VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 852/1567/1550nm 1mW
报价 ¥3001 - 9999
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一,852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips
Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。
852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips,852±10nm单模VCSEL激光器 1mw Philips● 垂直腔面发射激光器
● 窄线宽
● 内部TEC和热敏电阻
● 2 nm TEC的可调性
● 为铷共振激发而设计TO46&TEC
● 特定工作条件：激光电流IOP = 2 mA 目标波长 λt = 794.7 nm @ TOP (由TEC调节)
● CPT原子钟
● 光学相干实验
产品尺寸
带TEC管脚配置
不带TEC管脚定义
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
入射波长 | λR | 851 | 852 | 853 | nm | T = 20°C, ITEC = 0, POP= 0.5 mW |
阈值电流 | ITH | 0.50 | mA | T = 20°C | ||
输出功率 | Popt | 0.50 | mW | T = 0 … 50°C | ||
阈值电压 | UTH | 1.80 | V | |||
激光电流 | IOP | 2.0 | mA | Popt = 0.5 mW | ||
激光电压 | UOP | 2.0 | V | Popt = 0.5 mW | ||
电光转换率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.5 mW | ||
斜率效能 | ηS | 0.3 | W/A | T = 20°C | ||
微分串联电阻 | RS | 250 | Ω | Popt = 0.5 mW | ||
3dB调制带宽 | ν3dB | 0.10 | GHz | Popt = 0.5 mW (由于ESD防护二极管) | ||
相对噪声强度 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波长调谐电流 | 0.6 | nm/mA | ||||
波长调谐温度 | 0.06 | nm/K | ||||
热电阻 | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
边模式抑制 | 30 | dB | ||||
光束发散度 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5 mW满1/e2带宽 | |
光谱带宽 | Δν | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW | ||
TEC电流 | ITEC | 500 | mA | 需适当散热器 | ||
NTC热敏电阻 | 9.5 | 10.0 | 10.5 | kΩ | T= 25°C, | |
NTC温度依赖性 | 10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)] | kΩ | ||||
波长调谐TEC电流 | 0.008 | nm/mA | TEC电流 < 200 mA | |||
绝对最大值
● 储存温度 -40～125°C
● 工作温度 -20～80°C
● 电功率损耗 5 mW
● 正向激光电流 2 mA
● 反向电流 10 mA
● 焊接温度* 270C°
● *TEC 温度必须低于 150°C
光谱图
二, VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。它具有较小的远场发散角，发散角光束窄且圆；并且阈值电流低，调制频率高，能达到300KHz。通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装，它专为高速光纤通信而设计。
VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW ,VCSEL 垂直腔面发射半导体激光器 1567/1550nm 1mW● 7 Pin 小尺寸
● 非球面透镜帽
● 集成TEC控制温度稳定
● 输出功率1.6mW
● 单模，可以通过C-L波段
● 具有宽谱调谐范围：>8nm
● 快速波长调谐（~100KHz）
● TDLAS 测量气体系统
● 人脸识别
● 激光雷达
● 数据中心，云计算
条件：P=20°C，IO P=2.0mA，除非另有说明(P=芯片背面温度，由TEC控制)
参数 | 符号 | 值 | 单位 | ||
Min | 典型 | Max | |||
光输出峰值功率@25 C | P | 1.0 | 1.6 | mW | |
工作偏置电流 | Iop | 0 | 18 | 25 | mA |
工作温度范围 | Top | -40 | 25 | 85 | °C |
阈值电流 | Ith | 8 | 12 | mA | |
斜率效率(CW，Tc=25°C) | Se | 0.14 | 0.18 | mW/mA | |
激光驱动电压 | VCC | 0 | 1.5 | 2.5 | V |
阻力 | RS | 50 | Ω | ||
中心波长 请在订购单中注明所需的中心波长。 | Δλ | 1525 | 1575 | nm | |
保证调谐范围 施加正电压会降低峰值波长。 | λ | 8 | 10 | nm | |
最大频率调谐响应 | fmax | 100 | 200 | - | KHz |
侧模抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
线宽(-3dB半高宽)，连续偏压=IOP | σ | 300 | MHz | ||
相对强度噪声 | RIN | -128 | dB/Hz | ||
调谐电压 | Vture | 0 | Test Sheet | Test Sheet | V |
调谐电流 | Itune | 0 | - | 100 | μA |
Tec电压 | VTEC | 0.35 | 1.5 | V | |
Tec电流 | ITEC | 0.05 | 0.6 | A | |
实验数据
我们对于VCSEL激光器进行了相关实验，测量了VCSEL激光器的电压，电流与波长的关系，以及频率的关系。
VCSEL光谱图 VCSEL激光器测量底座
1、电压与波长的关系
我们给激光器加载4-18V的电压，每2V电压增加一个点，测量如上图数据，我们会发现，随着电压的增加，波长随着减小，减小了8nm左右，呈现负向接近线性曲线。
2、电流与波长的关系
我们保持电压恒定，电流调节，从13到25mA,每3mA测试一次，发现电流调节，波长大小变化比较大，且呈现一个正向线性曲线。
3、加载不同频率的变化
加载5V电压，20KHz频率波形
加载5V电压，40KHz频率波形
加载5V电压，60KHz频率波形
加载5V电压，80KHz频率波形
加载5V电压，100KHz频率波形
加载5V电压，120KHz频率波形
加载5V电压，140KHz频率波形
固定给5V电压，调整频率值，得到以上图形，我们的调制频率很高，可以携带更多的信息，响应速度更快。
VCSEL激光的产生主要由三部分组成，即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。利用泵浦源对工作物质进行激励，形成粒子数反转，发出激光。在通过底部和顶部反射镜组成的谐振腔，在激光腔内放大振荡，并从顶部反射镜输出，输出的光线只集中在中间不带有氧化层的部分输出，形成了垂直腔面的激光发射，从而得到稳定，持续，有一定功率的高质量激光。
1年
是
有
我司实验室可进行培训
1年内
免费更换零件 调试等
约定时间内进行维修调试
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