电容薄膜真空计

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电容薄膜真空计相关的厂商

  • 泰州市爱德机电科技有限公司:专业从事测控仪器、仪表、专用真空测试设备、真空应用系统研发和生产的高新技术企业,是中国真空学会会员单位,江苏省真空学会常务理事单位。公司产品历史悠久,自上世纪七十年代末即研制生产真空继电器、常规真空计等,三十多年来,紧跟时代步,科技领先,研制的真空测控仪表和专业真空测控设备不断更新换代,最新产品智能真空仪、高精度陶瓷薄膜真空计、精密电容型真空压力变送器、防爆型智能真空计等高科技产品已广泛应用于科研、军工、航空、航天、机械、冶金、化工、医药、食品、电子、电力、环保、高效农业等行业。主要产品系列:VR-208系列智能真空仪(高精度薄膜真空计系列)ZKY-2000系列真空测控仪ZKJ-9095系列真空压力继电器PS-210/310/510系列真空度传感器PBS-310/510系列真空度变送器VRK-760系列精密真空度开关量传感器VRG—200数字式真空机组(系统)电器控制柜VTF-209 系列食品工业真空度测试台V-TXT—a~d 真空技术教学实验装置VMS-209系列数字真空源(智能真空发生器)VPS-100A\D系列袖珍式数字真空计VTXL-208c真空泄漏率快速测定仪
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  • 真空仪器(氦质谱检漏仪)及真空设备(氦检漏系统)、充氦回收系统、气密性检漏仪、真空镀膜设备、纳米薄膜及各类电气控制系统、夹具、冲堵头、的组装生产、研发、销售及真空机组、检漏平台、流水线体、非标自动化设备维修移机保养改造。高纯氦气、真空阀门、真空泵、真空测量仪器仪表、压缩机、机电产品、润滑剂、密封耗材批发及零售。承包检漏工程、检漏方案设计实施、检漏仪租赁业务、检漏仪校准、、真空镀膜服务、工业自动化设备以及电子产品、及计算机软件的研究、开发、销售、技术服务、技术咨询、系统集成及自营和代理各类商品和技术的进出口业务。
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  • 浙江科蕴电子科技有限公司一家是专业从事电容薄膜真空计产品生产制造、科研开发、产品销售为一体的企业,公司坐落于浙江省乐清经济开发区。多年来公司 形成了一套完整的研发、生产销售、服务为一体的经营模式。产品广泛应用于航天航空、半导体、泛半导体、光伏、医药、化学工业、石油冶炼、电子器件等相关领域。以优良的性能、良好的信誉,赢得了广泛的市场。公司一贯坚持“以人为本,以市场为导向”的经营理念,从产品的开发、模具的设计、原材料的采购、金属零部件的制作,到成品组装以及品质检测、包装发货等,每个环节均由专业的人员按照相应的标准层层把关,以生产适销对路、应用于全球范围内真空行业的产品为己任,积极追随、引进、借鉴国际知名品牌产品的技术,科技创新,锐意进取。
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电容薄膜真空计相关的仪器

  • Agilent PCG-750 规管将皮拉尼和陶瓷电容薄膜规管一体化,具备气体类型单独测量的特点,并提高了从大气压到 5x 10 -5 mbar (3.8 x 10 -5 Torr) 的测量精度。应用领域:真空测量- 高准确度和高重现性使大气压监测更为可靠- 快速大气压检测缩短了流程的循环周期- 对于 10 mbar 以上的压力,测量结果与气体种类无关,所以可安全排放任何混合气体- 坚固紧凑的外壳能以任何角度安装,易于集成到系统中- 设定点控制利用压力读数来执行关键操作- 可替换的即插即用传感器易于维修,降低了用户的使用维护成本- 镍灯丝选件提供了腐蚀性应用解决方案- 可选的高亮度彩色 LCD 显示屏,使压力读数更易监测。- 适合真空压力的安全监控、前级真空压力监控和进出样室控制,以及中级和粗真空范围内的常规真空测量和控制。- 采用便携式设计,并包括一个明亮且便于读数的显示屏。
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  • 二手MKS电容薄膜真空计提供检测报告,零点和满度已调整,误差千分之二
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  • INFICON Porter CDG020D 电容膜片真空计是高质量, 低成本, 与气体类型无关的绝对压强传感器。Porter 设计用于在工业环境中长期在线监测, 陶瓷传感器提供多年内无需维护的可靠的满量程和零点稳定性, 抗腐蚀的整体陶瓷传感器结构保证卓越的温度补偿。全数字电子学单元和紧凑的外型尺寸具有在任何组合中的灵活性。Porter 真空计稳定可靠,经济耐用。优越性 ■ 卓越的满量程稳定性 &ndash 与气体类型无关■ 抗腐蚀的氧化铝传感器■ 超小型, 同类产品中尺寸最小■ 易集成, 任何方位安装■ 数字讯号处理■ 无需维护 用途 ■ 真空镀膜■ 真空监测■ 消毒灭菌■ 食品和包装■ 真空炉, 拉晶器■ 分析■ 化学真空过程
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电容薄膜真空计相关的资讯

