场效应管测试仪

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  • 香港环球分析测试仪器有限公司 银牌23年
    400-860-5168转0264
    环球分析测试仪器有限公司(UATIL)成立于1982年，总部设在香港，是国外多家知名的高新科技仪器生产制造商在中国的独家总代理。主要产品电化学仪器：电化学工作站、光电化学测试设备 化学合成仪器：全自动反应系统、反应量热仪、超声波结晶系统、平行合成仪、高温高压釜、流动化学系统 萃取及纯化仪器：超临界萃取仪、快速制备色谱、固相萃取、溶剂蒸发仪、气体纯化系统 生命科学仪器：生物反应器、发酵罐、冷冻干燥机、移液工作站、离心浓缩仪 乳品分析仪器：乳品成分分析仪、体细胞计数器、奶牛生产性能测试仪 材料测试仪器：网格应变测试仪、杯凸试验机 惰性环境仪器：手套箱 微流控仪器：单细胞测序、细胞包裹、微流控芯片、微流泵、液滴微流控系统、3D芯片打印机
    主营产品： 电化学工作站   超临界萃取   微流控芯片   杯突试验机  
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  • 菲希尔测试仪器（中国）有限公司 白金9年
    400-801-9315
    FISCHER — 让测量变得简便！ 现今，FISCHER 的测量和分析仪器广泛应用于世界各个领域，可满足客户对高精度、高可靠性测量和操作简便的需求。我们通过专业的咨询服务为客户提供最佳的解决方案，即从第一次接触开始，不断沟通，直至达到定制化服务的理念。这些紧密合作与我们的创新驱动力不断结合，为形成新的测量解决方案奠定了坚实的基础。 HELMUT FISCHER集团是一家受德国基金会控股、专业生产和销售涂镀层测厚仪、材料分析仪、微纳米压痕仪（微纳米硬度仪）和材料测试仪的全球性集团公司。集团总部位于德国和瑞士，在德国、美国和英国各建有一个工厂、并设立了一个研究院和多个全球用户应用实验室，在全世界设有近50个分公司。??位于德国总部的基地，用于生产、物流、研发及客户应用??南通菲希尔测试仪器有限公司是HELMUT FISCHER集团在中国大陆地区设立的唯一子公司，全权负责FISCHER产品在中国地区的销售、安装、维修、备品备件及技术咨询等业务。FISCHER生产的涂镀层测厚仪主要分为：X射线涂镀层测厚及材料分析仪、β射线测厚仪、电涡流法测厚仪、电磁感应测厚仪、库仑法（多层镍电位差）测厚仪，除此之外还有包括 微纳米压痕仪（微纳米硬度仪）、电导率测试仪、铁素体含量测试仪、孔隙率测试仪 和 针孔测试仪 等在内的多种测试仪器。 FISCHER 公司生产的各类仪器，广泛应用于航天工业、航空工业、造船工业、港口机械、电镀工业、显像管流水线、电子工业（包括印制电路行业、半导体工业）、汽车工业、石油化工、黄金珠宝、手表、大专院校、科研单位、第三方测试机构等众多行业。 南通菲希尔测试仪器有限公司成立于1997年，位于中国上海，至今已在东莞建立了分公司；在北京、西安、青岛、厦门设立了办事处；并在成都、昆山、苏州、南京、宁波等地建立了售后服务点。FISCHER中国的应用实验室更是在2011年获得了ISO/IEC17025:2005认证。 “让用户满意”是公司的一贯宗旨，FISCHER将以一流的服务来赢得用户的信赖。选择FISCHER仪器，为您产品的超高品质提供保障。 认证在 FISCHER，产品和服务的认证和持续改进至关重要。这也是Helmut Fischer GmbH，Institut für Elektronik und Messtechnik 能够通过 ISO 9001 认证的原因。自 1997 年起，我们的质量管理体系已符合 DIN EN ISO 9001:2008 标准。 获得认证的校准实验室 获得认证的校准实验室2003 年，Helmut Fischer 成为了第一个根据 DIN EN ISO/IEC 17025 标准而获得的“表面尺寸”量值认证的德国公司。因此，公司有资格代表德国认证机构 DAkkS 来检验校准标准片，并为其出具证书供用户使用。校准标准片如可用于：例如，对 X 射线荧光仪器进行校准；从而极大地提高了测量的可靠性。 Germany: DIN EN ISO/IEC 17025 USA: ISO/IEC 17025:2005 & ANSI/NCSL Z540-1-1994 Switzerland: ISO 17025 SCS & STS DIN 成员（德国标准化学会） 自 2016 年 3 月 1 日起 FISCHER 成为 DIN 成员。公司自愿遵守标准化自律守则，提升总体经济竞争力。 应用实验室凭借我们在业内多年的经验优势，助力您解决复杂的测量难题。在遍及欧洲、亚洲和美国的七个应用实验室中，我们的技术专家会为客户在正确选择仪器、开发测量方法及确定合适的测量程序方面提供支持。 凭借我们在业内多年的经验优势，助力您解决复杂的测量难题。 所有 Fischer 集团内部的应用实验室之间都已建立联系，同时也与各高校、机构及企业建立了合作关系。这样稳定的知识交流体系能够确保获取到全球最前沿的专业知识，同时也能够应对特殊咨询。