导读:近日,西安电子科技大学发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其中的仪器设备品目进行梳理,统计出71项仪器设备采购意向,预算总额达2.59亿元。
近日,西安电子科技大学71项仪器设备采购意向,预算总额达2.59亿元,涉及SAT超扫、X-Ray检测系统、集成电路自动塑封系统、便携式近红外脑功能成像装置、结构光超分辨显微成像系统等,预计采购时间为2024年10~2025年3月。
西安电子科技大学2024年10月~2025年3月仪器设备采购意向汇总表
序号 | 采购项目 | 需求概况 | 预算金额/万元 | 采购时间 |
1 | SAT超扫 | 1、具备A(点扫描)、B(纵向扫描)、C(横向扫描)、透射扫描(需配置透射扫描单元及接收探头选项)、多层扫描、Tray-托盘扫描,厚度测量等系列扫描模式。 2、具备定量测分析功能,以图像方式直观显示被测件内部缺陷的位置、形状和大小,并进行缺陷的尺寸和面积统计,自动计算缺陷占所测量面积的百分比;具备缺陷尺寸标识;厚度与测距等功能。 3、具备图像着色功能,可根据相位翻转自动着色;可根据灰度等级手动着色;可根据厚度变化,自动着色。 4、适用于单个器件的快速扫描分析,也可批量放置样品同步进行缺陷识别,快速筛选出不合格品。 | 190 | 2024年10月 |
2 | X-Ray检测系统 | 适用BGA、QFN、LED、半导体、铝铸件、线束等行业的无损检测。可测量铜线、金线的直径、冲丝率、空洞等,测量结果与真实值偏差<10%;支持编程全自动 X 射线检测等。软件自动检测;软件自动判定。 | 140 | 2024年10月 |
3 | 集成电路自动塑封系统 | 包含固晶、键合、塑封、冲胶、打标、切筋、测试等工序。其中:固晶适应:SOP/TSSOP/LQFP/QFN;键合:宽83mm,长300mm;塑封压机:45T;SOP8/QFN的MGP模具,SOP8切筋成型及冲胶等。 | 365 | 2024年10月 |
4 | BGA/SIP/IGBT Auto模块 | 1.合模和注胶采用交流伺服马达驱动;2、注胶具有8级速可切换功能;3、带有模具过热保护功能;4、合模保护功能,压机合模过程中当料片重叠或合模面有杂质时,具有检测报警和停止工作功能;5.合模位置和压力、注胶位置和压力、固化时间、I/O状态等动态显示功能;6、系统报警日志和注塑曲线记录保存;7、自动润滑系统,便于维护。其中,最大合模压力:180T;最大注射压力:4.2T;最大顶杆顶出力:3T;注射速度:0.1-20mm/s(8级可调);顶杆顶出系统:29.4 kN(四套模具+kit转换件)等。 | 300 | 2024年10月 |
5 | 半自动植球机 | 1、上料部分:可调式轨道,对应多种规格基本类型;自动储存上料系统;稳定的料盒夹持装置。2、铺球及植球部分:锡球料仓将锡球自动供入供球机构;植球时,植球单元进行X向补偿,基板承载台进行Y、θ向补偿。3、检测部分:检测到基板到位后基板停止;移动检测CCD,对植球后的基板进行检测。其中:基板尺寸范围:不小于80wx270L[mm];植球有效范围:不小于67Wx250L[mm];球径:0.15~1mm;球间距:0.3mm以上;位置精度:30μm;最大植球量:45000。 | 110 | 2024年10月 |
6 | 便携式近红外脑功能成像装置 | 便携式近红外脑功能成像装置一套,包括单主机非级联24/16发射/接收探头(提供63有效通道探测)、703nm短波长、自适应增益调整,无线、便捷,支持与不同品牌不同规格脑电EEG、tDCS、TMS连用,配备整机同品牌采集软件和科学研究分析软件(非第三方开源软件)。具备兼容性与可扩展性。 | 180 | 2024年10月 |
7 | 结构光超分辨显微成像系统 | 结构光超分辨显微成像系统一套,包括4波长固体激光器(405nm、488nm、561nm、640nm)、全自动荧光显微镜、电动荧光滤块切换、电动物镜切换、DIC模块电动切换、电动物镜调焦、科学级sCMOS相机及四通道成像分屏器、以及配套操作软件,具备多色成像四波长分屏器、TIRF-SIM/2D-SIM/3D-SIM/Hilo-SIM/Grid-confocal等多种超分辨模态,支持偏振SIM的解析,配置活细胞培养装置,具备数字混气功能,具备兼容性与可扩展性。 | 380 | 2024年10月 |
8 | 可见-近红外高光谱成像仪 | 可见-近红外高光谱成像仪一套,包括可见与近红外I区光谱与图像探测模块、近红外II区光谱与图像探测模块、以及配套操作软件,要求具备兼容性与可扩展性。 | 165 | 2024年10月 |
9 | X86服务器集群 | X86服务器集群一套。机架式,CPU支持主流新型硬件虚拟化技术;内存≥20TB,主流新型;硬盘存储≥0.5PB,主流新型;标准机柜,内部万兆光纤交换机连接。 完成整套设备的安装调试,并提供免费的3年上门服务和3年质保。 | 356 | 2024年10月 |