  • 光学薄膜的真空镀膜设备
    光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (PlasmaSystem)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw)
  • 薄膜沉积工艺和设备简述
    薄膜沉积(Thin Film Deposition)是在基材上沉积一层纳米级的薄膜,再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行,就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层,而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物,以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法,因为它有如下的这些特点:1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜,也可以按要求制备多组分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行,镀膜的绕射性好,对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散,可以得到附着力好的膜层,这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多,由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层,这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高,一般要850~ 1100℃下进行,许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段:1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程:i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时,SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散,并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散,因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层,形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右,栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD,LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD,)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下,采用物理方法,将材料源(固体或液体) 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜, 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染,耗材少。成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法:◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating
  • 纳米薄膜材料制备技术新进展!——牛津大学也在用的薄膜沉积系统,有什么独特之处?
    一、纳米颗粒膜制备日前,由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成,可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜,很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入,不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向,需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下,纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸,颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下,Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布(厂家测试数据)不同颗粒密度样品(厂家测试数据)纳米颗粒制备技术特点:▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调;▪ 多可达3重金属,可共沉积,可制备纯/合金颗粒;▪ 材料范围广泛,包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性(类似于反应溅射)▪ 的纳米颗粒层厚度控制,从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向:▪ 生命科学和纳米医学: 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向:电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究:光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化:燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器:生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而,人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物,想要消除铅对环境的影响,而迄今为止,这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的,如果将它们结合起来,就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期,牛津大学的光电与光伏器件研究组的HenrySnaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙,可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合,使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比,无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题,由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长,因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统,通过真空蒸发三种不同的前驱体,研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性,使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后,XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后,表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司,成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术,拥有雄厚的技术实力,推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统,可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点:▪ 蒸发设备:热蒸发(金属)、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射:直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性:可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备:二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制:触屏编程式全自动控制