除提供客户定制培训（可以在我们的实验室进行也可以在您的公司进行）外，我们的技术专家也非常愿意协助您对测量结果进行分析。 Helmut Fischer 博物馆企业家 Helmut Fischer博士的专业知识、工作热情、发明家精神以及卓越的执行力是公司成功发展的源动力。他的成功故事从 1953 年在斯图加特创建的技术车间开始。现今，Fischer 作为业务遍及全球的大公司，已成为工业测量技术领域的领导者之一。持续改革与永无止境的创新是其从始至终一直坚守的明确目标。Helmut Fischer 研发的首款测量仪器 位于总部的博物馆展示了公司创始人，同时也是公司长期所有人 Helmut Fischer博士的成功人生。参观者们受邀来感受公司从小工厂成长为国际性解决方案提供商的发展历程，以及了解 Fischer产品从最初创意到最终投入市场的整个过程。Helmut Fischer 博物馆的常客：当地的在校学生 ????????更多详情请访问公司官网：http://www.helmutfischer.com.cn
    主营产品： 电磁 电涡流   纳米压痕仪   X荧光测厚仪   能散型XRF  
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  • 山东领创测试仪器有限公司
    山东领创测试仪器有限公司是集试验机、分析仪器等仪器仪表研发、制造、销售、服务于一体的高科技创新型企业。山东创领与山东省科学院强强联合，凭借着强大的技术研发团队，每年都有十几项新产品推出，现产品涵盖电子万能试验机、液压万能试验机、材料分析仪器 、无损检测仪器、生命科学仪器 、计量校验仪器、环境监测仪器 、石油化工检测仪器等八大系列500多个品种。并成为国内外许多知名检测仪器品牌的山东代理。山东领创测试仪器有限公司借助雄厚的技术实力，可以承接实验室整体设计及资质认定咨询。山东领创一流的产品质量、周到的售后服务得到了国内外知名院所和各界企业的信赖与支持，并与山东大学、山东省科学院、中国科学院工程研究所、中国建筑科学研究院等多家科研院所建立了长期的战略合作关系。山东领创以“诚信为本、引领创新”为宗旨，全面贯彻科学的管理体系，并成为国内为数不多的高精度仪器仪表生产及代理企业之一。公司秉承“专业创造品质、服务传递价值”的经营理念，不断对产品进行完善、创新，最大限度满足客户需求。公司谨遵“接到故障信息1小时内回应，2小时提供解决方案，专业工程师24小时内到达现场”的服务承诺，可随时为客户提供全方位的服务。山东领创测试仪器有限公司愿与社会各界朋友精诚合作，共展宏图！
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场效应管测试仪相关的仪器

  • DI-50-400-III-50A型 二极管反向恢复时间测试仪
    二极管反向恢复时间测试仪 一：主要特点A：测量多种二极管 B：二极管反向电流峰值≥100AC：二极管正向电流≥50AD：二极管反向电压分档设定Vr=0-100/0-400VE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G：EMI/RFI屏蔽密封 H：同步触发输出端二：应用范围A：快恢复二极管 B：场效应管（Mosfet）内建二极管C：IGBT内建二极管 D：其他需要测量trr的二极管三：DI-50-400-III外观介绍 第三代产品，在第二代产品的基础上，增加了0~50V低压大功率二极管的兼容测量；二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示，包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节显示与档位选择、恢复电流斜率调节、示波器波形采集端、示波器同步信号输入端。四：DI-50-400测试仪参数类 型数 值单 位备 注反向恢复电流≥100AA峰值，取决于二极管反向电压0-100/0-400V分档正向电流≥50A峰值触发频率0.5Hz手动按下电源输入220VAC功耗小于30W
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    厂商： 深圳艾克思科技有限责任公司
    品牌： 艾克思科技/xtech
    型号： DI-50-400-III-50A
    价格： 5.1万元
  • IGBT测试仪
    分立器件测试仪主要技术参数分立器件测试仪系统主要技术参数列表如下： 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V)主极电流 50A(加选件可扩展到100A至2500A)控制极电压 20V(加选件可扩展到80V)控制极电流 10A(加选件可扩展到40A)电压分辨率 1mV电流分辨率 100pA(加选件可扩展到1pA)测试速度 