等离子薄膜仪

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等离子薄膜仪相关的厂商

  • 中国博友纳米集团有限公司成立于2010年, 是一家集研发,设计,生产,销售及提供全面的售后服务为一体的高新技术环保纳米等离子喷涂设备、材料、技术公司。公司总部在湖南省,在北京顺义、江苏常州、浙江东阳、福建泉州、广东东莞建有分公司,印度和越南的分公司在2019年正式开张,公司已在中国贵州省黔东南州筹建10万平米以上研发生产和营销中心售后服务总基地及后续准备在贵州上市,海外其它国家的销售及技术服务分公司也在筹划中。我们的市场覆盖全球范围内的工艺品,塑料、塑胶、五金、玻璃、木材、陶瓷、家具,灯饰,汽车,装饰,电子电器等等各行各业领域任何需要喷涂效果的产品, 投入小,回报大,高新的技术和全面的技术支持和售后服务让我们的市场和业绩一直超高速的在增长。
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  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 400-860-5168转4180
    上海续波光电技术有限公司是一家专业从事高性能薄膜沉积及处理设备、光电材料及软件、金刚石合成及应用、激光等离子体仿真和诊断等产品及服务进口的技术贸易服务型公司。公司至今已与法国、德国、英国、瑞士、意大利、美国、加拿大、日本、俄罗斯等国家的多家企业建立了战略合作关系,并服务于国内从事微电子、半导体、光学、纳米技术等领域的研究所和大学。公司从事领域及产品主要包括:加速器质谱仪:第三代14C加速器质谱仪系统(AMS),包括全套可兼容第三代石墨化系统AGE3、气动压样装置PSP、铁制分配器FED、管密封装置TSE、气体电离探测器GID、气体接口系统GIS、碳酸盐处理系统CHS2、同位素比质谱仪IRMS。薄膜制备及处理:磁控溅射仪(magnetron sputtering system)、电子束蒸镀设备(E-beam Evaporation system)、离子束溅射沉积(IBS system)、化学束外延镀膜(CBE/GSMBE)、分子束外延设备(MBE)、离子减薄仪(Ion Milling)、超高真空多功能镀膜设备、高精密光学镀膜设备(Optical Coating system)、刻蚀机(RIE, RIEB)、超导约瑟夫森结制备(Josephson Junction, Qubits)、DLC类金刚石镀膜设备。金刚石制备及应用:纳米晶金刚石制备设备、热丝化学气相沉积(HFCVD)、CVD单晶金刚石合成设备、CVD光学级金刚石窗口合成、微波等离子化学气相沉积(MPCVD)、工具级金刚石涂层制备(tool coating)、金刚石单晶/多晶掺杂(single crystal diamond and doping)、CVD金刚石单晶及其应用、高温高压金刚石单晶(HPHT diamond)、金刚石抛光设备(diamond polishing)、激光切割设备(laser cutting)、钻石净度及切工评定仪器;高能密度物理:辐射流体力学模拟、原子光谱分析软件、多维碰撞辐射软件、三维热辐射CAD软件、状态方程和不透明度、原子物理数据库;微波干涉仪、金刚石靶丸、超高功率输出窗口;激光等离子体气体/固体靶、粒子加速器源、激光等离子体加速器及应用(无损测试)激光器与设计:固体激光器设计软件(Solid-state Laser)、光纤激光器设计软件(Fiber laser)、半导体激光器设计软件(Semiconductor laser)、激光镜面镀膜设备(Lasers coating system)、高功率激光输出窗口(High power output window)、高功率激光热沉片(Heat Sink)、高功率钻石激光器(Diamond Laser)、金刚石窗口镀增透膜(AR coating service);磁场分布测量:微霍尔阵列磁场相机(1D/3D)、大面积磁场分布测量解决方案、永磁转子表磁测量解决方案,多功能表磁测试平台
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等离子薄膜仪相关的仪器

  • 等离子薄膜溅射仪 400-860-5168转2205