10 | 通信专业一体化实验教学系统 | 通信专业一体化实验教学系统1套,具有:USRP软件无线电平台;包括UHD\RENOC\Radio\LabView等功能;能够实现LTE4G通信系统、卫星通信、WIFI协议、Zigbeex协议、RFID协议等。 | 180 | 2024年11月 |
11 | 无人机专业一体化实验教学系统 | 无人机专业一体化实验教学系统1套,具有:基于模型的设计(MBD)开发流程;可支撑控制系统数学仿真实验、模拟软件飞行实验、台架实验、实物飞行实验,具备模型编译、下载、数据监视记录、后处理等完成的工具软件,能够帮助学生熟悉整套控制系统设计流程。 | 185 | 2024年12月 |
12 | 电子对抗专业一体化实验教学系统 | 电子对抗专业一体化实验教学系统1套,具有:特殊环境模拟、电磁环境模拟、通信网络模拟、训练支撑平台、红方/蓝方指挥作业分系统、环境多维态势显示分系统、导控评估分系统和训练资源及管理分系统等。 | 175 | 2024年12月 |
13 | 雷达专业一体化实验教学系统 | 雷达专业一体化实验教学系统,具有:信号处理通过对雷达回波信号的处理来发现目标和测定目标的坐标和速度等,形成目标点迹;系统主要含雷达信号处理及数据处理仿真软件、雷达信号处理与终端信息处理实验平台、示波器、频谱仪等;能够全流程演示和各节点测试、雷达中频测量、雷达电源测试、雷达数据处理流程过程演示、雷达波门、复杂电磁环境目标航迹起始、数据关联、跟踪滤波演示等实验,满足雷达专业教学实验要求。 | 185 | 2024年12月 |
14 | 混合电路测试系统 | 混合电路测试系统1套,具有:弹性CP连接结构;低噪声和高精度,可保证测试可靠性并降低重测数;电流可合并,实现高电流测试。 | 294 | 2024年11月 |
15 | 图形处理教学平台 | 高性能图形处理教学平台一批,以及设备配套的软件系统、存储系统、管理网络。图形处理教学平台,要求具备兼容性与可扩展性。 | 640 | 2024年10月 |
16 | 机房动环设备 | 建设机房动环设备将机房环境进行监测与管控,提供更加稳定可靠的机房环境。 | 208 | 2024年10月 |
17 | 网络安全设备 | 包括边界防护、Web智能防护、可信安全管理等网络安全相关防护设备。 | 502 | 2024年10月 |
18 | 车载网络安全攻防实验平台 | 采购车载网络安全攻防实验平台一套,包括可实现国产量产车型基本功能的车身台架、集中式汽车电子电器架构、攻防系统、VSOC、车联网安全实训模块以及显示大屏。 | 204 | 2024年11月 |
19 | 网络交换机 | 高性能计算网络交换机一批,以及配套的接入模块、线缆、软件系统,用于高性能计算服务器、AI计算服务器、分布式存储服务器间的高速互联,用于支撑全校AI算力和存储公共服务。 | 480 | 2024年10月 |
20 | 机房设备 | 建设机房基础设备、机房能源设备等,主要包括机房防雷及接地系统、机房新排风系统、机房消防系统、机房安防系统、供配电系统、机柜等机房设备 | 838 | 2024年10月 |
21 | 数据中心设备 | 主要包括网络设备、计算节点设备、存储节点设备等,主要包括数据中心核心网设备,服务器设备,配套存储设备等。 | 833 | 2024年10月 |
22 | 等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD) | 拟采购等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD),1台套。要求能够实现SiO2、SiN、SiON等介质薄膜的沉积,具有双频电源,具有工艺腔室和传送腔室,衬底尺寸要求8英寸向下兼容。质保时间1年。 | 360 | 2025年1月 |
23 | 数字孪生实验系统 | 通过升级改造现有实验室,建设8间多功能的数字化孪生实验室。实验室原有软硬件设备应能重复利用,并发访问规模≥500人;师生能通过校园网无线、快速、稳定的随时接入线上实验室环境;支持线上多空间切换、算力弹性分配,兼容当前教学软件及应用。支持实验对外开放与共享,对CPU、GPU、存储等资源应能动态监控,并对闲置资源进行集中管控,弹性调度,使其得以充分利用;兼容通用的X86服务器和主流国产软硬件设备;与建设单位共建2门示范性课程,引导师生用好实验资源。 | 660 | 2024年10月 |
