单晶少子寿命测试仪

SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数，也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中，少子寿命决定了少子扩散长度， 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数；载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响，抑或是存在污染， 进行失效分析，对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料，电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，载流子浓度是一定的。然而，外界的作用会破坏这种热平衡，使其处于与热平衡相偏离的状态，随之改变的是载流子的浓度， 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子，通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后，处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减，直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类：SRH 复合、辐射复合及俄歇复合（直接和间接）。(a) SRH 复合； (b) 辐射复合； (c) 直接俄歇复合；（d）间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面，*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体，常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试，间接带隙半导体一般寿命较长， 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体，复合的能量几乎全部以发光的形式放出，发光效率高，寿命较短（典型的寿命在10-8-10-9s），通常使用时间分辨光致发光光谱（TRPL）的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后，少子的浓度（ΔC）随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知，少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中，发光的强度与少子的浓度相关，因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块，就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息，这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计，包含显微镜主体，激光光源，光子计数检测器，单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发，通过控制样品台的移动，可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术， 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势，可以应用在AR/VR，可穿戴光电器件，柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别，因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合，可以看到红圈中的污损位置，虽然影响发光强度，但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料，具有高光学吸收，高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调，制备成本低等优点，可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域，例如钙钛矿太阳能电池，钙钛矿量子点，钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分，且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试，可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标：光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms（具体视激光器而定）小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数：脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度＜ 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm，单向定位精度≤ 30μm，水平负载：30Kg；光谱仪320mm焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD出口，配置三块68×68mm大面积光栅， 波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD( 可扩展PL mapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm,探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得发光衰减曲线，实时生成发光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的寿命成像数据，逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4），对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统

灵活的OEM少子寿命测试仪器，用于各种不同样品的少子寿命测量，从单晶硅砖到多晶硅砖，从生长的硅片到不同层或金属化的硅片的过程控制。标准的软件接口，便于连接到许多处理或自动化系统。在众多的少子寿命测量方法中，MDP（微波检测光电导率）采用改进的少子寿命检测技术，是微波检测光电导衰减法检测仪中常用的仪器之一，少子寿命测试仪原理从载流子输运原理出发，建立广义速率方程和偏微分方程系统。拥有先进的灵敏度和分辨率，很大程度提升在线检测的速度和质量，快速出具少子寿命测试的实验报告。 MDPlinescan被设计成一个易于集成的OEM设备，可以集成到各种自动化检测线。关键的是在传送过程中进行少子寿命扫描。样品通常由测量头下面的传送带或机器人系统携带。应用实例包括从晶砖到晶圆检测，单晶少子寿命测试、多晶少子寿命测试，每块晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是经典的通用案例，也用于钝化和扩散后的工艺质量检查，还有许多其他特殊的应用的可能性。易于集成，只需要以太网连接和电源。 MDPlinescan W 包括一个额外的电阻率测量选项。 优点： ◇ 在µ -PCD或稳态激励条件下线扫描少数载流子寿命和电阻率是这个小型设备的重要功能； ◇ OEM设备可以集成到多晶或单晶硅片的生产线上，在不同的制备阶段，直至器件、砖块或晶锭。 ◇ 小巧的尺寸和标准的自动化接口使其易于集成。重点是测量结果的长期可靠性和精确性。 示范性线状扫描图 细节： ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 技术规格: 样品多种尺寸的多晶或单晶晶片，如156mm×156mm、晶砖、电池片等样品尺寸50 x 50 mm² 以上电阻率0.2 - 10³ Ωcm电导类型P,N样品类型硅片、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多的产品可测量的特性少数载流子寿命硬件接口以太网尺寸规格体积：174 x 107 x 205mm；重量：3公斤电源24 V DC, 2 A

仪器简介：少子寿命测试仪性能参数： 测量原理 QSSPC（准稳态光电导）少子寿命测量范围 100 ns-10 ms测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq.注入范围：1013-1016cm-3感测器范围 直径40-mm测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm （或更小尺寸）硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m外界环境温度 20° C&ndash 25° C功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器：200W 光源：60W通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪Best available calibrated measurement of carrier recombination lifetime. Widely used for both monocrystalline and multicrystalline wafers.Product OverviewWCT testers showcase our unique measurement and analysis techniques, including the highly regarded Quasi-Steady-State Photoconductance (QSSPC) lifetime measurement method developed by Sinton Instruments in 1994.The QSSPC technique is ideal for monitoring multicrystalline wafers, dopant diffusions, and low-lifetime samples. This method complements the use of the transient photoconductance technique that is also standard on this instrument.The QSSPC lifetime measurement also yields the implied open-circuit voltage (versus illumination) curve, which is comparable to an I-V curve at each stage of a solar cell process.WCT System CapabilitiesPrimary application:Step-by-step monitoring and optimization of a fabrication process.Other applications:　Sinton Instruments' analysis yields a calibrated carrier injection level for each wafer, so you can interpret lifetime data in a physically precise way. Specific parameters of interest are displayed and logged for each measurement.&bull Monitoring initial material quality&bull Detecting heavy metals contamination during wafer processing&bull Evaluating surface passivation and emitter dopant diffusion&bull Evaluating process-induced shunting using the implied I-V measurementFurther Information技术参数：FAQ:&bull What is the recombination lifetime?&bull How does the solar cell efficiency depend on the lifetime?&bull What determines the lifetime in silicon?&bull How is lifetime measured by the Sinton Instruments tools?&bull How is the data analyzed?&bull Can you measure surface recombination velocity?&bull Does the system measure emitter saturation current density?&bull Can wafers be measured with no surface passivation (&ldquo out of the box&rdquo )?&bull Can any of these instruments do lifetime maps?&bull How do these measurements compare to microwave PCD?&bull What lifetimes can be measured?&bull What is the smallest sample size?&bull How do you measure bulk lifetime on blocks or ingots?&bull At what carrier density should I report the result?&bull Can the lifetime tester be used to detect Fe contamination?&bull How is the instrument calibrated?&bull When should wafers be tested inline?&bull Does the lifetime tester measure the trapping?　Module and Cell Flash Testers frequently asked questions主要特点：常见问题：WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）而WT2000是微波光电导。WCT-120/100准稳态光电导法测少子寿命的原理？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）