    产品名称:等离子薄膜溅射仪 GSL-1100X-SPC-12产品简介:GSL-1100X-SPC-12型等离子薄膜溅射仪是为扫描电镜和电子探针等进行试样制备的设备,可进行真空蒸碳、真空镀膜和离子溅射,它也可以在高纯氩气的保护之下进行多种离子处理。用本设备处理的试样既可用于样品的外貌观察又可以进行成分分析,尤其是成分的定量分析更为适宜。本仪器装有分子泵,分子泵系统特别适用于对真空要求高、真空环境好的用户选用。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的人员健康造成损害!主要特点:抽速快,操作简便,真空度高,安全可靠技术参数:●试样处理室 (1)钟罩:内径250mm× 高度340mm (2)玻璃处理室: 玻璃罩 A:内径88mm× 高度140mm 玻璃罩 B:内径88mm× 高度57mm (3)试样台:直径40mm(最大) (4)试样旋转:电动 (5)挡板:电动 (6)蒸发加热器:可同时安装两个加热器 ●真空系统 (1)抽气系统:由分子泵、机械泵组成的高真空机组 (2)真空检测:热偶计、冷规 (3)常用真空度:1.3× 10-2 ~6× 10-3Pa (4)操作:手动 ●处理电源 (1)高压电源:DC3千伏10mA连续可变,用表指示。 (2)低压电源:AC10V100A连续可变,电流用表指示。 (3)电源要求:AC220V 50HZ 10A ●气体要求 氩气纯度99.9%(对样品有特殊要求时可使用) ●冷却要求 本系统采用F100/110F―普通轴承风冷涡轮分子泵,其冷却方式为风扇强制风冷和通水冷却两种,当工作环境低于32℃时,可采用风冷冷却,当工作环境温度高于32℃时,则必须采用水冷。重量:约150公斤 体积:L800mm× W560mm× H1340mm可选配件:氧化铝坩埚,石英坩埚,真空泵等具体信息请点击查看:
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  • 产品简介:GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪专门为在基底上镀金属膜(如金、铂、铟、银等)而设计,最大放置样品尺寸直径为40mm,膜厚可达300?,特别适用于为SEM样品镀金而作为导电极。 GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪操作视频 产品型号 GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪安装条件本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水:不需要2、电:AC220V 50Hz,必须有良好接地3、气:设备腔室内需充注氩气(纯度99.99%以上)清洗,需自备氩气气瓶4、工作台:尺寸600mm×600mm×700mm,承重50kg以上5、通风装置:需要主要特点 1、可以调节电流大小,可设置溅射时间。 2、已经过CE认证。技术参数 1、输入电源:208V-240V 50Hz/60Hz 2、样品台:?60mm,高度可调节 3、石英腔体:?100mm×130mm 4、进气口:内部装有阀门,可以向腔体内通入各种气体 5、靶材:纯度为4N的金靶,?57mm×0.12mm 产品规格 尺寸:480mm×320mm×150mm;重量:20kg可选配件 1、Au(?57mm×0.12mm,4N) 2、Pt(?57mm×0.12mm,4N) 3、Ag(?57mm×0.5mm,4N)
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  • GSL-1100X-SPC-12等离子薄膜溅射仪专门为在基底上镀金属膜(如金、铂、铟、银等)而设计,最大放置样品尺寸直径为40mm,膜厚可达300?,特别适用于为SEM样品镀金而作为导电极。主要特点1、可以调节电流大小,可设置溅射时间。2、已经过CE认证。技术参数1、输入电源:208V-240V 50Hz/60Hz2、样品台:Φ60mm,高度可调节3、石英腔体:Φ100mm×130mm4、进气口:内部装有阀门,可以向腔体内通入各种气体5、靶材:纯度为4N的金靶,Φ57mm×0.12mm 产品规格尺寸:480mm×320mm×150mm重量:20kg可选配件1、Au(Φ57mm×0.12mm,4N)2、Pt(Φ57mm×0.12mm,4N)3、Ag(Φ57mm×0.5mm,4N)
