Advanced techniques based on TEM for the characterization of power semiconductor devices
Toray Research Center (TRC)多年来一直致力于推动半导体材料和器件分析技术的发展，并为日本和海外的客户提供各类分析服务。在本报告中，我们将从载流子浓度分布、界面和晶体缺陷等角度出发，重点介绍针对有望用于电动汽车的GaN和SiC材料，使用先进的透射分析电子显微镜（TEM）进行纳米级高空间分辨率评估的示例。凭借40多年的业务经验、分析技术和最新设备，TRC将为加快客户的研究和开发作出贡献。
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2021-10-24
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