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我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。
PlasmaPro 100 ALE 的特点:
准确的刻蚀深度控制；
光滑的刻蚀表面
低损伤工艺
数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD
高选择比
能加工最大200mm的晶圆
高深宽比（HAR）刻蚀工艺
非常适于刻蚀纳米级薄层
III-V族材料刻蚀工艺
固体激光器InP刻蚀
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
射频器件低损伤GaN刻蚀
硅Bosch和超低温刻蚀工艺
类金刚石（DLC）沉积
二氧化硅和石英刻蚀
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆
高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途
用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
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等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀半导体 2019-08-07
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