24 | RISC-V处理器设计验证套件 | RISC-V处理器设计验证套件 10套 。每套包括1个SOC测试验证平台和5个处理器设计平台,以及配套的教学服务器、终端计算机和交换设备。 其中SoC测试验证平台基于Virtex UltraScale+ XCVU19P FPGA,DDR4存储器(不小于8GB),支持多平台级联和调试、不少于4路时钟输入输出、不少于6个高速SerDes接口、不少于20个子卡扩展接口(平台包含PCIe RC/EP、USB、SD eMMC51、GPIO、HDMI、DDR4、以太网等多种子卡),集成USB3.0、UART等接口。配套的原型验证工具,支持3种以上调试模式、波形调试、VCS编译、增量编译、功耗验证和动态Force功能,支持3种以上综合方式,支持基于RTL的时序驱动自动分割、支持RAM、ROM、DDR后门加载。 处理器设计平台基于ZYNQ UltraScale+ ZU19EG FPGA,PS端与PL端均外扩以太网接口、USB接口、UART串行接口、DDR4存储器(PS和PL端DDR均不小于4GB)、Flash 存储器(PS端不小于2Gbit,PL端不小于256Mbit)以及SD卡槽;PL提供音视频输入输出接口、数码管、按键、拨动开关、PCIe 3.0、NVME SSD接口、LCD触摸屏和摄像头接口。 | 1200 | 2024年11月 |
25 | 具身智能群智协同实验平台 | 具身智能机器人实验平台包含具身智能移动机器人子系统与3D场景智能理解与交互子系统,共采购10套,总预算500万元。具身智能机器人具有场景理解、开放任务决策与执行、人机交互、场景回答与寻物等功能。采购设备需提供源码。下面详细罗列两个系统的功能模块: 具身智能移动机器人子系统包括:(1)具身智能移动机器人AGV底盘;SLAM导航开发模块;边缘智能算力平台;视觉及深度算法开发模块;具身任务决策执行与边缘控制模块;存储、交互与信息传输模块。 3D场景智能理解与交互子系统包括:(1)场景视觉感知与认知模块(2)多视图场景输入模块;(3)语音输入输出模块;(3)网络通信模块;(4)场景显示模块;(5)虚拟显示模块。 | 500 | 2024年10月 |
26 | 三维集成样品用芯片及配套元件 | 1. DSP、FPGA、滤波器等芯片及配套元件; 2. 数量各类20-50只; 3. 质量等级工业级及以上; 4.适用温度范围-45~+85℃。 | 497 | 2024年9月 |
27 | 密码技术应用实验平台 | 包含密钥封装、密钥交换、全同态加密、公钥密码、商用密码应用、物联网与工业互联网密码应用、身份认证管理密码应用、云计算密码应用等。 | 442 | 2024年12月 |
28 | 数字化透视摄影 X射线机 | 采购数字化透视摄影X射线机1台。要求产品具有透视和摄影功能,主要用于胸部、腹部、骨与软组织等全身摄影,胃肠造影等各种造影检查,以及开展相关的科学研究。 主要模块及部分参数: 1.动态数字探测器 ①探测器类型:动态平板探测器 ②视野范围:≥17x17英寸 ③摄影像素:≥900万 ④透视最大像素:≥200万 2.高频高压发生器(非连续式高压发生器) ① 最大输出功率:≥50kW ② 摄影最大管电压:≥150kV 3.X射线管组件 ① 焦点:小焦0.6X0.6mm、大焦1.2X1.2mm ② 最高输出电压:150kV ③ 球管热容量:≥320kHU 4.其他 在满足所有常规拍片的同时,还需具备动态模式下大幅面成像,高速实时高清点片,满足数字胃肠造影、输卵管造影、肾盂造影等造影功能,同时动态模式下高清点片,为精准诊断提供有力保障。 | 130 | 2024年10月 |
29 | CT机(计算机断层扫描系统) | 采购计算机断层扫描系统(多层螺旋64排CT)1台。CT检查因其分辨率高,可断层扫描,可三维后处理等优势可以用于发现普通平片无法发现的病灶,尤其是病灶直径小于1公分的肺部肿瘤等。购置64排CT能有效提高医疗服务水平,保障临床工作的持续、稳定、合理分流、质量精准,同时也能用于科学研究,提升师生就医获得感。 该机型需具备高心脏冠脉扫描,集成化探测器及低剂量下的高清图像扫描功能,能满足全身各部位的CT断层扫描要求。 主要技术性能参数有: 1.X线球管及高压发生器为双焦点球管, 2.球管阳极物理热容量为7MHU以上 3.阳极散热率为1000KHU/MIN以上 4.机架孔径70cm以上;机架转速不低于0.4s/360°; 5.在满足所有常规扫描的同时,具备低剂量扫描的处理功能,有效降低辐射剂量,满足大批量职工体检需求,为精准诊断提供有力保障。 6.配备原厂后处理软件,具备肺结节、冠脉、血管分析软件。 7.具备超高分辨率,智能低剂量扫描。 | 580 | 2024年10月 |
30 | GPU服务器 | GPU服务器一批,以及设备配套的软硬件系统,GPU服务器要求具有兼容性与可扩展性,能够为教学、科研、学生管理等工作提供AI能力和存储保障。 | 1543 | 2024年10月 |
31 | 高速电路全参数测试系统 | 矢量网络分析仪、射频开关矩阵、源测量单元、PXI机箱、自动测试软件等。 1.测试频率范围:10MHz~67GHz; 2.功率扫描范围:35dB(10MHz~67GHz); 3.系统动态范围:≥100dB(50MHz~67GHz); 4.射频通道数:≥16; 5.射频通道隔离度:≥50dB; 6.电路测量分辨率:30pA。 | 369 | 2024年10月 |
32 | 射频集成片上天线测试系统 | "M9384B信号发生器+N7631APPC 5G NR信号生成软件,频率高达44GHz,调制带宽2GHz。 TMYTEK BBox 5G波束成形器,频率:26.5~29.5GHz;射频通道4×4;单通道相移范围360度;单通道Tx/Rx增益:8~10dB/0~2dB;系统Tx/Rx增益不低于38dB/30dB;光束转向范围(水平/垂直)均为±45度;发射EIRP不低于40dBm。 | 284 | 2024年10月 |