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  • 薄膜沉积工艺和设备简述
    薄膜沉积(Thin Film Deposition)是在基材上沉积一层纳米级的薄膜,再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行,就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层,而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物,以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法,因为它有如下的这些特点:1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜,也可以按要求制备多组分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行,镀膜的绕射性好,对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散,可以得到附着力好的膜层,这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多,由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层,这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高,一般要850~ 1100℃下进行,许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段:1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程:i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时,SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散,并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散,因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层,形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右,栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD,LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD,)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下,采用物理方法,将材料源(固体或液体) 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜, 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染,耗材少。成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法:◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating
  • 新型空穴型透明导电薄膜问世
    记者1月25日从中国科学院合肥物质科学研究院了解到,该院固体物理研究所功能材料物理与器件研究部和本院等离子所等单位科研人员合作,在空穴型近红外透明导电薄膜研究方面取得新进展:他们设计并制备了新型空穴型铜铁矿薄膜,并通过参数优化让新型薄膜获得了较高的近红外波段透过率和较低的室温方块电阻。相关研究结果日前发表在《先进光学材料》杂志上。  透明导电薄膜是一类兼具光学透明和导电性的光电功能材料,在触摸屏、平板显示器、发光二极管及光伏电池等光电子器件领域有着广泛应用。目前,商用的透明导电薄膜均为电子型,空穴型透明导电薄膜由于空穴有效质量大、空穴迁移率低和空穴掺杂性差,其光电性能远落后于电子型透明导电薄膜,这严重阻碍了新型透明电子器件的发展。  