NIR-IR近红外非线性光学晶体( LIS/LGSe/LGS/GASE/AGSe/AGS)
报价 ¥3001 - 9999
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ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.
我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。
名称 型号货号 描述 价格
LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体
LiGaS2
A80160204 透光率, 0.33 – 11.6µm,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20
LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
LiGaSe2
A80160203 透光率, 0.37 – 13.2µm,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20
LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体
LiInS2
A80160202 透光率,0.35– 13.2 µm, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, Å a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20
LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体
LilnSe2
A80160201 透光率, 0.43– 13.2 µm,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, Å a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min < 30 平行度, arc sec < 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20
AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体
AgGaSe2
A80160206 透光率,0.76 – 18 µm,单轴负晶 no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µm ,对称度 四方晶系, -42m point group
GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体
GaSe
G80010032 透光率0.62 – 20µm,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µm,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, Å a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µm
AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2
AgGaS2
A80160205 透光率: µm 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311
LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。
LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。
主要特性
复合物 | LiGaS2 | |
透光率, µm | 0.33 – 11.6 | |
对称度 | mm2 | |
带隙, eV | 4.15 | |
非线性极化率, pm/V | d31=5.8; | |
0.2透明度级别的远红外吸收边缘 | µm | 92 |
THz | 3.25 | |
光学损坏阈值, MW/cm2 | 1064 nm | >240 |
热导系数 k, WM/M°C | 6-8 calc. | |
光学倍频截止 | 1.47 - 7.53 | |
光学元件参数
复合物 | LiGaS2 | |
定位精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平面度 | 546 nm | λ/4 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 | |
硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。
LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体主要特性
复合物 | LiInS2 | |
透光率, µm | 0.35– 13.2 | |
非线性系数, pm/V | d31=7.25, d24=5.66 @2.3 | |
对称度 | 斜方晶系, mm2 point group | |
晶胞参数, Å | a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 | |
典型反射系数 | 1064 nm 532 nm | nx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745 nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919 |
用于SHG的基频
| x-y, Type II, eoe | 2.35–6.11 |
x-z, Type I, ooe | 1.78–8.22 | |
y-z, Type II, oeo | 2.35–2.67 | |
y-z Type II, oeo | 5.59–6.11 | |
总间隔时间 | 1.617–8.71 | |
光学损坏阈值, GW/cm2 | 1064 nm | 40 |
热导率k, WM/M°C | kx=6.1 ± 0.3; ky=5.9 ± 0.3; kz=7.4 ± 0.3 | |
0.2透明度级别的远红外吸收边缘 | 2.58 THz at 118 µm | |
光学元件参数
定向精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平面度 | 546 nm | λ/6 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 | |
应用
Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µm）
用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µm范围内的激光器泵浦
中红外(2-12µm)的差频产生 ,
将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域•中红外范围（2-12µm）的不同频率发生器
1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源;用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源;早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频;上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。
AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µm。
主要特性
复合物 | AgGaSe2 | |
透光率, µm | 0.76 – 18 | |
单轴负晶 | no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no) | |
非线性系数, pm/V | d36 = 39.5 @10,6 µm | |
对称度 | 四方晶系, -42m point group | |
典型反射系数 | 10.6 µm 5.3 µm | no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811 |
光学损坏阈值, MW/cm2 | 2000 nm | 13 |
离散角, ° | 5.3 µm | 0.68 |
热导系数 k, WM/M°C | 1.1 | |
频带隙能量, eV | 1.8 | |
光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μm | n0= ne, λ = 0.804 | |
光学元件参数
定位精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 40 | |
平面度 | 546 nm | λ/4 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 | |
应用
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
主要特性
复合物 | GaSe | |
透光率, µm | 0.62 – 20 | |
非线性系数, pm/V | d22 = 54 @10.6 µm | |
对称度 | 六方晶系, 6m2 point group | |
晶胞参数, Å | a=3.74, c=15.89 | |
典型反射系数 | 10.6 µm | no=2.6975, ne=2.3745 |
光学损伤阈值, MW/cm2 | 1064 nm | 30 |
离散角, ° | 5.3 µm | 4.1 |
应用
10.6 µm激光辐射二次谐波的产生
中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µm。
AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2应用
中红外辐射的高效倍频
光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µm的中红外区域
各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µm at 300 K)
主要参数
AgGaS2 | ||
透明度, µm | 0.47 – 13 | |
非线性参数, pm/V | d36 = 12.6 @ 10.6 µm | |
负单轴晶体 | no > ne (at λ < 0.497 μm ne > no) | |
对称性 | 四方晶系, -42m point group | |
晶胞参数, Å | a=5.757, c=10.311 | |
典型反射指数 | 10.6 µm | no=2.3475, ne=2.2918 |
光学损伤阈值, MW/cm2 |
| 350 |
离散角, ° | 5.3 µm | 0.76 |
热导系数 k, WM/M°C | 1.5 | |
室温带隙, eV | Eg = 2.73 | |
在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mm | n0= ne, λ = 0.4974 μm | |
0.2透明度级别的远红外吸收边缘 | 0.86 THz; 346 µm | |
光学元件参数
定位精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平整度 | 546 nm | λ/4 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 | |
可提供大/长光学元件，请发送您的要求。
我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。
1年
是
有
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1年内
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