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MicroWriter ML II是一款新设计的激光直写光刻系统，不仅具有无掩模板直写系统的灵活性，还拥有高书写速度和低成本的特点。多个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光，之后自动切换高分辨激光，并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了好的平衡，并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。
内置自动对焦系统通过调节基片台在Z方向的位置，对基片上的红色激光斑进行自动对焦。只需单击软件上的对焦键就能完成对新放入的基片对焦。与一些其他自动对焦系统对基片小尺寸有要求不同，MicroWriter ML II的自动对焦可以用到小的样品上，非常适用于对单个压模的书写。
具有不同曝光性质的多组曝光任务可以被结合起来。例如，用1μm激光得到一条微小的微米线，再用5μm激光得到大面积连接片并使其连接到微米线上。：光学显微图（左）和扫描激光显微图（右）显示通过两个曝光任务（下图）得到的微米线连接大尺寸连接片的图形。两个图片都是通过MicroWriter ML II内置显微镜得到。
MicroWriter ML II内置的Clewin 4掩模板设计软件（见图11），可以用于设计多层掩模板文件，同时可以读取多种标准图形格式（DXF, CIF, GDSII, Gerber）的设计文件。基片设计可以做步进模拟，比如设计一个单图案然后在整个基片范围内重复运用，或者对整个基片进行整体设计，以便减少拼接误差。与电子束刻蚀系统不同，MicroWriter ML II不存在书写范围限制（取决于基片尺寸）。为了简化掩模板设计，MicroWriter ML II可以直接读取.TIFF,.BMP等图片格式。
大多数利用电子束刻蚀制造的器件只有很小的一部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率，而大部分曝光时间都浪费在了如电连接等大面积结构的生成上。MicroWriter MLTM可以被用在混合模式刻蚀工艺上：只用费用昂贵、速度缓慢的电子束刻蚀加工细小的结构，用成本低廉的MicroWriter ML II加工大面积部分。MicroWriter ML II先进的对准机制可以使两部工序结合。因此MicroWriter ML II也适用于已经拥有电子束刻蚀的实验环境。
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