仪器对比
关注
IBE离子束刻蚀系统
NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：
14.5”不锈钢立体离子束腔体
16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
离子束中和器
氩气MFC
6”水冷样品台
晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机
步进电机控制晶圆片倾斜
自动上下载晶圆片
典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min
6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%
极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）
配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr
磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动，4级密码访问保护
完整的安全联锁
NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀 Features：
14.5" SS Cube ion beam chamber
16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
Ion Beam neutralizer
Ar MFC
Chilled water cooled 6” substrate platen
Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
Manual wafer load/unload
Typical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si
+/-3% etch uniformity over 6“ area
5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation
PC Controlled with LabVIEW Software
Recipe Driven, Password Protected
Fully Safety Interlocked
相关产品
