碳化硅衬底晶片生产商 4H-N碳化硅衬底片厂家
苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应碳化硅衬底晶片,产品主要有2英寸到6英寸,类型分为导电型4H-N 掺杂氮和半绝缘型4H-SI型掺杂钒以及非掺杂4H-SI型。产品等级分为超低微管密度级碳化硅衬底晶片,产品级碳化硅衬底片,研究级碳化硅衬底晶片,测试级碳化硅晶片,欢迎有需求的客户咨询。
碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物,目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种,其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料,与硅材料的物理性能对比,主要特性包括:(1)临界击穿电场强度是硅材料近10倍;(2)热导率高,超过硅材料的3倍;(3)饱和电子漂移速度高,是硅材料的2倍;(4)抗辐照和化学稳定性好;(5)与硅材料一样,可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。
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