5ms/参数3300V、2500A以上可订制可测试器件种类该系统是专为测试大功率半导体分立器件而设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下19个类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：器件测试种类二极管DIODE稳压（齐纳）二极管ZENER晶体管TRANSISTOR(NPN/PNP)单向可控硅（普通晶闸管）SCR双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC金属－氧化物－半导体场效应管MOSFET(N-CH/P-CH)结型场效应管JFET(N-CH/P-CH)三端稳压器REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变）绝缘栅双极大功率晶体管IGBT(N-CH/P-CH)光电耦合器OPTO-COUPLER(NPN/PNP)达林顿阵列器件DARLINTON光电开关管OPTO-SWITCH继电器RELAY(A,B,C型）金属氧化物压变电阻MOV压变电阻VARISTOR智能功率模块IPM集成功率模块PIM
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    厂商： 陕西开尔文测控技术有限公司
    品牌： 开尔文测控/KEW-TEST
    型号： KEW3500
    价格： 面议
  • 半导体管测试仪
    ST-SP 2002_5半导体管测试仪可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-
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    厂商： 西安天光测控技术有限公司
    品牌： --
    型号： ST-SP 2002_5
    价格： 2999元
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场效应管测试仪相关的资讯

  • 新型有机场效应管研究：PFN+Br-中间层的引入极大提高C60单晶场效应管的性能
    有机场效应晶体管(organic field—effecttransistors)作为新一代电子元器件，自1986年问世以来，引起了学术界和工业界的广泛关注。与传统的无机半导体材料相比，有机半导体具有材料来源广，制备工艺简单，可与柔性衬底兼容等优点，在众多领域具有广泛的应用。有机场效应管性能的调解可以采用两种不同的手段：一、通过化学修饰来调解分子聚集态结构与界面电荷陷阱；二、提高载流子注入电的效率，通常方法为采用钙、镁等低功函数材料或采用复合电，减小接触电阻。Science China Chemistry近发表的一篇文章，报道了一种基于C60单晶的新型有机场效应管。通过PFN+Br-中间层的引入，大大地减小了电与半导体层的接触电阻，提高了载流子注入电的效率。其电子迁移率高达5.60cm2V-S-，阈值电压能够低至4.90V，性能远远高于没有PFN+Br-中间层的器件。 图1. C60带状晶体的形貌与晶体结构图：（a）C60晶体光学成像图；（b）C60晶体的AFM形貌图；（c）C60晶体的TEM成像图；（d）C60晶体的SAED图本研究采用美国Delong公司生产的超小型低电压透射电镜—LVEM5来表征C60的单晶带结构（如图1c所示），其主机采用Schottky场发射电子枪，能够提供高亮度高相干的电子束，并可直接放置于实验室的桌面上。在输出曲线中可以看出，IDS与VDS具有良好线性，表现出良好饱和特性。（如图2所示）。图2. 场效应管的性能表征：C60单晶不涂覆（a-c）/涂覆（d-f）共轭聚电；(a,d)转移曲线图；（b,e）45个器件电荷迁移率柱状图；（c,f）输出曲线图LVEM5加速电压只有5KV，但可以实现1.5 nm的分辨率，纳米结构可以获得高质量的电镜照片，且直接保存Tiff格式，无需转码。无需液氮，无需专人操作管理，操作维护简单快捷，是实验室的理想选择。* 展会快讯：Quantum Design中国子公司参加了 10月17-22日 在 成都 举办的“2017年电镜年会”，欢迎各位感兴趣的老师、同学亲临展台，参观指导，我们随时期待与您相会！ * 参考文献：Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.相关产品及链接：LVEM5 超小型透射电子显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C157727.htmRHK 扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C44442.htm电导率-塞贝克系数扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C71734.htm美国RHK无液氦低温STM/qPlusAFM系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C205015.htm超高分辨散射式近场光学显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C170040.htm
    时间： 2017-10-20
