电子束蒸发系统技术参数
1.电子束源&电源 •单个或者可自由切换换电子束源: --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量:7 ~ 40 cc (zui大可达200 cc) ----标准:25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) ----zui大:200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 •偏转角度:180o, 270o •输出功率:6, 10, 15, 20 kW •支持两个或者三个电子束源在一个系统上 •可连续或者同时沉积两种或三种材料 •高速率沉积 2.薄膜沉积控制: •IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积:测量波长范围350-2000 nm,分辨率1 nm •薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 •薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸:20~100英寸 --薄膜均匀性 <±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体: •圆柱形腔体 --直径:φ500 ~ 1,500 mm --高度:800 ~ 1500 mm •方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置: •低真空:干泵和convectron真空规 •高真空:涡轮分子泵,低温泵和离子规 •超高真空:双级涡轮分子泵,离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机: •硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD •自动和手动程序控制 --程序控制:加载,编辑和保存 --程序激活控制: ----泵抽真空,蒸发沉积,加热, 旋转等 ----膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 ----系统状态,数据加载等 ----问题解答和联动状态 |