电容薄膜真空计相关的方案

  • 真空度控制中电动针阀上游模式和电动球阀下游模式的考核试验方案和结果
    针对密封腔体内真空度(压强)的准确控制,本文基于薄膜电容真空计、电动针阀、电动球阀、真空泵和高精度PID控制器组成的真空控制系统,设计了上下游两种模式的控制试验方案。依据对两种试验方案分别进行了试验,考核了10Pa~600Torr真空度范围内十几个设定点的恒定控制精度,并用波动率描述了考核试验结果。试验结果显示在整个真空度量程范围内,恒定控制的波动率小于± 1%。
  • 上海伯东德国普发Pfeiffer 热销款皮拉尼真空计 TPR 270 升级上市
    上海伯东德国 Pfeiffer 热销款皮拉尼真空计 TPR 270 全新升级上市,测量准确,反应迅速,简单好用的优点外,还具有以下升级优点:1)真空计延展测量范围:1,000 -1 to 10-4 hPa2)提高测量精度:± 10 %3)可靠性更高-从2004年上市以来主要应用于大批量 OEM4)皮拉尼真空计优越的热稳定性,更完美的设计外观Pfeiffer 德国普发皮拉尼真空计 TPR 270 与同款真空计 TPR 280 对比,测量范围更广,测量精度更高型号 接口 测量范围 工作温度 测量精度 极限压力 重量 TPR 270 DN 16 ISO-KFDN 16 CF-F 1X10-4 - 1000 hPa 80 °C ± 10 % 400 kPa 135g TPR 280 DN 16 ISO-KFDN 16 CF-R1/8" NPT8 VCR 5X10-4 - 1000 hPa 80 °C ± 15 % 1000 kPa 80g TPR 280 DN 16 ISO-KFDN 16 CF-R 5X10-4 - 1000 hPa 250°C ± 15 % 1000 kPa 130g TPR 281(抗腐蚀系列) DN 16 ISO-KFDN 16 CF-R 5X10-4 - 1000 hPa 80 °C/250°C ± 15 % 1000 kPa 80g Pfeiffer 德国普发皮拉尼真空计 TPR 系列测量范围从1000 hPa 到 5 10-4 hPa,设计紧凑,测量准确,反应迅速,简单好用,适合一般的真空应用, Pfeiffer德国普发皮拉尼真空计TPR 系列多种接口可选.* 全系列真空产品维修保养促销活动:活动期间所有维修保养产品免收检测费,定期做保养服务可有效延长产品使用寿命,减少企业生产成本!上海伯东销售维修德国普发 Pfeiffer全系列产品已有10余年,公司自 1995 年成立以来已累计为数千家客户提供销售维修服务,维修次数累计超过数万余次保证 100 % 德国普发 Pfeiffer 原厂维修保养料件和受德国 Pfeiffer 专业培训的工程师,并用 Pfeiffer 原装进口检测设备对维修后的产品做全方面的性能测试,保证维修质量,并在上海,台湾等地区设立维修保养中心.上海伯东凭借其专业的技术背景及良好的服务质量是中国地区多家大型企业和国家研究机构长期合作指定供应商.上海伯东主要经营产品:德国普发Pfeiffer涡轮分子泵,干式真空泵,罗茨真空泵,旋片真空泵:应用于各种条件下的真空计,氦质谱检漏仪,质谱分析仪,以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源,美国HVA真空阀门,Polycold冷冻机等
  • 数字针阀在便携式真空计校准装置中的应用
    针对便携式真空计校准装置以实现真空计的现场校准,基于静态比对法校准技术,本文提出了一种采用微型数字针阀和上下游双向气体流量调控模式的技术方案,结合双通道高精度的真空度PID控制器,可在真空度精密控制的前提下解决现场校准和便携性问题。

电容薄膜真空计相关的资料

电容薄膜真空计相关的试剂

电容薄膜真空计相关的论坛

  • 谈谈薄膜真空计(1)

    薄膜真空计是迄今为止唯一得到公认的可作为低真空测量(0.01--100Pa)工作副标准的一种真空仪器,也是我国唯一具有法定计量校准检定规程的一种真空度计量器具(校准参照规程:Q/WHJ46-1998标准型电容薄膜真空计校准规程)电容薄膜真空计是一种绝压、全压测量的真空计,原理是把加于电容薄膜上的压力变化产生膜片间距离的变化,即产生了电容的变化,再通过鉴频器把电容变化转换成为电流或电压的变化,组成为输出信号,所以,它的测量是直接反映了真空压力的变化值,而且只与压力有关,与气体成分无关,即:薄膜真空计是一种直接测量式的、全压型的真空计。而我们的真空设备的真空度测量控制常用的真空计往往是电阻计、热偶计等等间接测量的真空计,是一种热传导型的真空测量方法,简单一点来说,就是通过测量感受气体温度的方法来间接测量气体压强(真空度),是一种类似于大家很熟悉热电阻、热电偶的测量方法,。由于测量原理上的先天不足,这类真空计的测量精度、测量稳定度是很不好的。其测量误差一般比薄膜真空计大1~2个以上数量级(误差大于30%,行业标准是50%),尤其是在低真空段,误差更大,另外,使用过电阻计、热偶计的度知道,这些仪表测量前还需要零点、满度校正,怎么能够用于在线测量控制呢?另外,遇到氢气等小质量的气体就无法测量了,如果要测,也查表换算,到底真空度是多少?猜吧。不过,它确实也有它的优点的:制造容易、价格低廉,在许多的要求较低真空设备上还普遍使用着,……用过电阻计的都领教过它的烦心。许多人抱怨花了3、4千元买到进口的真空传感器也误差大、毛病多?就是因为老外的这个价位的产品还是老的热传导测量机理的真空传感器。所以选择真空计、真空传感器、首先要看看什么原理、什么类型的,而不是数字、智能,测量机理陈旧,再怎么数字、怎么智能,也于事无补的。未完待续

  • 谈谈薄膜真空计(2)