33 | 宽带射频T/R芯粒 | 宽带射频T/R芯粒,170只,单只芯片4路T/R,提供1年质保。 | 420 | 2024年12月 |
34 | 采样示波器 | 通过不同的滤波器选件配置,支持NRZ/PAM4信号测试,带宽≥70GHz,本底噪声≤1.2mV (rms),转换时间(10%-90%)≤5ps。 | 112 | 2025年3月 |
35 | 综合光学成像系统 | 综合成像系统包含:高速激光光源模块、光学诊断模块、成像模块等。 1. 高速激光光源模块:1064/532双波长输出;能量≥400mj@1064;重频:≥100Hz 2. 光学诊断模块:可提供1.5mj~3J的光束能量测量,波长范围266~2100nm,响应频率≥300Hz; 可提供光束轮廓分析,像素间距≤5μm,像素数量≥2048*1024,满足连续及脉冲两种工作方式; 3. 成像模块:结构光成像模组:近红外相机,量子效率≥80%;结构光阵列:分辨率:1920×1080,1-8灰度等级可设置;油浸物镜倍数60×,NA=1.42;光声成像模组:提供线性/环形超声阵列256单元,中心频率5MHz/10MHz,带宽≥80%; OCT成像模组:成像速度:≥20 kHz;成像深度:~2 mm;灵敏度:≥100 dB;轴向分辨率a:≤ 10 um;横向分辨率b:≤ 10 um。 | 236 | 2024年11月 |
36 | 离子注入机 | 能量 :400kev(1价)、700keV(2价)、1050keV(3价);最高温度500℃;装载方式为ESC,能够搭载高温静电卡盘、常温静电卡盘两种。 | 1910 | 2024年11月 |
37 | 8英寸深孔刻蚀设备 | 带Bosch工艺;刻蚀深宽比大于30;6寸/8寸两套压环。 | 520 | 2024年11月 |
38 | 非接触方阻测试设备 | 可测产品尺寸包括2~8inch; 1.2测量方式:非接触式、无损伤测量,不需要裂片、制备电极等任何处理,测试结束片子可以正常进行后续工艺流程; 1.3 测试速度:方阻测试(55点Mapping)≤5min/pcs; 1.4电阻率测试范围:0.035~3200ohm/sq; 1.5方阻测试重复性:≤1.0%;线性度±4%; 1.6系统具备自动温度记录,实现温度补偿;温度测量精度±0.4℃,温度测量重复性在±0.4℃范围内。 1.7设备配置: 1.7.1 线圈直径:14mm; 1.7.2 Gap范围:1mm~2.25mm; 1.7.3手动上下片;测试速度约45片/小时(9点)。 *1.7.4设备具备后期升级的端口,能够增加机械手臂、转平边器等,实现自动化上下片。 | 147 | 2025年3月 |
39 | CMP化学机械抛光机 | 1. 可兼容6寸和8寸样品的CMP工艺,并至少配置6英寸和8英寸研磨头各1个; 2. 抛光头最高转速不低于150 rpm,整理器转速不低于150 rpm;抛光液流速满足50-500 mL/min;整理器下压力满足2- 15 lbs; 3. 配置晶圆位置检测器和漏液检测装置; 4. 6/8英寸衬底上SiO2的抛光片内非均匀性≤5%、片间非均匀性≤3%、表面粗糙度≤0.5nm; 5.抛光速度不低于250nm/min。 | 500 | 2025年3月 |
40 | 点胶机 | 主要技术指标:(1)设备具有各类芯片底部填胶、BGA芯片底部填充等功能;(2)XY轴定位精度≤80um;(3)XY轴重复精度≤±10um;(4)Z轴行程≥75mm;(5)XY轴移动最大速度≥1000mm/s;(6)基板最大长度≥400mm;(7)最大点胶范围:300*300mm。 | 100 | 2024年11月 |
41 | 8英寸SiC外延设备 | 可进行N、P外延生长;反应室设计的最高温度超过1750℃,温度控制精度±0.5℃;工艺控压范围50-300mbar(150 slm H2)。 | 800 | 2024年11月 |
42 | 高速串行误码仪 | 1.速率支持宽于1.25Gbps-60Gbps,NRZ连续可调;PAM4支持数据率25G-30Gbaud,50G-60Gbaud速率段,连续可调; 2.单台误码仪码型产生器通道数≥4个 3.单台误码仪误码检测通道数≥4个; 4.码型发生器差分输出幅度范围宽于400mV~1V。 | 150 | 2024年11月 |
43 | 示波器 | 1.模拟带宽:全通道13GHz 2.通道数:4模拟通道+EXT 3.最大模拟通道采样率:全通道打开时,每通道40GSa/s(总采样率160 GSa/s) 4.最大存储深度:每通道存储深度最高4Gpts 5.最高波形捕获率:>250,000wfms/s 6.垂直分辨率:8~16bit可调垂直分辨率 7.典型上升下降时间:≤35 ps 8.峰值检测:100 ps 的毛刺 9.时基范围:20 ps/div~1 ks/div 10.探头:标配1根7GHz有源差分探头 信号分析功能:支持眼图、抖动分析功能。 | 107 | 2024年11月 |