在国家自然科学基金的支持下,研究人员通过理论计算发现,含有铑、氧等元素的铜铁矿结构材料是一种间接带隙半导体,其中的铜离子与氧离子的原子轨道可进行杂化,从而减弱价带顶附近载流子的局域化,实现空穴型高电导率;另一方面该材料在可见光及近红外波段表现出弱的光吸收行为,具有高透过率。研究人员在前期金属型铜铁矿薄膜的研究基础上,采用非真空工艺进一步获得了大尺寸空穴型铜铁矿透明导电薄膜。该薄膜表现出主轴自组装织构的生长特征,有利于其内载流子的传输,提高空穴的迁移率。另外,由于三价铑离子的离子半径可实现空穴型载流子重掺杂,使得镁掺杂铜铁矿结构材料具有非常高的室温导电率、较高的近红外波段透过率以及低的室温方块电阻。  这种高性能的空穴型透明导电薄膜的发现,为后续基于透明电子型及空穴型薄膜的高性能全透明异质结构的研发及应用提供了一种潜在的候选材料。
  • “曼”谈光谱 | 熟悉又陌生的金刚石薄膜
    一提到金刚石这个词想必大家都不陌生了,今天要说的也是金刚石家族的一个成员——金刚石薄膜。什么是金刚石薄膜?金刚石薄膜是20世纪80年代中后期迅速发展的一种优良的人工制备材料。通常以甲烷、乙炔等碳氢化合物为原料,用热灯丝裂解、微波等离子体气相淀积、电子束离子束轰击镀膜等技术,在硅、碳化硅、碳化钨、氧化铝、石英、玻璃、钼、钨、钽等各种基板上反应生长而成。几乎透明的金刚石薄膜(图片来源:网络)集诸多优点于一身的金刚石薄膜,它不仅具有金刚石的硬度,还有良好的导热性、良好的从紫外到红外的光学透明性以及高度的化学稳定性。在半导体、光学、航天航空工业和大规模集成电路等领域拥有广泛的应用前景。至今为止,已在硬质切削刀具、X射线窗口材料、贵重软质物质保护涂层等应用中具有出色的表现。随着金刚石薄膜的研发需求和生产规模不断壮大,是否有一套可靠的表征方法呢?当然有!拉曼光谱用于碳材料的分析已有四十多年,时至今日也形成了很多比较完善的理论。对于不同形式的碳材料,如金刚石、石墨、富勒烯等,其拉曼光谱具有明显的特征谱线差异。此外,拉曼光谱测试是非破坏性的,对样品没有太多要求,不需要前处理过程,可以直接检测片状、固体、微粉、薄膜等各种形态的样品。金刚石薄膜的应力值是非常重要的质量指标。金刚石薄膜和基体之间热膨胀的差异以及其他效应(如点阵错配、晶粒边界的成键和薄膜生长过程中的成键变化等)导致了生长后的薄膜存在残余应力。典型可见光激光激发的拉曼光谱在1000-2000cm-1包含了金刚石薄膜的应力信息。对于较小的应力,拉曼谱图表现为偏离本征频率的一个单峰,并且谱峰会变宽。在高达140GPa的压力下,拉曼位移甚至能够偏移到1650cm-1,与此同时线宽增加了2cm-1。下图是安东帕Cora5001拉曼光谱仪检测的一张典型的非有意掺杂的金刚石薄膜的拉曼谱图。图中可以发现,除了位于1332cm-1的一阶拉曼谱线以外,也能够观测到其他很多拉曼谱峰,典型谱峰的位置和指认如表1中所示。Cora 5001系列拉曼光谱仪在金刚石材料的检测中具备很大优势:碳材料分析模式:智能分析软件中的Carbon Analysis Model可以自动进行寻峰、进行峰形拟合,再计算碳材料特征拉曼峰的信息。一级激光:金刚石材料的拉曼检测多使用532nm激发,有时也需要使用785nm激光激发,Cora5001可以做到一级激光的安全性能。自动聚焦:Cora5001 (Direct)样品仓室内配置了自动聚焦调整样品台,根据仪器自带的聚焦算法可以轻松实现聚焦,使拉曼测试变得简单便捷。双波长可选:金刚石家族的拉曼光谱与入射激光波长密切相关,多一种波长选择也许会得到不同的信息,这为信息互补提供必要条件。“双波长拉曼”每个波长都配置独立的光谱系统,只需按一下按键即可从一个波长轻松切换到另一个波长,无需额外调整样品。

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  • 石英管式微波等离子体发生装置制备金刚石薄膜

