产品简介
公司中德技术团队家研发了一款基于新型扫描探针精准定位的离子注入 系统,能有效控制注入半导体器件的杂质种类、数量和位置,实现多种离 子(如 H、N、O、Si、P、B、As、Te、Ar 等)的精准定位定量掺杂注入。该 系统可以满足量子比特阵列,金刚石中的氮空位中心(NV 色心)以及单原子 器件的工艺精度要求,研制的设备可用于探索纳米结构器件、量子比特系 统和量子信息处理器电路的开发。 公司的一项革 命性发明专利,解决了注入离子由于晶格散射带来的位置 不确定性问题,颠覆性地将注入离子在晶体中位置的误差缩减到 10nm 以 下,实现纳米级精确定位注入掺杂离子。
技术特点:
• 精准确定位定量离子注入
• 针尖悬臂上的小孔小于50nm
• 锥形电场稀释和准直离子束
• 横向电场形成离子闸门
应用领域:
• 功能材料定位掺杂
• 纳米尺度功能器件制备
• 固态量子信息技术
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