    作者： QUANTUM量子科学
  • 半导体情报，科学家在WSe₂场效应晶体管取得突破性成果！
    【科学背景】在过去六十年中，晶体管尺寸的不断缩小得益于诸如鳍式场效应晶体管（FET）技术的创新、高介电常数绝缘材料的集成、改进的互连技术以及极紫外光刻技术的进步。这些技术不断推动了集成电路（IC）组件密度的提升。然而，尽管器件级的缩放取得了显著进展，封装级的进展却相对滞后，这突显了三维（3D）集成作为一种“正交缩放”方法的重要性。3D集成通过减少占地面积、降低功耗、提高带宽、缩短连接布线以及降低寄生损耗等优点，提供了一种有前景的解决方案，能有效突破传统二维尺寸缩放的限制。工业界目前主要采用铜微凸点和通过硅通孔（TSVs）来堆叠分别制造的芯片，但TSVs具有较大的占地面积，导致显著的寄生电容和热/机械应力。因此，单片3D（M3D）集成被认为是未来3D集成电路的关键技术，其通过在单个晶圆上顺序制造层间通孔，解决了TSVs带来的局限性。M3D集成实现了更高的垂直互连密度、更短的连线长度，从而提高了速度并降低了功耗，同时也允许在一个或多个层中集成非硅材料，以提升性能或丰富功能。然而，M3D集成在采用相同（非硅）半导体材料的互补FET方面仍处于探索阶段，这主要由于n型碳纳米管FET和p型二维FET的开发进展有限。本研究针对这一现状，美国宾夕法尼亚州立大学Rahul Pendurthi，Saptarshi Das教授团队展示了基于n型和p型FET的两层互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片的M3D集成。这些FET采用通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术合成的大面积WSe₂ 制成。作者成功实现了晶体管级分区，将340个n型FET和340个p型FET分别放置在第1层和第2层。此外，作者展示了宽度为300 nm、间距为1 µ m的密集层间通孔，这在封装技术中达到了先进水平。同时，作者成功实现了包括27个反相器、12个NAND门和12个NOR门在内的3D CMOS电路。通过在不超过200°C的温度下制造M3D CMOS堆叠，本研究为2D/Si混合技术的后端集成提供了兼容的解决方案。这些成果不仅突破了传统封装技术的限制，还展示了二维材料在推动M3D集成方面的巨大潜力。【表征解读】本文通过拉曼光谱和光致发光（PL）测试，揭示了多层WSe2薄膜的晶体结构和光学特性。这些表征手段使我们能够深入理解WSe2的电子性质及其在CMOS电路中的应用潜力。针对WSe2薄膜中观察到的光致发光现象，作者利用透射电子显微镜（TEM）对样品进行了微观结构分析，得到了层间耦合效应及其对电子迁移率的影响，进而挖掘了WSe2在高效电子器件中的应用价值。在此基础上，通过扫描电子显微镜（SEM）和聚焦离子束（FIB）技术，本文获得了二维材料的详细形貌和结构特征。这些表征结果表明，WSe2在微米尺度下展现出良好的均匀性和层间一致性，进一步证明了其在集成电路中作为半导体材料的可靠性。特别是在对比不同厚度的WSe2样品时，作者发现其电学性能和光学响应显著依赖于层数，这为设计新型器件提供了重要指导。总之，经过综合的拉曼、PL、TEM和SEM等表征手段，深入分析了WSe2的结构特性和电子特性，进而制备出新型二维材料。这些研究不仅推动了对WSe2在集成电路中应用的理解，也为发展更高效的电子器件奠定了基础，标志着二维材料领域的又一重要进展。通过这些手段的结合，我们能够系统地解析材料的性能，并为未来的研究指明方向。【科学图文】图1：互补金属氧化物半导体CMOS 硒化钨WSe2 场效应晶体管FET的单片三维集成M3D。图2：大面积有机金属化学气相沉积法MOCVD WSe2合成和3D叠层制造。图3：单片三维集成M3D 互补金属氧化物半导体CMOS WSe2 场效应晶体管FET。图4：单片三维集成M3D逻辑门。【科学结论】本文首次成功实现了基于n型和p型WSe₂ 场效应晶体管的两层CMOS芯片的M3D集成，展示了二维材料在推动M3D技术方面的巨大潜力。这种集成方式突破了传统二维缩放的限制，为器件集成密度的提升和性能的优化提供了新的解决方案。其次，通过采用300 nm宽、间距为1 µ m的密集层间通孔，本研究实现了在两层芯片中连接超过340个n型FET和340个p型FET，标志着在高密度集成领域的显著进展。这种高密度的垂直互连方式不仅有效减少了互连线的长度，还降低了功耗和寄生损耗，提高了整体电路的性能。此外，本研究在200°C以下的温度下成功制造了3D CMOS电路，包括27个反相器、12个NAND门和12个NOR门，展示了M3D CMOS技术在实际应用中的可行性。这一成果表明，M3D技术不仅可以解决传统二维缩放中的热处理和性能问题，还为2D/Si混合技术的后端集成提供了兼容的解决方案。这些发现不仅扩展了M3D技术在高性能电子器件中的应用范围，还为未来在二维材料和3D集成技术方面的进一步研究奠定了基础。原文详情：Pendurthi, R., Sakib, N.U., Sadaf, M.U.K. et al. Monolithic three-dimensional integration of complementary two-dimensional field-effect transistors. Nat. Nanotechnol. (2024). https://doi.org/10.1038/s41565-024-01705-2
