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◆PLMapping测量
◆多种激光器可选
◆Mapping扫描速度：优于20点/秒
◆空间分辨率：10um（物镜），50um（透镜）
◆光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm
◆Mapping结果以3D方式显示
◆最大8吋的样品测量
◆晶片精确定位
◆样品真空吸附
◆可做低温测量
◆膜厚测量
测试原理：
PL是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。
操作简便、全电脑控制
PMEye-3000系列PL Mapping测量仪，是一款适合于半导体晶片和LED外延片科研、生产和质量控制环节的仪器；采用整机设计，用户只需要根据需要放置合适的检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。
全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，防止对样品的损伤；可对常规尺寸的晶圆样品进行精确定位，提高测量重复性。
系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。
荧光测量
一般的PL测量仪只是测量荧光的波长和强度。PMEye-3000系列增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对荧光测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差，也使测量结果有可比性。
Mapping功能
PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y电控位移台，最大可测量8英寸的晶圆样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域及空间分辨率，扫描速度优于每秒20个点，空间分辨率可达10um（物镜），50um（透镜）。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。
激光器
PMEye-3000系列有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个激光器。用户可以根据测量对象来配置不同的激光器，使PL检测更加灵活。
PMEye-3000系列可内置的激光器波长有：266nm，405nm，442nm，532nm、785nm等，外置激光器波长有：325nm，632.8nm等。
功能强大的软件
我们具有多年的测量仪器操作软件的开发经验，熟悉用户的操作习惯，这使我们开发的这套PMEye-3000系列操作软件功能强大且操作简便。
PMEye-3000系列操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量及显示，mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。
低温样品室附件
该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。
有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。
如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎含盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。
GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。
性能及功能
| 扫描模式 | 单波长mapping |
| 摄谱模式 | 峰值波长mapping；给定波长范围的积分 |
| 光源 |
405nm激光（标配） 150W溴钨灯（可选，用于膜厚测量） |
| 光源调制 | 斩波器 |
| 光谱仪 | 三光栅DSP扫描光谱仪 |
| 光谱仪焦距 | 500mm（标配） |
| 波长准确度 |
±0.2nm（1200g/mm，300nm） ±0.6nm（600g/mm，500nm） ±0.8nm（300g/mm，1250nm） |
| 探测器 | Si探测器，波长范围：200～1100nm （标配） |
| 数据采集设备 |
带前置放大器的数字采集器DCS300PA 锁相放大器SR830 |
| 二维位移平台 | 行程200*200mm，重复定位精度<3μm |
| 样品台 | 具有真空吸附功能，对主流的3’’,4’’,5’’,6’’，8’’的晶片可进行精确定位 |
| Mapping扫描速度 | 优于20点/秒 |
| Mapping位移步长 | 最小可到1um |
| 空间分辨率 | 10um（物镜方式），50um（透镜方式） |
| 重复定位精度 | <3μm |
探测器选择
| 探测器类型 | 光谱响应范围 |
| R1527光电倍增管 | 200～680nm |
| CR131光电倍增管 | 200～900nm |
| DSi300硅光电探测器 | 200～1100nm |
| DInGaAs1700常温型铟镓砷探测器 | 800～1700nm |
| DInGaAs1900制冷型铟镓砷探测器 | 800～1900nm |
| DinGaAs2200制冷型铟镓砷探测器 | 800～2200nm |
| DinGaAs2600制冷型铟镓砷探测器 | 800～2600nm |
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