方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 集成电路 |
检测项目 | 电化学及储能>其他 |
参考标准 | 碳化硅少子寿命测试仪、SiC少子寿命测量仪 |
近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高,在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体,与硅相比,它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一,特别是SiC在高压器件中的应用。因此,有必要进行寿命检测,以获得某一器件的顶配性能。
近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高,在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体,与硅相比,它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一,特别是SiC在高压器件中的应用。因此,有必要进行寿命检测,以获得某一器件的性能。为了制造出最高成品率的SiC器件,需要一种具有高分辨率的材料表征方法,以及一种研究SiC缺陷来源的方法,以进一步提高SiC器件的质量。
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