44 | 半导体参数分析仪 | 系统具备低频噪声测试能力,本底噪声可达到2e-28A2/Hz,测试带宽可达到0.1Hz-100kHz;配置6个SMU单元:SMU最大电压200V,最大电流1A,电流精度30fA,直流功率20W,脉冲功率不低于400W;配置1个CV单元:CV单元偏置电压±40V,频率范围20Hz~10MHz;配置2组短脉冲测试单元,共4个短脉冲测试通道,最大电压10V,最大电流10mA,最小脉冲宽度130ns,最小采样时间10ns。 | 170 | 2025年3月 |
45 | 真空烧结炉 | 主要技术指标:(1)加热板面积不小于300 mm×300 mm,最大样品高度100mm;(2)设备采用红外石英灯阵列加热,最高工作温度不低于450℃;(3)加热板温度均匀性≤2%;(4)空洞率低于6%;(5)配备抗化学腐蚀无油干泵1台,真空度优于0.1mbar;(6)设备最快升温速率不低于180℃/分钟,最快降温速率不低于90℃/分钟;(7)工艺气体可采用氮气和甲酸气体(HCOOH),配备甲酸模块。 | 200 | 2025年3月 |
46 | 1.辐照面积:≥1000*1000mm(4台并机)* 2.照度:600-1200w/m2,连续可调*,且不影响均匀性。 3.使用距离:≥800mm;* 4.辐照均匀性:≥85%;* 5.光谱匹配度 A级(IEC 60904-9)及以上* 6.光谱匹配度波长:300-1200nm* 7.每台光源均光器件由不小于25块石英透镜组成* 8.时间不稳定性:≤2%* 9.光源类型:氙灯 参数中4,5,8三项需出具有CNAS认证的第三方检测报告。 | 110 | 2024年11月 | |
47 | 超声波扫描 | 主要技术指标:(1)具备多频率超声发射头,可解析厚度大的样品同时提供高分辨率解析应用,至少配备30MHz、100MHz频率范围头;(2)X/Y轴分辨率优于0.5um;(3)Z轴分辨率优于1um,图像分辨率可调;(4)X轴有效扫描速度最快优于1000mm/s,扫描速度可调;(5)有效扫描范围300mm×300mm;(6)Z轴移动范围350mm。 | 142 | 2024年11月 |
48 | 激光植球机 | 主要技术指标:(1)X,Y轴运动范围:500mm × 500mm;(2)X,Y轴重复精度:+/-5um;(3)工作区域:320mm × 320mm;(4)微球PITCH:≥60um;(5)植球效率:max6颗/S;(6)植球球径:50μm-200um;(7)焊接材料范围:SnPb,SnAg,SnAgCu,AuSn,InSn,SnBi等;(8)支持锡球存储。 | 205 | 2025年3月 |
49 | 晶圆键合机 | 最大支持8英寸(200mm)晶圆;支持从单芯片键合到晶圆键合;最大键合压力:60KN。 | 480 | 2025年3月 |
50 | 光刻机升级改造 | 曝光晶圆尺寸达到8寸;8寸晶圆曝光精度≤0.18μm;套刻精度≤30nm。 | 400 | 2024年11月 |
51 | 毫米波宽带矢量信号源 | 指标:频率范围6kHz~67GHz内调制带宽≥2GHz,相位噪声≤–140dBc/Hz (1 GHz载波10kHz频偏)及 ≤–128dBc/Hz (10 GHz载波10kHz频偏);支持矢量调制,任意波调制。 数量:1台。 质量、服务、安全、时限等要求:质保三年。 | 130 | 2024年11月 |
52 | 等离子表面激活 | 最大可适用于12寸(300mm)晶圆;无需湿法处理;高度材料兼容性。 | 100 | 2025年3月 |
53 | 分拣机 | 主要技术指标:(1)实现晶圆上芯片单粒的光学检测,对外观进行判定,能对不良品和良品芯片进行准确判别,能将芯片从蓝膜转移到不同载体,如Wafer Packs、Gel-Pak、基板等;(2)可处理6英寸、8英寸晶圆;(3)拾取芯片尺寸范围最小0.15mm×0.15mm;(4)UPH:500-1200;(5)支持Wafer台尺寸:≥8英寸,支持GaAs、GaN、SiC、Si晶圆,支持脆弱芯片和长芯片恒力取放,支持多种载具(蓝膜、芯片盒等)。 | 100 | 2025年3月 |
54 | 50GHz-1.1THz信号源扩频模块 | 指标:倍频源模块:50-75GHz频段内输出功率≥5dBm,75-110GHz频段内输出功率≥10dBm,110-170GHz频段内输出功率≥2dBm,170-220GHz频段内输出功率≥-7dBm,220-325GHz频段内输出功率≥-8dBm,325-500GHz频段内输出功率≥-18dBm,500-750GHz频段内输出功率≥-25dBm,750-1100GHz频段内输出功率≥-33dBm. 数量:1台。 质量、服务、安全、时限等要求:质保三年。 | 200 | 2024年11月 |
