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技术参数：
产品参数
类型 振幅调制器
EO-AM-NR 相位调制器
EO-PM-NR
晶体 铌酸锂(LiNbO3)
波长
C1 600 - 900 nm 600 - 900 nm
C2 900 - 1250 nm 900 - 1250 nm
C3 1250 - 1650 nm 1250 - 1650 nm
C4 400- 600 nm 400 - 600 nm
孔径 2 mm 2 mm
输入接口 SMA Female SMA Female
半波电压, Vπ 360 V @1064 nm(Typical) 240 V @ 1064 nm(Typical)
最大功率密度 2 W/mm2 @ 532 nm,
4 W/mm2 @ 1064 nm 2 W/mm2 @ 532 nm,
4 W/mm2 @ 1064 nm
主要特点：
产品特性：
振幅调制和相位调制
高性能、结构紧凑精巧
宽带DC耦合
2mm输入孔径
SMA输入接口
DC-100MHz带宽
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