氧化双

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  • 电解双喷铜样品如何防止氧化

    紫铜样品,本来以为很容易,电解双喷就可以了,但是氧化很明显。请教那位有做过的经验可以交流,比如可取的电解液。另外,低温电解有效吗?

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  • 【安东不怕扰e直播】食品氧化
    氧化安定性测试仪:RapidOxy 100独特的 氧化安定性测试仪通过提高温度和使用过量纯氧来加速氧化过程。RapidOxy 100 非常适用于确定植物油和动物油(如人造奶油、黄油、食用油)、食品(如蛋黄酱、沙司、奶油、奶酪、饼干)、化妆品(润唇膏、护手霜、润肤露等)以及香料和香精的氧化安定性。关键功能快速且独特的测量方法优异的重现性和可重复性测量范围高达 180 °C与其他加速老化方法相比,可以在极短的测试时间内获得结果样品量较少,通常仅需 5 mL 或 4 g无需进行样品制备可使用磁搅拌器(可选)用柔软的棉纸和酒精可以快速轻松地清洁测量室和内置的玻璃样品盘基于 ASTM D8206 的测量原理操作简单且直观独立仪器(无需外部 PC)采用现代化设计的 5.7" 宽大电容触摸显示屏测量过程中可以在显示屏上监控压力曲线实时显示温度、时间和压力简便的数据传输和数据评估数据传输 (.rtf、.csv)采用 PC 软件(可选)进行数据监控与处理2 个 USB 端口紧凑且现代化的设计,占用空间小且重量轻占用空间极小 (200 mm x 400 mm),高度为 250 mm重量不足 9 kg,方便搬运(和在实验室内移动)环保型仪器清洁过程无需酒精外的其他化学品;没有试剂消耗样品制备不需要化学品玻璃样品盘可重复使用封闭系统,除样品外无其他消耗提高了能效,大幅缩短了反应时间,从而提高了化学过程的整体能效节能环保的帕尔贴冷却系统,测试结束后帕尔贴自动高效地重新冷却
  • 福州大学-康宁反应器应用认证实验室氧化新案例
    背景介绍环氧苯乙烷又称氧化苯乙烯,可用作环氧树脂稀释剂、UV-吸收剂、增香剂,也是有机合成,制药工业、香料工业的重要中间体。如环氧苯乙烷催化加氢制得的β-苯乙醇是玫瑰油、丁香油、橙花油的主要成分,广泛应用于食品、烟草、肥皂及化妆品香精。 二、传统工艺分析环氧苯乙烷工业上主要通过卤醇法和过氧化氢催化环氧化合成。卤醇法由于其能耗高,污染重,是一个急需改进的工艺;而借助有机金属催化进行的过氧化氢环氧化因其环保,无污染等优点,使得该工艺具备广阔前景。但其缺点也很明显,反应时间过长,过氧化氢用量过大,制约了其工业化应用。 三、连续流工艺探讨福州大学的连续流专家郑辉东团队就苯乙烯环氧化进行了一系列连续流研究,希望借助微反应器技术解决苯乙烯催化环氧化存在的问题。首先作者对2,2,2 -三氟苯乙酮的催化机理作了探讨。氟原子是一个良好的吸电子基团,2,2,2-三氟苯乙酮能与MeCN和H2O2反应后,生成一个更具活性的五元环氧化剂中间体,稳定这种过渡态是提高反应转化率和选择性的关键。?接着郑教授团队用该催化剂进行了釜式工艺的对照实验,确定了反应的催化剂,溶剂及缓冲液体系(如上图所示),并完成了20mmol的放大实验。这里,作者进行了釜式条件下,反应时间和转化率相关性的研究,如下:结果表明,只有通过延长反应时间至5小时,且增加反应浓度(减小反应体系的溶剂和缓冲液用量),才能得到90.3%转化率,95.7%选择性(Fig 1b);此外,过氧化氢的用量需4个当量。作者分析原因,认为是非均相反应放大过程中,两相无法快速有效地混合以及换热效率低下导致局部反应差异化过大所致。因此,作者希望借助Corning 反应器高效优异的传质传热特性来解决这一问题。作者根据釜式工艺,在筛选优化了反应温度,催化剂比例,溶剂配比和流速等参数后,最终确定以模式3进行连续流环氧化,如下图所示,在模式3下,反应在80℃,背压8bar,总流速30ml/min,缓冲液流速8.5ml/min,通过过氧化氢的二次进料以及首次反应液的二次反应,可实现96.7%转化率,95%选择性,最终收率可达91.8%。