价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士,分机109
留言咨询