Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。
磷化镓光电二极管－紫外波长
 Zoom
超短波长范围（150至550纳米）
快速上升时间
安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围
(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)
時間a噪音等效功率
(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71
150 - 550
4.8 mm2
(2.5 mm x 2.5 mm)
-
1 ns (140 ns)
@ 5 V
1.0 x 10-14
@ 440 nm
10 nA (最大)
@ 5 V
-
a) 典型值 RL＝50欧姆
b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。 |
| 硅光电二极管－可见光波长 |
| ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围
(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）
时间aNEP
(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02
400 - 1100
0.25 mm
TO-46
FC/PC Connector
47 ps (246 ps)
@ -5 V
9.3 x 10-15
35 pAd
@ 5 V
0.94 pF
@ 5 VFDS010
200 - 1100
0.81 mm2
(Ø1 mm)
TO-5/PIN
@ 20 V
5.0 x 10-14
@ 900 nm
2.5 nA
10 pF
@ 0 VFDS100
350 - 1100
13 mm2
(3.6 mm x 3.6 mm)
TO-5/PIN
10 ns (10 ns)
@ 20 V
1.2 x 10-14
@ 900 nm
20 nA
20 pF
@ 1VFDS1010
400 - 1100
100 mm2
(9.7 mm x 9.7 mm)
Ceramic Wafer
45 ns (45 ns)
@ 5 V
5.5 x 10-13
@ 900 nm
0.6 µA
@ 5V
375 pF
@ 5V
a) 典型値. RL = 50 欧姆
b) 详细引脚配置请参看专门规格表
d) 最大500 pA |
| 铟镓砷光电二极管—近红外到红外波长 |
| ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP
(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c
800 - 1800
0.008 mm2
(Ø0.1 mm)
TO-46 w/
FC/PC Connector
100 ps (100 ps)
@ 5 V
1.5 x 10-15
@ 1550 nm
0.5 nA
@ 5 V
1.0 pF @ 5 VFGA10
700 - 1800
0.81 mm2
(Ø1 mm)
TO-5/PIN
10 ns (10 ns)
@ 5 V
2.5 x 10-14
@ 900 nm
100 nA
@ 5 V (max)
80 pF @ 0 VFGA20
1200 - 2600
0.79 mm2
(Ø1 mm)
TO-18/PIN
23 ns (23 ns)
@ 1 V
2.0 x 10-12
75 µA
@ 1 V (max)
200 pF @ 1 VFGA21
800 - 1800
3.14 mm2
(Ø2 mm)
TO-5/PIN
66 ns (66 ns)
@ 0 V
3.0 x 10-14
@ 2300 nm
200 nA
@ 1 V
500 pF @ 0 V
a)典型値.RL=5欧姆
b) 详细的引脚配置请参见规格表。
c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t |
| 锗光电二极管－近红外波长 |
| ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。
请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围
(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)
时间aNEP
(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03
800 - 1800
7.1 mm2
(Ø3 mm)
TO-5/PIN
500 ns (500 ns)
@ 3 V
1.0 x 10-12
@ 1550 nm
4.0 µA
@ 1 V
4 nF
@ 1 VFDG05
800 - 1800
19.6 mm2
(Ø5 mm)
Ceramic Substrate
220 ns
@ 3 V
4.0 x 10-12
@ 1550 nm
40 µA
@ 3 V
3 nF
@ 5 VFDG1010
800 - 1800
100 mm2
(10 mm x 10 mm)
Ceramic Substrate
3.5 µs
@ 1 V
4.0 x 10-12
@ 1550 nm
50 µA (max.)
@ 0.5 V
30 nF
@ 0.5 V
a) 典型值。 RL=50欧姆
b) 详细引脚图请参看规格表
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| 双波段探测器 |
| Zoom
双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围
4引脚的TO-5型封装
大有效面积型号 #波长范围
(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)
时间aNEP
(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2
400 - 1100
1000 - 1700
Ø2.54 mm
Ø1.5 mm
TO-5/PIN
4 µs (典型値)
(两层)
1.9 x 10-14
2.1 x 10-13
-
450 pF
300 pF
a) 典型値 RL =50欧姆
b) 详细引脚图请参看规格表>
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