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| 1. | 设备名称： | 霍尔效应测试仪 |
| 2. | 功能描述： | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3. | 设备明细： | |
| 3-1 | 测试范围： | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3-2 | 磁场： | |
| 3-2-1 | 磁场强度： | 0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选） |
| 3-2-2 | 磁场类型： | 电磁体 |
| 3-2-3 | 磁场均匀性： | 磁场不均匀性＜±1 % |
| 3-3 | 测试样品： | |
| 3-3-1 | 样品测试仓： | 全封闭、带玻璃窗口 |
| 3-4 | 温 度： | |
| 3-4-1 | 温度区域： | 80K ~730K |
| 3-4-2 | 温控精度： | 0.1K |
| 3-4-3 | 温控稳定性： | ±0.1 K |
| 3-5 | 电阻率范围： | 10-6~1013 Ohm*cm |
| 3-6 | 电阻范围： | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 载流子浓度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 迁移率： | 10-2~109 cm2/volt*sec |
| 3-9 | 输入电流： | |
| 3-9-1 | 电流范围： | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 电流精度： | 2% |
| 3-10 | 输入电压： | |
| 3-10-1 | 电压范围： | ±2.5V,最小可测到6×10-6V |
| 3-10-2 | 电压分辨率： | 3×10-7V |
| 3-10-3 | 电压精度： | 2% |
典型用户
| 用户单位 | 采购时间 |
|---|---|
| 中科院光机所 | 2011-07-22 |
| 北京航空航天大学 | 2012-11-28 |
| 上海交通大学 | 2012-06-11 |
| 华南理工大学 | 2010-10-20 |
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