55 | 晶圆级电性参数测试系统 | 主要技术指标:1、设备可实现8英寸、6英寸及4英寸晶圆的自动化在片测试:开关、移相器/衰减器、低噪声放大器、功率放大器、混频器、T/R 芯片,实现各类功能参数和电性能指标测试;2、软件功能:支持开关、移相器、低噪声放大器、功率放大器、混频器、T/R芯片等产品的各项指标测试。可以支持多种控制方式、仪器自检、生成测试报告,实现各类功能参数和电性能指标自动化采集、存取;3、系统指标:(1)射频频率范围: 10MHz~50GHz;(2)接收机0.1dB压缩点典型值:≥+13dBm(10MHz~50GHz);(3)驱放范围:频率1-40GHz,功率2W;(4)数字万用表可直接被矢网控制进行触发和数据采集,六位半分辨率,最低可采集至1μA电流;(5)电源单通道覆盖32V/10A,四通道,可以串联或并联使用;(6)各类功能参数和电性能指标测试及自动化采集、存取;4、三温测试能力:-55~125℃。 | 320 | 2025年3月 |
56 | 毫米波高分析带宽频谱仪 | 指标:频率范围6kHz~67GHz内最大分析带宽≥4GHz(内置);1GHz和10kHz频偏处相位噪声-135dBc/Hz;具备模拟调制信号、常见矢量信号、自定义IQ信号、脉冲调制信号的解调分析能力。 数量:1台。 质量、服务、安全、时限等要求:质保三年。 | 180 | 2024年11月 |
57 | 三轴带温箱位置速率转台 | 1、负载重量:≥60kg; 2、负载尺寸:450mm×450mm×450mm; 3、导电滑环:60环; 4、定位精度:≤±5″; 5、控制分辨率:0.0001°; 6、重复性:≤±2″; 7、内框最大速率:1200°/s; 8、速度分辨率:0.001°/s; 9、内框最大角加速度:500°/s2; 10、温度控制范围:-60℃~+145℃; 11、升降温速率:2°C/min(全程平均)。 | 198 | 2025年3月 |
58 | 50GHz-1.1THz频谱仪扩频模块 | 指标:频谱仪扩频模块:50-75GHz频段内变频损耗最大值18dB,75-110GHz频段内变频损耗最大值12dB,110-170GHz频段内变频损耗最大值26dB,140-220GHz频段内变频损耗最大值32dB;220-325GHz频段内变频损耗最大值20dB,325-500GHz频段内变频损耗最大值44dB,500-750GHz频段内变频损耗最大值30dB,750-1100GHz频段内变频损耗最大值45dB。 数量:1台。 质量、服务、安全、时限等要求:质保三年。 | 200 | 2024年11月 |
59 | 红外傅里叶膜厚测量系统 | 光源: 稳定的红外辐射源。 干涉仪: 全自动傅立叶变换仪,高精度光学元件。 波数范围: 通常覆盖4000 cm?1至400 cm?1。 分辨率: 可调节,通常可达0.5 cm?1。 样品室: 多样品室选项,适用于液体、固体和气体样品。 探测器: 高灵敏度探测器,例如DTGS(Deuterated Triglycine Sulfate)探测器。 数据采集速度: 快速数据采集,通常几秒至几分钟不等。 软件: 强大的数据处理和分析软件,支持化学谱学应用。 | 488 | 2025年3月 |
60 | 全自动倒装焊 | 主要技术指标:(1)设备具有环氧、共品、倒装等应用功能;(2)贴装精度:≤2μm,配备一套精度校准工具;(3)支持芯片尺寸范围:0.2mmx0.2mm~50mmx50mm;(4)X、Y 行程/分辨率:X向≥300mm,Y向≥150mm,分辨率≤0.1μm;(5)Z轴行程及精度:行程≥10mm,分辨率≤0.2μm;(6)配置基板加热模块,加热面积50x50mm,最高设定温度:400℃,升温最高设定速率:25℃/s,支持强制风冷;(7)配备惰性气体保护腔体,自动控制气体通断,气体流量范围1~10NL/min。 | 450 | 2024年11月 |
61 | 模拟异构硬件仿真加速设备 | 1)千万量级器件规模,具有100%的SPICE精度,仿真速度比传统SPICE仿真工具有大幅提升; 2)CPU/GPU并行仿真技术,保持较好的线性加速比,对基于CPU的商用并行SPICE仿真器能够达到10倍加速比 3)独有的多核并行仿真技术(Accelerated Multi-Block-Parallel,简称AMP),保持较好的线性加速比; 4)兼容多种业界常用的SPICE网表格式、常用模型以及分析类型,支持硬件描述语言Verilog-A; 5)兼容多种主流波形存储格式,并支持波形压缩和分割存储; 6)先进的矩阵求解方案,集成超过10种的矩阵求解方法,确保各种类型电路的稳定的收敛性,并且最大限度的节省矩阵求解时间; 7)独有的精度无损的智能矩阵求解器,保持物理拓扑结构,使超大规模后仿电路的仿真成为可能,增强设计的可靠性; 8)支持Monte-Carlo分析、快速Monte-Carlo分析、Transient Noise分析等; 9)独有的电路失效分析工具,提高电路设计的可靠性; 10)独有的加密工具,保护您的知识产权; 11)支持模拟电路的自动参数优化功能,提高电路设计效率; 12)完善的电路自动静态和动态检查,帮助发现电路潜在的设计问题; 13)支持Save/Recover断点续仿功能; 14)无缝集成到主流IC设计平台和主流IC分析优化工具;提供定制化服务。 