    富阳精密仪器厂电话:0571-63253615 传真:0571-63259015地址:浙江富阳新登南四葛溪南路26号 邮编:311404联系人:温先生电话:13968165189Email:manbbb@sina.com网址:www.jingmiyiqi.net 石英管式微波等离子体装置是我厂专门为大学和研究机构设计的小型化产品,可用于薄膜材料的制备和等离子体物理等方面的研究工作,并且特别适宜于大中专学校的材料、化学工程与工艺、物理等专业的学生实验。该装置利用微波能激励稀薄气体放电在石英管中产生稳态等离子体,通过通入不同的工作气体,可进行功能薄膜材料的制备、化学合成、表面刻蚀、等离子体诊断等多方面的实验。1 主要配置 1. 2.45GHz,0~500W微波功率连续可调,可满足不同实验的要求; 2. ф50mm的石英管真空室,带有一个观察窗和一个诊断窗口,保证各种实验方便进行; 3. 石英管采用水冷却,可保证装置在高功率条件下安全运行; 4. 配置了3路气体管路,气体流量控制方便; 真空测量系统及控制阀门可保证真空室所需的真空环境。2 典型实验 1. 等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积 A(气)+B(气)→ C(固)+D(气) 反应气体A、B被激发为等离子体状态, 其活性基团发生反应生成所需要的固态物沉积在基片上,可广泛用于薄膜或纳米材料的合成。如金刚石薄膜氮化碳薄膜、碳纳米材料等。 2. 等离子体表面刻蚀 A(气)+B(固)→ C(气) 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面原子发生反应生成气态物C,可用于集成电路的刻蚀实验。 3. 等离子体催化反应 利用等离子体中丰富的活性成分,如紫外和可见光子、电子、离子、自由基;高反应性的中性成分,如活性原子,受激原子态,从而引发在常规化学反应中不能或很难实现的化学反应。 4. 等离子体表面改性 A(气)+B(固)→ C(固) 反应气体A 被激发为等离子体状态与固体B表面发生反应生成新的化合物从而达到改变B物质表面性质的目的。可广泛用于高分子材料、金属材料及生物医用材料的表面改性实验。[em28] [em28] [em28] [em28]

  • 【资料】-微波等离子体及其应用

    【资料】-微波等离子体及其应用

    关键词: 化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积 微波等离子体CVD法 微波等离子体热处理仪 金刚石薄膜 微波烧结 新材料 纳米催化剂 一、微波等离子体简介等离子体的研究是探索并揭示物质“第四态” ——等离子体状态下的性质特点和运行规律的一门学科。它是包含足够多的正负电荷数目近于相等的带电粒子的非凝聚系统。等离子体的研究主要分为高温等离子体和低温等离子体。高温等离子体中的粒子温度高达上千万以至上亿度,是为了使粒子有足够的能量相碰撞,达到核聚变反应。低温等离子体中的粒子温度也达上千乃至数万度,可使分子 (原子)离解、电离、化合等。可见低温等离子体温度并不低,所谓低温,仅是相对高温等离子体的高温而言。高温等离子体主要应用于能源领域的可控核聚变,低温等离子体则是应用于科学技术和工业的许多领域。高温等离子体的研究已有半个世纪的历程,现正接近聚变点火的目标;而低温等离子体的研究与应用,只是在近年来才显示出强大的生命力,并正处于蓬勃的发展时期。微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积技术原理是利用低温等离子体(非平衡等离子体)作能量源,工件置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使工件升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积的一般技术,又有辉光放电的强化作用。 金刚石膜具有极其优异的物理和化学性质,如高硬度、低磨擦系数、高弹性模量、高热导、高绝缘、宽能隙和载流子的高迁移率以及这些优异性质的组合和良好的化学稳定性等,因此金刚石薄膜在各个工业领域有极其广泛的应用前景。 1. 在药瓶内镀上金刚石薄膜,可以避免药品在瓶内起反应,延长药品的保 全寿命; 2. 可作为计算机硬盘的保护层。目前的计算机硬盘,磁头在不用时要移到硬盘旁边的位置上,如果硬盘包有金刚石薄膜,则磁头可以始终放在硬盘上,这样就提高了效率; 3. 在切割工具上镀上金刚石薄膜,可以使工具在很长时间内保持锋利; 4. 用于制造带有极薄金刚石谐振器的扬声器; 5. 涂于计算机集成电路块,能抗辐射损坏,而一般硅集成块却易受辐射损坏。它能将工作时产生的热迅速散发掉,使集成块能排列得更紧凑些; 6. 用于分析X射线光谱的仪器,透过X射线的性能较别的材料好。 