仪器对比
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仪器简介：
本装置是用直流四端子法，精密地测量金属合金，半导体的电阻。
●用途
对于金属相变，时效析出，再结晶的过程研究。
对于无形金属的再结晶的过程分析。
对于记忆形合金的研究。
测定各种半导体材料的温度VS电阻的关系。
技术参数：
●技术指标
测定温度范围 ①-150～200℃ ②室温～最高1400℃
测定方式 自流四端子法
测定范围 100Ω～5×10-5 Ω
试样台 φ10mm×100mm
测定气氛 不活性气体，大气，真空
主要特点：
对于金属的相变，时效析出，再结晶反应
●特长
可在定速升温，定温保持过程中测量材料电阻。
用直流四端子法进行高精度测量。
无热起电的影响。
本装置是用直流四端子法，精密地测量金属合金，半导体的电阻。
●用途
对于金属相变，时效析出，再结晶的过程研究。
对于无形金属的再结晶的过程分析。
对于记忆形合金的研究。
测定各种半导体材料的温度VS电阻的关系。
技术参数：
●技术指标
测定温度范围 ①-150～200℃ ②室温～最高1400℃
测定方式 自流四端子法
测定范围 100Ω～5×10-5 Ω
试样台 φ10mm×100mm
测定气氛 不活性气体，大气，真空
主要特点：
对于金属的相变，时效析出，再结晶反应
●特长
可在定速升温，定温保持过程中测量材料电阻。
用直流四端子法进行高精度测量。
无热起电的影响。
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