    时间： 2024-08-25
    作者： 仪器 Go
  • 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案（线上）讨论会顺利召开
    2021年5月26日下午，联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。会议由联盟标委会高伟博士主持，联盟秘书长于坤山提到团体标准作为国行标的补充，具有十分重要的意义，目前第三代半导体特别是碳化硅相关的应用发展迅速，国内外都非常的关注，但是缺乏相关的标准，该项标准的制定有助于促进相关平台的建设，推动企业研发工作的同时促进上下游之间的交流。本次会议主要针对T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论，并提出了诸多修改意见。SiC MOSFET的热阻在热管理设计中具有重要作用，热阻能够为器件运行时的结温评估与结构评价提供信息，为器件设计与优化改进提供参考，衡量器件散热性能的关键指标之一。准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价具有重要意义。
    时间： 2021-06-09
    作者： KPC
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  • DC-DC转换器可用的N沟道增强型高压功率场效应管：FHP840场效应管

    DC-DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器，即开关电源或开关调整器，广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。而DC-DC转换器中的MOS管则关系着电器里交流电直流电是否可以正常转换，而IRF840场效应管是目前DC-DC转换器中应用得比较多的场效应管型号之一。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/54b6d726997f802083ed7ce6b14627b2-sz_179567.JPG?x-oss-process=style/xmorient[/img]我们工作生活里几乎都离不开手机电脑，而如果DC-DC转换器中的场效应管质量不过关的话，转换器则无法进行电流转换，过电保护等流程，则很容易使这些电器出现故障。现在网络舆论传播速度极快，如果这些电器频繁故障，并不利于企业的品牌声誉，如果处理不慎可能还会影响到日后的生产经营。因此，厂家在采购场效应管时除了关注成本之外，也要关注这个场效应管的质量如何。而事实上DC-DC转换器可使用的场效应管除了IRF840场效应管，还是有不少可替代的场效应管，例如飞虹的这个FHP840 高压MOS管。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/c0a13a6679969948072fb49a098e74df-sz_422592.jpg?x-oss-process=style/xmorient[/img]飞虹的这个FHP840 高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，FHP840场效应管除了在电流转换，过电保护方面可替代IRF840场效应管，还可替代9N50场效应管和TK8A50D场效应管使用。FHP840 高压MOS管的封装形式主要为TO-220/O-220F，脚位排列方式为GDS，Vgs（±V）30，VTH（V）2-4，ID（A）9，BVdss（V）500，Rds（on）（max）0.8，且这个FHP840最大的特点就是可做到低电荷、低反向传输电容开关速度快，大芯片，耐过载冲击。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/654f913f0bc5a09412decfc6553dafbf-sz_100392.png[/img]广州飞虹电子通过不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP840低压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代IRF840场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。如有需要可百度搜索“广州飞虹MOS管”！

  • LED照明电器的前级电路可应用的场效应管：FHP3205低压MOS管