金刚石膜沉积必须要有两个条件: 1. 含碳气源的活化; 2. 在沉积气氛中存在足够数量的原子氢。 由于粒子间的碰撞,产生剧烈的气体电离,使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应,为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热激活的过程有显著不同。这两方面的作用,在提高涂层结合力,降低沉积温度,加快反应速度诸方面都创造了有利条件。 微波等离子体金刚石膜系统应由微波功率源,大功率波导元件、微波应用器及传感与控制四部分组成。应用器是针对应用试验的类型而设计,其微波功率密度按需要而设定,并按试验需要兼容各种功能,具有较强的专用性质。微波功率源、大功率波导元件及传感和控制三种类型的部件,是通用的部件,可按需要而选定。反应器必须可以抽成真空;且可置于高压。因此微波传输必须和反应器隔离开来。反应器中可以通入其他气体。下面是一个反应器图。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/05/200605221201_18795_1613333_3.jpg[/img]半导体生产工艺中已经采用微波等离子体技术,进行刻蚀、溅射、[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积、氧化硅片;还可用于金属、合金、非金属的表面处理;用于等离子体光谱分析,可检测十几种元素。 二、微波等离子体源 目前国内微波离子体源的研究工作,大部分在2450MHZ这个频段上进行,部分还可能采用915MHZ频段。这两个频段均采用连续波磁控管,并做成连续波功率微波源。但实际情况均具有较大的波纹因素,说得确切一些是三相全波整流或单相全波整流的波形被磁控管锐化了波纹状态。家用微波炉的电路结构实际上是可控的单相半波倍压整流电路,其波纹因素更大。 这种工作状态受电网波动的影响,平均功率不断变化,具有很大的不稳定性,造成功率密度的不确定。在微波等离子体金刚石膜制作系统要求很严格的情况下,会造成实验结果重复性不满意。因此需要稳定且纹波系数小的微波源是系统成功关键。 另外,近来微波等离子体的研究首先发现这些问题,电源的不稳定性会造成等离子体参数的变化。但用毫秒级的脉冲调制连续波磁控管,在许多实验中取得了良好的实验效果。理论分析调制通断时间的选定可以获得改善效果。 1. 物料介电损耗的正温度系数锐化了不均匀的加热效果,造成局部点的热失控现象。必要的周期停顿,利用热平衡的过程,可以缓解这些不均匀因素,抑制热失控现象的建立。 2. 避免了微波辅助催化反应过程中若干不需要副反应的累积。周期性的停顿可以避免这些副反应累积增强,停顿就是副反应的衰落,再从新开始,这样就避免了副反应的过度增长。 三、微波等离子体的应用 微波等离子体的应用技术主要用来制造特种性能优良的新材料、研制新的化学物质,加工、改造和精制材料及其表面,具有极其广泛的工业应用——从薄膜沉积、等离子体聚合、微电路制造到焊接、工具硬化、超微粉的合成、等离子体喷涂、等离子体冶金、等离子体化工、微波源等。等离子体技术已开辟的和潜在的应用领域包括:半导体集成电路及其他微电子设备的制造;工具、模具及工程金属的硬化;药品的生物相溶性,包装材料的制备;表面上防蚀及其他薄层的沉积;特殊陶瓷(包括超导材料);新的化学物质及材料的制造;金属的提炼;聚合物薄膜的印刷和制备;有害废物的处理;焊接;磁记录材料和光学波导材料;精细加工;照明及显示;电子电路及等离子体二极管开关;等离子体化工(氢等离子体裂解煤制乙炔、等离子体煤气化、等离子体裂解重烃、等离子体制炭黑、等离子体制电石等)。 微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积制备纳米催化剂的研究等。 微波等离子体的应用前景广阔。来源于汇研微波

  • 用 ICP-MS 进行 CIGS薄膜组分测试问题

    大家好,群中有没有人做过 用 ICP-MS(电感耦合等离子体质谱仪)测试 CIGS(铜铟镓硒太阳能电池)薄膜的组分。我想要做这方面的测试,我用10%的硝酸 溶解 CIGS 薄膜,但是CIGS薄膜好像不溶解, 只是呈片状 悬浮于溶液中。对于 用 ICP-MS(电感耦合等离子体质谱仪)测试 CIGS薄膜的组分, 大家有没有什么建议,希望大家 踊跃发言!

