用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数
1200V/100A,短路电流2500A
替代ITC57300,多项功能及指标优于ITC57300
? 技术规格
基础能力 |
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物理规格 |
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ST-AC1200_S_R 开关时间(阻性)测试单元 美军标750 方法为3472 |
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ST-AC1200_D 反向恢复特性测试单元 美军标750 方法3473 |
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ST-AC1200_Q 栅电荷测试单元 美军标750, 方法3471 |
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ST-AC1200_S_L 开关时间(感性)测试单元 美军标750, 方法3477 |
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ST-AC1200_S 短路特性测试单元 美军标750, 方法3479 |
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ST-AC1200_RC 栅电阻结电容测试单元 JEDEC Std JESD24-11 |
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电网环境 |
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MOSFET动态参数测试仪主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数,产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。
对比内容:半导体分立器件动态参数测试系统
对比厂商:美国ITC公司(下文简称ITC)、西安天光测控技术有限公司(下文简称西安天光)
对比型号:ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X
MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准,西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项(指标低于ITC57300),“红色字体”为西安天光的加分项(指标高于ITC57300),“黑色字体”表示双方指标一致。
美国ITC公司 ITC57300 | 西安天光测控技术有限公司 ST-AC1200_X |
基础能力*大输出能力:电压1200V电流200A*小时间测量值:1.0nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格高=76英寸宽=44英寸(包括显示器和键盘)深=50英寸(包括接收器)重=550磅ITC57210开关时间(阻性)测试单元美军标750方法为3472脉宽:0.1μs~10μs 步进0.1μs栅极电压±20V分辨率0.1V栅极电流*大1.0A漏极电流*大200A占空比小于0.1%VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V 100 V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57220反向恢复特性测试单元美军标750方法3473IF/正向电流:ITC5722B:1.0~50A@0.2A分辨率分辨率di/dt/反向电流斜率:25-600A/uS 1.0A/ns StepsVR/反向电压:20~1200VIRM/反向电流:总正向和反向*大电流200A以内。占空比:<1.0%TRR/反向恢复时间范围:10ns~2.0usVDD/漏极电压:5V~100 V,0.1V Steps100V~1200 V,1.0V StepsQrr/反向恢复电荷:1nc~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57230栅电荷测试单元美军标750方法3471栅极电流:低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率栅电压范围:±20V@±0.1V分辨率漏极电流(固态负载):1~25A@0.1A分辨率分辨率漏极电压:5V~100 V,0.1V Steps100V~1200 V,1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57240开关时间(感性)测试单元美军标750方法3477漏极电流:1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感:0.1mH至159.9mH栅极电压:±20V@0.1V分辨率漏极电压:5V~100V,0.1V Steps,1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57250短路特性测试单元美军标750方法3479*大电流:1000A脉宽:1us~100us栅驱电压:±20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V,0.1V Steps100V~1200 V,1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57260栅电阻结电容测试单元JEDEC StdJESD24-11Rg/栅电阻:0.1~50mΩ结电容参数:Ciss,Coss,Crss漏极偏置电压:1200V*大栅极偏置电压:±20V频率:0.1MHZ~4MHZ电网环境220V 50~60 Hz单相 可选择240V220V/12A 20A 30A水印签字*西安天光测控*水印签字 | 基础能力*大输出能力:电压1200V电流200A*小时间测量值:0.1nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格单机尺寸:800×800×1800mm质 量:165kg系统功耗:200wST-AC1200_S_R开关时间(阻性)测试单元 美军标750方法为3472脉宽:0.1us~100us步进0.1μs栅极电压:0~20V,分辨率0.1V栅极电流*大10A漏极电流*大75A(支持扩展200A、500A)占空比小于0.1%VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V 100 V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_D反向恢复特性测试单元 美军标750方法3473IF/正向电流:0.1~50A@0.1A分辨率50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向电流斜率:25-600A/uS 1.0A/ns StepsVR/反向电压:20~1200VIRM/反向电流:总正向和反向*大电流200A以内。占空比:<1.0%TRR/反向恢复时间范围:1ns~2usVDD/漏极电压:5V~100 V,0.1V Steps100V~1200 V,1.0V StepsQrr/反向恢复电荷:0.1nC~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_Q栅电荷测试单元 美军标750,方法3471栅极电流:0~10mA@10uA分辨率栅级电压:0~20V@0.1V分辨率漏极电流(固态负载):1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字漏极电压:5V~100 V,0.1V Steps100V~1200 V,1.0V StepsST-AC1200_S_L开关时间(感性)测试单元美军标750,方法3477漏极电流:1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感:0.1mH至159.9mH 栅极电压:0~20V@0.1V分辨率漏极电压:5V~100V,0.1V Steps,1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_S短路特性测试单元美军标750,方法3479*大电流:标配200A(选配1000A)脉宽:1us~100us栅极电压:0~20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V,0.1V Steps100V~1200 V,1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_RC栅电阻结电容测试单元 JEDEC StdJESD24-11Rg/栅电阻:0.1~100Ω结电容参数:Ciss,Coss,Crss漏极偏置电压:1200V*大栅极偏置电压:0~20V@0.1V分辨率频率:标配0.1MHZ~1MHZ(¥3W)0.1MHZ~4MHZ(¥15W) 水印签字*西安天光测控*水印签字电网环境AC220V±10%,50Hz±1Hz。 |
其它测试功能(加分项)
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产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数(包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等)
动态参数(包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等)
环境老化(包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等)
热特性(包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等)
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件
1年
是
无
一次
一年内
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