仪器简介:
本装置是用直流四端子法,精密地测量金属合金,半导体的电阻。
●用途
对于金属相变,时效析出,再结晶的过程研究。
对于无形金属的再结晶的过程分析。
对于记忆形合金的研究。
测定各种半导体材料的温度VS电阻的关系。
技术参数:
●技术指标
测定温度范围 ①-150~200℃ ②室温~最高1400℃
测定方式 自流四端子法
测定范围 100Ω~5×10-5 Ω
试样台 φ10mm×100mm
测定气氛 不活性气体,大气,真空
主要特点:
对于金属的相变,时效析出,再结晶反应
●特长
可在定速升温,定温保持过程中测量材料电阻。
用直流四端子法进行高精度测量。
无热起电的影响。