实景照片 | 结构单元 | 说明 |
基础部分 | 产线架构,水印*西安天光测控*水印 | |
伺服系统 | 整体系统的控制的电控系统水印*西安天光测控*水印 | |
输送单元 | 产线输送带及电机水印*西安天光测控*水印 | |
机械臂 | 通过往复运动取放被测模块水印*西安天光测控*水印 | |
预加热单元 | 加热模块水印*西安天光测控*水印 | |
冷却单元 | 同时带有风冷和水冷两套水印*西安天光测控*水印 | |
托盘 | 铝基板材质的托盘,针对DUT外观定制 |
分类 | 项目 | 基础参考 | 实际响应 |
静态 | 电源 | 高稳定性 | 自主电源(高度适配,扩展灵活); |
静态 | 电压等级 | 1500V | 1500V(支持扩展)水印*西安天光测控*水印 |
静态 | 电流等级 | 2000A | 2000A(支持扩展)水印*西安天光测控*水印 |
静态 | 测试时间 | 水印*西安天光测控*水印 |
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静态 | 机械动作时间 | 2s (设备移动;测试单元及DBC之间切换) | |
静态 | 测试产能 | 1000模块/D 水印*西安天光测控*水印 | 半自动,一次测一个上臂/下臂,换料30s, 一天按20h计算水印*西安天光测控*水印 DBC:3600/(42+30)*3=150DBC/H, 3600*20/(42+30)*3=3000DBC/D(设计一次放3个DBC) 模块:3600/(42+30) =50模块/H, (3600*20)/(42+30)= 1000模块/D |
静态 | 切换方式 (继电器或机械切换) | 水印*西安天光测控*水印 | 继电器切换水印*西安天光测控*水印 |
Handler | 进出料机械控制方式 | 半自动 (手动放料、自动进出) |
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温度 | 高温测试 | 200℃ | 高温支持室温到200℃,分辨率 0.1℃ |
温度 | 高温监控 | Tc监测 | 支持Ta, Tc监测;水印*西安天光测控*水印 |
温度 | 加热方式 | 水印*西安天光测控*水印 | 设备:自带可控型恒温加热板电加热; 模块:可代购或自购温箱; |
温度 | 升温、降温时间 | 水印*西安天光测控*水印 | 升温:20~30 min 降温:风冷20~30min; 自冷2~3h |
温度 | 温度控制精度 | 水印*西安天光测控*水印 | 常温-125℃±1.0℃ 125℃-150℃±1.5℃ 150℃-200℃±2℃ |
温度 | 温度校准 | /水印*西安天光测控*水印 | |
夹具 | DBC&模块 兼容性 | 切换时间小于30min | 响应,设计同时放两套夹具,无需手动换置; |
其它特性 | 水印*西安天光测控*水印 | /水印*西安天光测控*水印 |
分类 | 测试指标 | 典型值 | 西安天光测控 | ||
测量范围 | 测量解析度和精度 | 测试条件 | |||
静态 | Kelvin contact | 四线开尔文接触检测 | 支持 | /水印*西安天光测控*水印 | / |
静态 | NTC测试 水印*西安天光测控*水印 | 5kΩ I=1mA | 支持 | /水印*西安天光测控*水印 | / |
静态 | 栅极-发射极漏电流IGES(正反) | 25℃:±45nA 150℃:±60nA (VGE = ±20V) | IGE: 0-10uA | IGE测试解析度:1nA IGE测量精度:+/-2%+/-5nA VGE输出精度:+/-2%+/-0.2V | Vge: +/-5-40V VCE: 0V tp(脉宽): 40-100ms, |
静态 | 集电极-发射极电压BVCES 水印*西安天光测控*水印 | 25℃:750V 水印*西安天光测控*水印 | VCE: 0-1500V | VCE测试解析度:1V VCE测量精度:+/-0.5%+/-2V ICE输出精度:+/-5% VCE输出精度:+/-1%+/-1V | VGE=0V ICE: 0.1-100mA VCE max: 100-1500V tp(脉宽): 5-200ms |
静态 | 集电极发射极饱和电压VCESAT 水印*西安天光测控*水印 | 25℃:1.45V 125℃:1.60V 150℃:1.65V (VGE = 15V; IC = 550A) | VCE: 0-10V | VCE测试解析度:1mV VCE测量精度:+/-1%+/-1mV IC输出精度:+/-3%+/-0.2A VGE输出精度:+/-2%+/-0.2V | VGE: 1-30V ICE: 2-2000A tp(脉宽): 500us |
静态 | 集电极-发射极截止电流ICES 水印*西安天光测控*水印 | 25℃:<0.5mA 125℃:<20mA 150℃:10mA (VCE=750V) | ICE: 0-300mA | ICE测试解析度:ICE*大值的0.1% ICE测量精度:+/-2%+/-10uA VCE输出精度:+/-1%+/-1V IC*大值输出精度:+/-5% | VGE=0V VCE: 100-1500V ICE max: 0.1–100mA tp(脉宽): 5 -200ms |
静态 | 栅极-发射极阀值电压测试VGETH | 25℃:5.9V (IC=20mA) 水印*西安天光测控*水印 | VGE: 0-20V | VGE测试解析度:5mV VGE测量精度:+/-1%+/-5mV IC输出精度:+/-3%+/-0.05mA | VGE=VCE ICE: 0.1mA –100mA tp(脉宽): 2-10ms |
静态 | 二极管压降测试VF 水印*西安天光测控*水印 | 25℃:1.45V 125℃:1.50V 150℃:1.50V (IF=550A) 水印*西安天光测控*水印 | VEC: 0-10V | VEC测试解析度:1mV VEC测量精度:+/-1%+/-1mV IEC输出精度:+/-3%+/-0.2A | VGE=0V IEC: 2-2000A tp(脉宽): 500us |
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs 等功率器件
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