| 型号： | X-tool |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | 高德英特 |
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Excitation Process激发过程
离子产生和表面灵敏度
一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片
只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面，被质量分析器探测出来
对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%
对于有机材料，原子和分子离子碎片百分含量可以从 .001% 到 1%
只从表面2个分子层激发出的粒子可以以离子态离开表面
TOF-SIMS 主要功能
采集离子质谱图用于表面元素（原子离子），同位素，分子化学结构（通过分子离子碎片）的表征
点或面扫描（2D成像）得到成分分布像，观察不同成分在同一条线或面的分布情况
深度剖析和3D成像可以分析不同的膜层结构和成分深度分布信息：多层膜层结构表征，成分掺杂深度，扩散，吸附等表征
所有元素探测– H, He, Li, etc. （H~U)
同位素的探测 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.
详细的分子信息 – 有机和无机
分子成像
平行探测–图像中每一像素点都有对应的全质谱
表面灵敏 – 样品表面 1-3 个原子 /分子层
痕量分析灵敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子浓度
快速数据采集 – 通常 1 – 15 分钟 (表面 IMS)
高空间分辨率
< 70 nm （成像模式下）
< 0.5 μm （保持较好质量分辨率下）
表面物理形貌信息
离子击发出的 SEI （二次电子像） < 60 nm
大的立体接收角 ~ 180o
可分析所有材料 – 导体，半导体和绝缘材料
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