子源尺寸小于5nm，能量扩展范围小于0.3eV 分辨率：0.4nm（30kV）, 1.2nm（1kV，非减速），0.8nm（1kV，减速*），0.34nm (30KV，STEM)；采购数量：1台 。采购标的所需质量：放大倍率：HM Mode：800×~3,000,000×（以底片输出计算方式）LM Mode：80×~10,000×（以底片输出计算方式） 可靠性高 易操作 。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

1100

2024年12月

51

8英寸晶圆椭偏仪

采购标的名称：8英寸晶圆椭偏仪。采购标的主要功能：检测薄膜性质。主要目标：波长范围193-1000nm；可采集800个数据点；配置自动样品台和微光斑（300um）；最快扫描时间0.3s单点 晶圆尺寸200mm 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：不同材料薄膜厚度检测精度高、片间相同材料相同厚度薄膜检测误差3%以内、片内检测速度快。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

160

2024年12月

52

8英寸刻蚀机

采购标的名称：8英寸刻蚀机。采购标的主要功能：通过化学反应及物理轰击对晶圆表面的金属、半导体、绝缘体进行高精度刻蚀。主要目标：同时具备ICP 、RIE、CCP等模式刻蚀 工艺控压精度: 0.1 mTorr; 工艺腔室控压范围 0.1Pa-20Pa; 上电极可用功率范围: 100~2000W; 射频精确度 ± 1% 晶圆尺寸200mm 。采购数量：1台 。采购标的所需质量：兼容多种刻蚀模式（ICP、CCP、RIE）要求90nm小孔多层膜刻蚀垂直度85度到90度之间 刻蚀表面及侧壁粗糙度低、片内刻蚀控制精度高、片间刻蚀误差小于5%。服务、安全、时限要求：提供设备验收合格后1年质保。提供符合现场实际情况的设备安装方案。设备订单生成后1年内交货安装完成。

900

2024年12月

53

团簇等离子体抛光设备

对SiC外延片表面进行精细抛光，可以降低外延层表面粗糙度，获得高质量SiC外延层，降低器件表面缺陷，从而有效提高栅氧化层质量，同时能够降低器件表面载流子散射，提高器件沟道迁移率，从而实现高质量、高可靠性的SiC MOSFET器件。

365

2024年10月

54

MPW流片加工

因项目任务书要求，需进行高速接口的设计， 计划做TSMC28的MPW流片一次，面积为两个block。

115

2024年10月

55

流片加工

为完成项目指标，需要在工厂进行流片，具体要求在实际执行时确定。

150

2024年10月

56

流片加工

为完成项目指标，需要批量的性能稳定的微波器件，所以需要在工厂进行微波器件流片。

100

2024年10月

57

高温功率循环老化设备

功率循环老化设备主要针对高温SiC功率器件的封装进行试验，通过控制试验条件再现高温功率器件封装的两种主要失效方式：键合线失效和焊料层老化。老化的关键是控制结温的波动范围以及温度，得到不同条件下的试验寿命，从而得到高温SiC功率器件的寿命。

200

2024年10月

58

混合信号高温测试系统

该系统主要用于实现模拟电路和数模混合电路在-80℃~300℃宽温度范围下的性能自动化测试，实现对混合信号电路电性能动态变化的捕捉与测量。 数量：1套 质量：设备符合国家标准及行业标准，为全新正品、未使用过，并且配备标准附件。设备到货后，根据合同和制造厂商的装箱单进行清点检查，如发现短缺、损坏或与合同约定的设备或型号不符，制造厂商负责免费补齐、更换。 服务：制造厂商提供免费的到货安装、调试。对后续使用中出现的技术问题提供电话、E-MAIL、上门支持等。 安全：制造厂商保证所提供的设备在调试、使用等经营活动中不会侵犯任何第三方的知识产权；若设备经由第三方法定计量系统检定后，认定不合格的， 制造厂商负责免费调换。 时限：设备安装验收完毕后，质保期为1年。在此期间，如出现非用户人为造成的质量问题，制造厂商负责免费维修或更换；制造厂商负责设备的终身售后服务和零配件供应。

366

2024年10月

59

三温全自动探针台

三温全自动探针台可实现12吋及8吋晶圆在-55℃~250℃任意温度条件下的全自动测试，确保芯片性能评估的准确性，为晶圆级芯片提供三温电性能参数自动化测试平台。 数量：1套 质量：设备符合国家标准及行业标准，为全新正品、未使用过，并且配备标准附件。设备到货后，根据合同和制造厂商的装箱单进行清点检查，如发现短缺、损坏或与合同约定的设备或型号不符，制造厂商负责免费补齐、更换。 服务：制造厂商提供免费的到货安装、调试。对后续使用中出现的技术问题提供电话、E-MAIL、上门支持等。 安全：制造厂商保证所提供的设备在调试、使用等经营活动中不会侵犯任何第三方的知识产权；若设备经由第三方法定计量系统检定后，认定不合格的， 制造厂商负责免费调换。 时限：设备安装验收完毕后，质保期为1年。在此期间，如出现非用户人为造成的质量问题，制造厂商负责免费维修或更换；制造厂商负责设备的终身售后服务和零配件供应。

151

2024年10月

60

超高温高加速寿命试验箱

具备施加高温应力、振动应力及复合应力的能力，可用于测试芯片在高温、强振动复合环境下工作的可靠性； 采购标的数量：1套； 采购要求： 1.主要指标：温度范围：-100℃~+250℃；温变速率：平均70℃/min，最高可达100℃/min；振动加速度：5~100Grms；台面尺寸：762×762mm； 2.质量：设备符合国家标准及行业标准，为全新正品、未使用过，并且配备标准附件；设备到货后，根据合同和制造厂商的装箱单进行清点检查，如发现短缺、损坏或与合同约定的设备或型号不符，制造厂商负责免费补齐、更换；设备安装验收完毕后，质保期为1年，在此期间，如出现非用户人为造成的质量问题，制造厂商负责免费维修或更换； 3.服务：提供免费的到货安装、调试和培训服务，对后续使用中出现的技术问题提供电话、E-MAIL、上门支持等； 4.安全：制造厂商保证所提供的设备在调试、使用等经营活动中不会侵犯任何第三方的知识产权；若设备经由第三方法定计量系统检定后，认定不合格的，制造厂商负责免费调换； 5.时限：收到预付款后6个月到货。

198

2024年10月