等离子薄膜仪相关的耗材

  • 透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗口
    透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗口产品概述: 与X射线用氮化硅窗口类似,透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低应力氮化硅薄膜基底。但整体尺度更小,适合TEM装样的要求。窗口有单窗口和多窗口阵列等不同规格。同时NTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。 现在可以提供透射电镜(TEM)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下: 外框尺寸: &bull 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:30 nm) &bull 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm) 边框厚度: 200µ m、381µ m。 Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm 可以为用户定制产品(30-200nm),但要100片起订。 本产品为一次性产品,不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。技术指标:表面平整度: 我们认为薄膜与其下的硅片同样平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度为:0.6-2nm。完全适用于TEM表征。 亲水性:该窗格呈疏水性,如果样品取自水悬浮液,悬浮微粒则不能均匀地分布在薄膜上。用等离子蚀刻机对薄膜进行亲水处理,可暂时获得亲水效果。虽然没有对其使用寿命进行过测试,但预期可以获得与同样处理的镀碳TEM网格相当的寿命。我们可以生产此种蚀刻窗格,但无法保证其使用寿命。如果实验室有蚀刻工具也可对其进行相应的处理提高其亲水性能。 温度特性: 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品,能够承受1000度高温,非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性: 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点: 1、 适合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的对同一区域的交叉配对表征。 2、 大窗口尺寸,适合TEM大角度转动观察。 3、 无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。 4、 背景氮化硅无定形、无特征。 5、 耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,(薄膜直接沉积在窗口上)。 6、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。。 7、 耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 8、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 详细请咨询:021-35359028/admin@instsun.com
  • 氮化硅薄膜窗-X射线用
    X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述: X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在&ldquo 离轴&rdquo 状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成,由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域,例如,X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下: 外框尺寸 (4种标准规格): &bull 5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形) &bull 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm) &bull 10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形) 边框厚度: 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm),但要100片起订。 本产品为一次性产品,不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标: 透光度: 对于X射线用窗口,500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果,对于软X射线(例如碳边吸收谱),100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性: 真空适用性数据如下:   薄膜厚度 窗口面积 压力差 &ge 50 nm &le 1.0 x 1.0 mm 1 atm &ge 100 nm &le 1.5 x 1.5 mm 1 atm &ge 200 nm &le 2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度: 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm),对于X射线应用没有任何影响。 温度特性: 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品,能够承受1000度高温,非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性: 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点: 1、 同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、 耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。 4、 耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 同步辐射X射线应用参考文献:PRL
  • 氧化硅薄膜窗-X射线用
    有需求请联系上海昭沅仪器设备有限公司! 021-35359028/29 氧化硅薄膜窗氧化硅薄膜窗RISUN推出新型二氧化硅薄膜窗系列产品。与氮化硅相比,氧化硅更易遭受化学侵蚀,且坚固性更差。但在X-射线显微镜中,由于没有N原子存在而倍受青睐。氧化硅与氮化硅薄膜窗比较:相比氮化硅薄膜,氧化硅薄膜更适合用于含氮样本。在EDS研究中,如基片薄膜含氮,则会与样本造成混淆。RISUN氧化硅薄膜窗特点许多研究纳米微粒,特别是含氮纳米微粒的人员发现此种薄膜窗格在他们实验中不可缺少。气凝胶和干凝胶的基本组成微粒尺寸极小,此项研究人员也同样会发现SPI氧化硅薄膜窗格的价值。 SEM应用中,薄膜背景不呈现任何结构和特点。 X射线显微镜中,装载多个分析样的唯一方法。 无氮RISUN氧化硅薄膜窗规格薄膜厚度窗口尺寸框架尺寸型号50nm1.5X1.5mm5.0X5.0mmRISUN100nm1.5X1.5mm5.0X5.0mm200nm1.5X1.5mm5.0X5.0mm硅片厚度:200um、381um、525um;定制系列RISUN也可以根据用户需求定制不同膜厚的氧化硅窗口。本产品为一次性产品,不建议用户重复使用;本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。应用简介实际上,RISUN氧化硅薄膜应用范围非常广,但所有应用都有无氮要求(因样本中有氮存在):1. 惰性基片可用于高温环境下,通过TEM、SEM或AFM(某些情况下)对反应进行动态观察。2. 作为耐用(如“强力”)基片,首先在TEM下,然后在SEM下对同一区域进行“匹配”。3. 作为耐用匹配基片,对AFM和TEM图像进行比较。4. 聚焦离子束(FIB)样本的装载。5.用作Ti、V、Mo等滤光器基质;用于X-射线光学设备中,如分光器定制服务:本公司接受特殊规格的产品预订,价格从优。详情请咨询:admin@instsun.com
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