日本CSC司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200℃以上的生长温度,晶体生长腔压力可达300bar,甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶,介电和磁性材料单晶,氧化物及金属间化合物单晶等。
技术规范
模型fz - t - 4000 h -八世(vpo)电脑
卤素灯的类型
灯镜数量:4片
灯:4盏
大气
压力
压力0.95 MPa
真空6.7×10-3 Pa (5×10-5 Torr)
密封轴与石英管采用o型圈密封
生长方法镜像舞台动作
Max。温度2200℃
正常使用温度1850℃
灯功率1200w (300W × 4个灯)
4,000W (1,000W x 4盏灯)
温差<30℃(沿晶体周长)
灯具冷却空气
镜面冷却空气
石英管密封部分进水
Max。生长长度150mm
上轴移动距离150mm
Max。进料杆长度200mm
镜台:缓慢移动0.01~300mm/hr
镜台:快速移动6~ 150mm /min
上轴慢动0.01~ 300mm /hr
上轴快速移动6~ 150mm /min
上/下轴转速5~ 100rpm
监控CCD摄像头和LCD
控制系统计算机LabVIEW / Windows 10(带远程控制功能)
手动Hand-Control-Box
输出电压稳定性:源电压+/-10%时,输出电压小于+/- 0.2%
大气气体流速
(流量计)
a. 5L/min Ar (*1)
b. 500cc/min O2
(* 1)
c. 10L/min带压缩机的空气
公用电力3相200V, 30A
水3 ~ 5 l / min
炉膛尺寸
主体700W×760D×1950H (mm)
控制箱605W×760D×1700H (mm)
备注:
1. 可选灯功率:150W / 500W / 750W
2. (*1)可改变其他类型的气体和流量。
3. 保修;
Crystal Systems Corporation保证自安装之日起一(1)年内有效,但以下情况除外
不正常使用。(1)灯(2)镜(3)石英管等玻璃器皿不在保修期内
200天
1年
安装调试现场免费培训
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