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NIR-IR近红外非线性光学晶体( LIS/LGSe/LGS/GASE/AGSe/AGS)

报价 ¥3001 - 9999

品牌

筱晓光子

型号

LiGaS2/LiGaSe2/LiInS2/LilnSe2/AgGaSe2/GaSe/AgGaS2

产地

欧洲德国

应用领域

暂无
总览

ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.

我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层,可根据要求应用反射率曲线。




名称 型号货号   描述         价格

 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体   

LiGaS2


A80160204 透光率, 0.33 – 11.6µm,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20

 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体   

LiGaSe2


A80160203 透光率, 0.37 – 13.2µm,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20

 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体   

LiInS2


A80160202 透光率,0.35– 13.2 µm, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, Å a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20

 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体   

LilnSe2


A80160201 透光率, 0.43– 13.2 µm,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm ,对称度:斜方(晶系), mm2 point group ,晶胞参数, Å a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20

 AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体   

AgGaSe2


A80160206 透光率,0.76 – 18 µm,单轴负晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µm ,对称度 四方晶系, -42m point group

 GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体   

GaSe


G80010032 透光率0.62 – 20µm,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µm,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, Å a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µm

 AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2   

AgGaS2


A80160205 透光率: µm 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311



总览

LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料,具有纤锌矿型结构,UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。
LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数,如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽,包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等,这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。

LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体
技术参数

主要特性

复合物

LiGaS2

透光率, µm

0.33 – 11.6

对称度

mm2

带隙, eV

4.15

非线性极化率, pm/V
  (at 2.3 µm)

d31=5.8;
  d24=5.1;
  d33= -10.7

0.2透明度级别的远红外吸收边缘

µm

92

THz

3.25

光学损坏阈值, MW/cm2

1064 nm
  (t=14 ns)

>240

热导系数 k, WM/M°C

6-8 calc.

光学倍频截止

1.47 - 7.53





光学元件参数

复合物

LiGaS2

定位精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 30

平面度

546 nm

λ/4

表面质量, scratch/dig

30/20


总览

LGSe是一种新型非线性红外材料,具有纤锌矿型结构,紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数,如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等,从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。


LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
技术参数

主要特性

复合物

LiGaSe2

透光率, µm

0.37 – 13.2

对称度

mm2

带隙, eV (300K)

3.57

非线性极化率, pm/V
  (at 2.3 µm)

d31=9.9;
  d24=7.7 @2,3 µm


0.2透明度级别的远红外吸收边缘

µm

218

THz

1.37

热导率k, WM/M°C

4.8-5.8 calc.

光学倍频截止

1.57 - 11.72



光学元件参数

定位精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 30

平面度

546 nm

λ/4

表面质量, scratch/dig

30/20

LGSe_a.jpg

 


 

总览

硫铟锂(LiInS2或LIS)晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近,但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料,其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。

LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
技术参数

主要特性

复合物

LiInS2

透光率, µm

0.35– 13.2

非线性系数, pm/V

d31=7.25, d24=5.66 @2.3  

对称度

斜方晶系, mm2 point group

晶胞参数, Å

a=6.893, b=8.0578, c=6.4816

典型反射系数

1064 nm

532 nm

nx=2.1305, ny=2.1668,   nz=2.1745

nx=2.2353, ny=2.2841,   nz=2.2919

用于SHG的基频

 

x-y, Type II, eoe

2.35–6.11

x-z, Type I, ooe

1.78–8.22

y-z, Type II, oeo

2.35–2.67

y-z Type II, oeo

5.59–6.11

总间隔时间

1.617–8.71

光学损坏阈值, GW/cm2

1064 nm
  (t=14 ns)

40 

热导率k, WM/M°C

kx=6.1 ± 0.3; ky=5.9 ± 0.3; kz=7.4 ± 0.3

0.2透明度级别的远红外吸收边缘

2.58 THz at 118 µm

 

光学元件参数

定向精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 30

平面度

546 nm

λ/6

表面质量, scratch/dig

30/20





 

 

应用

Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器(范围 1 – 12 µm)

用于使用OPO的可调谐固态激光器,由Nd:YAG和其他1.2-10µm范围内的激光器泵浦

中红外(2-12µm)的差频产生 ,

将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域•中红外范围(2-12µm)的不同频率发生器

1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频



对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。



111.png

 



总览

AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料,对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦,AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源;用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源;早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频;上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。

AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 µm。


AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体
技术参数

主要特性

复合物

AgGaSe2

透光率, µm

0.76 – 18

单轴负晶

no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)

非线性系数, pm/V

d36 = 39.5 @10,6 µm 

对称度

四方晶系, -42m point group

典型反射系数

10.6 µm

5.3 µm

no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811

光学损坏阈值, MW/cm2

2000 nm
  (t=30 ns)

13

离散角, °

5.3 µm

0.68

热导系数 k, WM/M°C

1.1

频带隙能量, eV

1.8

光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μm

n0= ne, λ = 0.804

 

光学元件参数

定位精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 40

平面度

546 nm

λ/4

表面质量, scratch/dig


30/20

应用

  • 有效中红外辐射二次谐波的产生 

  • 中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器等

  • 各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µm)

 

对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。


 

总览

GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。

GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体
技术参数

主要特性

复合物

GaSe

透光率, µm

0.62 – 20

非线性系数, pm/V

d22 = 54 @10.6 µm


对称度

六方晶系, 6m2 point group


晶胞参数, Å

a=3.74, c=15.89


典型反射系数

10.6 µm
  5.3 µm

no=2.6975, ne=2.3745
  no=2.7233, ne=2.3966

光学损伤阈值, MW/cm2

1064 nm
  (t=10 ns)

30

离散角, °

5.3 µm

4.1

应用

  • 10.6 µm激光辐射二次谐波的产生

  • 中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等

 

对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。


 



总览

AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料,具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性,具有广泛的应用,可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,半导体激光,钛宝石激光,Nd:YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段,此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS)和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 µm。

AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2
技术参数

应用

中红外辐射的高效倍频

光学参量振荡和放大,不同频率产生到高达12µm的中红外区域

各向同性点附近区域的光学窄带滤波器      (0.4974 µm at 300 K)


771.png


主要参数

复合物

AgGaS2

透明度, µm

0.47 – 13

非线性参数, pm/V

d36 = 12.6 @   10.6 µm 

负单轴晶体

no >   ne (at λ < 0.497 μm ne > no)

对称性

四方晶系, -42m point   group

晶胞参数, Å

a=5.757,   c=10.311

典型反射指数

10.6 µm
  5.3 µm

no=2.3475,   ne=2.2918
  no=2.3945, ne=2.3406

光学损伤阈值, MW/cm2


  1064 nm
  (t=10 ns)

350

离散角, °

5.3 µm

0.76

热导系数 k, WM/M°C

1.5

室温带隙, eV

Eg =   2.73

在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mm

n0=   ne, λ = 0.4974 μm

0.2透明度级别的远红外吸收边缘

0.86 THz; 346   µm


光学元件参数

定位精度,   arc min

< 30

平行度,   arc sec

< 30

平整度

546 nm

λ/4

表面质量,   scratch/dig

30/20




 

可提供大/长光学元件,请发送您的要求。

我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层,可根据要求应用反射率曲线。


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360截图20220117101446854.jpg


 



售后服务

1年

我司实验室可进行培训

1年内

免费更换零件 调试等

约定时间内进行维修调试

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