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国产
Ф200mm
RT-500±1ºC
最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体
300KG
1400*1000*1900mm
均一性<1%
双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T
原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。
主要技术参数
| QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备) | |
| 高真空HV腔体 | 2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure<9E-6Torr |
| 工艺腔极限真空 Ultimate Pressure | <5E-7Torr |
| 等离子体 Plasma | 最大600W RF自匹配电源 |
| 最大基板尺寸Max Wafer Size | Ф200mm，氧化铝均匀性<1% |
| 高精准样品加热控制 Wafer Heating | RT-500±1oC |
| 前驱体 Max Precursor | 最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体 |
| 臭氧发生器Ozone Generator | 可选配，生产效率15g/h |
| 传输 | 高真空自动化传输 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
测试结果展示
1年
否
有
1. 设备出厂前，提供至少2人一周的设备原厂培训。 2. 设备在现场完成安装调试
有需要可安排
保修期内（除天灾和人为损害外）部件、元件费用、出差费用均由我司承担
质保期内出现故障时我司将及时响应，并在8小时内派技术人员到现场解决故障；
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