    也许我们消费者不知道逆变器，场效应管是什么，但作为LED这些照明工具的生产厂家对这些元器件肯定不陌生，毕竟LED这些电器的正常运转发光照明就必须通过场效应管进行过流放电。IRF3205场效应管是目前市场上LED厂家使用得相对较多的场效应管型号之一，但由于竞争压力、市场成本等原因，大多数厂家都想要找到比IRF3205场效应管性价比更高的替换场效应管。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/3b551f61bc04cc88880d24ff48aff39a-sz_171568.JPG?x-oss-process=style/xmorient[/img]逆变器其实和转化器一样，将直流电转变为交流电，是一种电压逆变的过程，而其中跟逆变器工作效率关联比较大的就是场效应管。场效应管在这之中的作用就是保护前级电路，控制电流大小；避免电流过大，引起电路损坏导致整个电器故障。如果同批次采购的场效应管质量不达标，极易引起大批量的产品返修或者退货问题，这除了会导致高昂的维修费和成本外，还不利于厂家品牌的长久经营。电器厂家在采购场效应管的时候一定要考察仔细，既要物美，也要价廉。而飞虹生产的这个FHP3205低压MOS管，性能稳定，参数与IRF3205场效应管相差无二，完全是可以替换使用的。飞虹的这个FHP3205低压MOS管是N沟道沟槽工艺MOS管，适用于300W/12V输入的逆变器的前级电路。FHP3205低压MOS管除了可以替换IRF3205场效应管之外，还能替换行业上的SKT55N100AT、150N06、FQP55N10、IRF1010E这几个型号的场效应管。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/bdc547069a6ff17c317f6cf8df1ad4d2-sz_144837.jpg?x-oss-process=style/xmorient[/img]FHP3205低压MOS管的封装形式主要为TO-220/TO-252/TO-263，脚位排列序为GDS，Vgs（±V）25，VTH（V）2-4，ID（A）130，BVdss（V）60，Rds（on）(typ)5.5，Rds（on）(max)8，且FHP3205场效应管最大的优势就是可做到低内阻，大电流。广州飞虹电子通过不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP3205低压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代IRF3205场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

  • 逆变器的替换场效应管型号：FHP740高压MOS管

    逆变器几乎能应用到我们生活中能接触到的一切电子设备中，因为它是将直流电转化为交流电的介体。电子工程设计师都知道，逆变器基本上是由MOS场效应管和电源逆变器构成的，因而场效应管的好坏也决定着逆变器是否能进行电流转换。而在300W/220V方波输出的逆变器电路中，现在使用较多的逆变器型号为10N40，但由于生产成本，产品质量原因等，不少电子厂家还是希望能有一些同质的替换产品。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/6cac7068b3e051325e13be9f636ba067-sz_179415.JPG?x-oss-process=style/xmorient[/img]逆变器的输出功率大小取决于MOS场效应管和电源逆变器的功率相结合，因而场效应管可通过的电流大小也是决定电子设备是否能正常使用的因素之一。为了避免电子产品因为电流电压的原因返修增加维修成本还不利于企业声誉，电子厂家在选择MOS场效应管的时候更应该多方比较其性能。飞虹自主研发的这个FHP740高压MOS管与10N40场效应管性能相差无几，可替换使用。飞虹的FHP740高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，除了可代替10N40场效应管使用，还可替换11N40、IRF740型号的场效应管。FHP740主要应用于300W/220V方波输出的逆变器电路，DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/654f913f0bc5a09412decfc6553dafbf-sz_100392.png[/img]FHP740高压MOS管的封装形式为TO-220/TO-220F，脚位排列是GDS，10A, 400V, RDS(on) = 0.55Ω(max) @VGS = 10 V，这个FHP740最大的特点就是低电荷、低反向传输电容开关速度快，低内阻，大功率。广州飞虹电子通过不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP740高压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代10N40场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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