15)核心算法为基于V100 32GB GPU的智能矩阵求解方法,能够调用4个以上GPU进行仿真加速,相较于6226R@2.9GHZ CPU服务器的Hspice / Spectre仿真加速快50%以上; 16)支持5千万器件量级的仿真容量,满足5千万器件量级电路的后仿应用场景; 17)支持的最先进工艺,其特征尺寸覆盖14nm-7nm等先进FinFET工艺节点; 兼容标准spectre和spice网表语法和模型; 为支撑先进大规模模拟集成电路设计和混合信号多芯粒协同设计,采购基于GPU架构的模拟电路异构硬件仿真加速设备,并搭载支撑模拟集成电路设计工具的加速软件的永久许可证,享受免费的软件升级和更新服务。 | 350 | 2024年11月 |
62 | 高性能计算集群 | 针对先进模拟电路设计的大算力和储存集群,同时集群具有可搭载模拟异构硬件仿真加速设备能力。采购包含高性能计算集群设备20台、大容量存储设备、多端口并行访问管理设备和集群管理软件,享受免费的软件使用、升级和更新服务。4U机架服务器,国产自研品牌,非OEM贴牌,,非刀片或高密度服务器产品,适用于通用机房环境,支持标准机柜,配置导轨; 处理器:每个节点配置≥2个intel 8358处理器;单颗处理器要求:主频≥2.6GHz,核数≥32; 配置≥1024GB 3200MHz DDR4内存;最大支持32个内存插槽; 配置≥2*480G SSD盘,支持SAS/SATA/U.2(NVMe)接口,支持SATA总线的M.2 SSD硬盘,支持E1.s SSD,支持硬盘热拔插; 配置RAID卡,RAID控制卡支持RAID 0/1/5/6; 配置≥4块NVIDIA L20 PCIe GPU卡等技术需求。 支持整机原厂3年质保服务,含设备上架、系统安装调试服务。 | 550 | 2024年11月 |
63 | 光波元件分析仪 | 可完成高速电光/光电/光光/电电芯片及器件的频率响应参数测试,是解决新型光电混合芯片的先进测量仪器,该仪器可实现测试频率范围覆盖10MHz~67GHz,测试中心波长1310nm和1550nm,光接收波长范围覆盖1290nm~1610nm,相对频率响应精度为±2.2dB,完全满足当前针对当前光通信主要波段芯片的测试需求。 | 320 | 2024年11月 |
64 | 非接触霍尔测试系统 | 对材料载流子浓度和迁移率进行无损检测;迁移率测试范围:100cm2/V?s-20000cm2/V?s;载流子面密度测试范围:1×1011-1×1014 cm-2;样品尺寸:4英寸-8英寸。 | 580 | 2024年11月 |
65 | 压电力显微镜 | 用于铁电材料中铁电畴极化反转表征,满足: 1. 扫描器 (1)平板扫描器,三轴分离技术 (2)扫描范围:XY≥120μm,闭环传感器噪音< 0.6 nm (ADev, 0.1-1kHz) 2. 扫描头:Z方向扫描范围≥15 um,闭环传感器噪音<0.25 nm (ADev, 0.1-1kHz) 3. 检测器:直流激光探测器噪音<15 pm;系统高度噪音<50 pm 4. 样品台:样品台尺寸为最大直径80 mm,可测样品厚度:最大10 mm 5. 高压模块:可输出±220V高压信号,用于铁电材料的面内面外畴的测量和翻转等电极化调控 6. 导电模块:电流分辨率1pA ,可测电流范围1pA到20nA,用于测量才表面导电性质等 7. 控制器:双频锁相放大器,一个输出频率在10MHz的双频率频率合成器,数字调Q范围:2kHz-2MHz; 8. 双频共振压电力显微镜模式:双频共振频率差>5kHz,双频共振频率>30kHz; 9. 光学辅助成像系统:物镜不低于10倍,光学成像范围不低于700*700μm2. 10. 隔音设备:被动式隔振台和落地隔音罩。 | 175 | 2024年11月 |
66 | 高温磁控溅射系统PVD | 1. 方箱型304不锈钢腔; 2. 腔室的极限压强可达5 ×10-7 Torr以下; 3. 腔室具备不少于5支溅射靶枪,靶材尺寸为3英寸,其中1个为强磁靶; 4. 靶枪最低工作压强可达0.7mTorr; 5. 配置一台功率为1000W的直流电源;一台功率为1500W的直流电源;一台功率为2000W的脉冲直流电源,脉冲频率2-100kHz可调;两台功率为300W的RF电源,带有自动匹配器和控制器; 6. 最大可沉积样品直径达到6英寸(150mm),沉积样品尺寸可向下兼容; 7. 样品台兼容加热功能,衬底温度从室温到800℃可调; 8. 电机控制基片原位自转,转速0-20 rpm内可调; 9. 具有进样室,进样室可传输样品直径达到6英寸(150mm),进样尺寸可向下兼容; 10. 具有计算机控制系统,可通过程序控制系统状态。 11. 具有安全互锁装置。 12. 镀膜片内厚度均匀性指标:3英寸靶枪在6英寸硅片镀制150nm以上的金属薄膜,均匀性不大于+5%;均匀性采样方法为从基片中心到基片边缘每隔0.5英寸取一个测量点(去掉5mm边缘),使用台阶仪对每个点测量三次,取平均值,均匀性计算公式:±均匀性=((最大–最小) / (2 × 平均))× 100%; 13. 镀膜批次间厚度均匀性:3英寸靶枪在6英寸硅片镀制150nm以上的金属薄膜,连续镀3个批次样品,批次间厚度均匀性不大于+5%。 | 400 | 2024年11月 |