    现代真空应用技术的发展,涉及的应用范围越来越广泛、真空应用设备对仪器仪表的要求越来越高,特别是对测量精度、稳定性要求、以及自动控制性能要求也越来越高,这直接关系到真空设备的整体性能质量,关系到真空应用技术或应用工艺的应用效果,甚至于成功与否。在精细化工、真空冶炼、真空单晶炉、真空热处理、真空浸渍、真空冷冻干燥、真空绝缘处理、电真空器件、半导体材料生产、高特新材料、新能源设备等等行业中尤其特出。许多新设备、新工艺、新产品的开发之所以老是无法实现预想的技术指标和效果,往往就是因为真空测控仪表选型不当、其实际的测量控制精度无法达到设计要求所造成的。当然,薄膜真空计也不是没有缺点的,首先是价格高,国内一般是4-6千元,量限低的贵些;进口则1.6—2.5万元/只左右;其次,国内老式的薄膜规容易零漂,需要经常校正,要求高的经常校正。主要是技术陈旧,国内材料科学相对落后造成的,温度稳定性不好;还有一个量程跨度小,国内的不超过3个数量级。第三是国产规娇气,容易坏,有油污进去很难清洗,要用丙酮,清洗挽救13往往会报废,小量程的23会坏。所以,我们需要有一种具有国产价格、进口品质的、使用方便、经久耐用薄膜真空计。结合我国国情、学习国际先进的真空测量新技术,我们能够做得到的。分析国外的薄膜真空计与我们旧式国产产品的有什么不同呢?简单说一说,其核心技术一是陶瓷薄膜电容真空压力测量技术、二是现代智能仪表技术。首先是通过大规模厚膜电路(国内有些厂家还是20年前的007运放),将薄膜电容测量机构和传感器调理电路微型化,做在陶瓷基片上,另外,将智能仪表电路微型化,一次仪表和二次仪表合二为一,所以量程宽、精度高、体积小;(其典型代表如莱宝62x、英福康TCBG等等)。未完待续

  • 谈谈薄膜真空计(3)

    谈谈薄膜真空计(3)

    http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/10/201110211922_325615_1608408_3.jpg学习和引进国外先进核心技术,,根据我国真空设备配套测控仪表的特点,研制出的陶瓷薄膜真空计,其测量精度和稳定性已经完全可以与进口产品相媲美了。根据国内设备的习惯,控制柜上数字面板表,还是经常使用的,采用专门设计的具有真空测控特点的精密二次仪器仪表,借籍于现代智能仪表技术的科技成果,有利于提供测量的精度、分辨率、稳定性和可靠性,增加智能化的自动控制功能,(可以配接任何一种模拟量、数字量的接口,比进口的薄膜真空计更灵活、更方便)实践证明,陶瓷薄膜真空计使用到真空冷冻干燥机、真空单晶炉、气氛真空炉、真空精馏设备、真空镀膜机等设备,做真空测量和自动控制,带来极大地方便和性能提高,可以快速升级为智能型的真空应用设备。当然,也可以用到实验室、计量室作为相应的真空段的0.1级标准器,陶瓷芯片的优异性能使其年稳定度达到0.1%以上。

电容薄膜真空计相关的耗材

  • 数字真空计
    数字真空计为皮拉尼式真空计,即电阻式真空计,并带有控制功能。 产品型号数字真空计技术参数1、输入电压:110V-220V2、测量范围:10-4torr-1000torr3、接口:1/8″NPT产品规格尺寸:?48.3mm×104.7mm注意事项在测量腔体真空度为10-4torr-10-3torr前,必须进行零点校准,否则显示真空度会有较大的偏差。
  • 数字真空计安装变径
    数字真空计安装变径用于真空计的安装。
  • Nalgene 6133 可修复式手动真空泵(带真空计),锌合金
    Nalgene 6133 可修复式手动真空泵(带真空计),锌合金?该款真空泵结实耐用,能轻松快速地达到并保持25 in.(635 mm) Hg 的真空状态。单手操作即可完成真空触发释放,食指轻触即可释放真空状态。可调节真空释放率。其泵送率为15 cc/ 冲程,排气口处的正压为15 psig(1.0 bar)。全空口压力为两次冲程后得到的测量数据。排气口上带有活动盖,真空触发释放时不会断开真空泵与管线的连接。机身由锌合金材料制成,经久耐用。使用工具箱(目录编号6133-1000)可轻松地拆开修理或更换内部零件。订货信息:Nalgene 6133 可修复式手动真空泵(带真空计),锌合金目录编号 6133-0010每盒数量1每箱数量4
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