67 | 少子寿命测试仪 | 时间分辨率: 小于1微秒(μs); 灵敏度: 能够测量极低浓度的载流子,检测范围达到纳秒级别; 波长范围: 适用于可见光和红外光谱范围,覆盖多种波长的光源; 样品适应性: 适用于不同类型的半导体材料和光电子器件; 自动化和数据处理: 具备自动进样、实验控制和数据分析功能,提供用户友好的操作界面。 具备温度控制系统。 | 175 | 2024年11月 |
68 | 一体化半导体测试平台 | 1、含不低于2通道的SMU,电压范围±10V,电压输出分辨率不低于170uV,电压输出精度333uV,电压测量分辨率不低于10uV,电压测量精度50uV,电流测量分辨率0.1nA,电流测量精度1nA; 2、LCR测试功能,最大精度不低于0.02%,频率范围1kHz-2097kHz,电阻测量范围0.1Ω - 1MΩ,电容测量范围0.1pF - 1mF,电感测量范围10nH - 100H; 3、含2通道示波器,不低于100MHz带宽、1GS/s采样率、分辨率8bits; 4、任意波形发生器功能,频率20MHz,分辨率14bits; 5、数字万用表功能,分辨率不低于5?,最大电压300V; 6、可编程直流电源功能,电压范围6V/±25V,最大电流1A; 7、内置高性能处理器,预装Win10操作系统,搭载13.3寸触控屏幕; 8、具备数字示教功能,支持实验对应的教学知识点原理动画或视频展示以及实验原理、实验操作及结果记录等指导图文展示; 9、支持互联网远程访问和控制,学生实验过程记录及评价; 10、配套专用半导体参数测试软件,提供可自由配置仪器参数功能的软面板,支持测量曲线和参数数据的完整展示和查看; 11、支持LabVIEW、C和Python开发。 | 180 | 2024年11月 |
69 | 极窄脉冲直流测试系统 | 主要技术指标:(1)栅极脉冲头:±20V,100mA,功率1W。支持预置脉冲状态(三状态脉冲)功能;(2)栅极脉冲头:空载最小上升/下降时间:≤40ns;(3)栅极脉冲头:空载最小脉冲宽度:≤200ns;(4)漏极脉冲头:200V,脉冲电流不小于2A,功率不小于20W。支持预置脉冲状态(三状态脉冲)功能;(5)漏极脉冲头:空载最小上升/下降时间:≤40ns;(6)漏极脉冲头:空载最小脉冲宽度:≤250ns;(7)漏极最大误差:≤0.1%;(8)系统支持双脉冲PIV测试功能,支持脉冲S参数测试功能;(9)配合负载牵引系统,可以支持动态负载线测量和测试结果的大信号行为级模型建模,模型可以在ADS里面进行仿真;(10)支持DC脉冲负载牵引测试;(11)脉冲头可以根据需要,后续选配不同规格。 | 200 | 2024年11月 |
70 | 超宽带噪声参数测试系统 | 主要技术指标:(1)最高50GHz阻抗调谐器;(2)阻抗调谐器支持50GHz射频探针直连;(3)配置定制化针座用于固定并移动阻抗调谐器;(4)配置50GHz的噪声输入输出模块以及控制模块,支持50GHz的噪声参数测试;(5)自动化噪声提取软件:(a)能控制设备完成自动化校准和测量;(b)具有去嵌入的功能;(c)支持多种噪声参数提取算法;(d)支持多偏置噪声参数自动测试;(e)校准流程清晰;(6)配置6寸半自动探针台:(a)载物台尺寸:6英寸;(b)Chuck XY轴行程:不小于150*150mm;(c)XY轴分辨率:≤5μm;(d)Z轴可调范围:≥10mm;(e)Theta轴:≥±66°;(f)配置CCD,像素≥200W;(g)配置防震台和空压机;(h)配置50GHz GSG,150微米射频探针两根及校准件。 | 236 | 2024年11月 |
71 | 高性能多通道超声研究平台 | 高性能多通道超声研究平台一套,包括256发射通道/256接收通道数据采集系统主机,光纤PCIExpress连接电缆,通用换能器适配接口,预装PCIE适配卡的性能主机控制器。具体指标包括:发射频率范围:0.25MHz至24MHz;时间延迟分辨率:2.0ns;可编程脉冲发生器幅值:1.6V至192V峰峰值;每通道可独立控制。接收频率范围:0.25MHz至60MHz;16位A/D模数转换器;最高125MHz采样率;拥有可编程多速率RF射频数据数字滤波器组,最多达2048个抽头;数据采集至本地内存(受限于超声传播时间):最高达100,000帧/秒;至少256MB内存/通道;额外40dB/每通道前置放大器(仅光声),总计128通道;额外前置放大器-6dB带宽:40KHz至35MHz;128线阵换能器。 | 195 | 2024年11月 |
来源于:仪器信息网
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