整个反应耗时仅需3.17min,与釜式工艺的5小时相比,反应时间大大缩短,且反应效果更好(釜式工艺下,转化率仅90.3%),此外过氧化氢用量减小至3个当量。究其原因在于Corning反应器独特的心形结构设计,从而大大强化了反应过程中的传质和传热,使得反应速度大大提升。实验结论:●通过Corning连续流反应器发展并优化出一种新的苯乙烯环氧化工艺;●使用该连续流工艺,可获得较之釜式更为优异的反应结果,转化率96.7%,选择性95%;●该连续流工艺反应耗时更短(3.17min),安全性更高;●该工艺可以无缝放大,非常适合苯乙烯环氧化的工业化应用。参考资料:Journal of Flow Chemistry (2020). DOI:10.1007 /s41981 -019-00065-62018年9月5日,福州大学和美国康宁公司就微反应器应用创新达成战略合作伙伴协议,成立了福州大学-康宁反应器应用认证实验室。这是美国康宁公司在中国高校系统搭建的第一家反应器应用认证实验室,也是全球第6家反应器应用认证实验室。福州大学是国家“双一流”、国家“211工程”重点建设大学。石油化工学院在坚持发展创新的同时,一直把环保和安全作为专业教育的重要内涵,同时积极推进“产学研”深度融合,实现了多方的互利共赢、共同发展。福州大学-康宁反应器应用认证实验室成立一年多,在郑辉东教授的带领下,完成了多项研究,实验室成果的技术转化正在稳步推进中。康宁反应器技术有限公司版权所有未经许可,不得做任何形式的转载和出版
  • 半导体情报,科学家提出室温下的氧化铟三维垂直集成新方法!
    【科学背景】三维垂直集成技术是当今集成电路领域的研究热点,通过在单一衬底上堆叠多层器件,可以实现高密度、能效高且低成本的集成电路。然而,开发可扩展的三维薄膜晶体管(TFT)集成工艺面临诸多挑战。传统的制造方法如晶片-晶片结合存在低功率密度、高温处理及缺乏标准化等问题,限制了其广泛应用。为了克服这些挑战,沙特阿卜杜拉国王科技大学Saravanan Yuvaraja,Xiaohang Li等人合作在“Nature Electronics”期刊上发表了题为“Three-dimensional integrated metal-oxide transistors”的研究论文。科学家们提出了在室温下在硅/二氧化硅衬底上单片式三维集成氧化铟(In2O3)TFT的方法。这种方法与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容,能够堆叠多达十层的n型通道In2O3 TFT,并制造不同结构的器件,包括底栅、顶栅和双栅TFT。研究结果显示,双栅器件表现出优异的电性能,如最大场效迁移率达到15 cm2 V&minus 1 s&minus 1,亚阈摆幅为0.4 V dec&minus 1,开关比高达108。通过在不同位置单片集成双栅In2O3 TFT,科学家们还成功创建了具有高信号增益和良好噪声裕度的单极反相器电路。尽管在本研究中尚未制造垂直互连访问,但提出了潜在的制造方法,有望减少制造复杂性。这一研究为三维集成电路技术的发展提供了新的思路和解决方案,推动了在低成本、高效能集成电路领域的进一步探索与应用。【科学亮点】(1)实验首次在室温下实现了单片式三维垂直集成的氧化铟(In2O3)薄膜晶体管(TFT),采用了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的方法。(2)实验通过堆叠十层n型通道的In2O3 TFT,在不同层次制造了底栅、顶栅和双栅TFT,展示了多种结构的器件。作者的研究结果表明,双栅TFT器件在电性能上表现出显著的提升,包括最高达到15 cm2 V&minus 1 s&minus 1的场效迁移率、0.4 V dec&minus 1的亚阈摆幅和高达108的开关比。(3)通过在不同位置单片集成双栅In2O3 TFT,作者成功创建了具有约50的信号增益和优良噪声裕度的单极反相器电路。这些双栅器件还允许微调反相器,以实现对称的电压传输特性和最佳的噪声裕度。【科学图文】图1: 氧化铟In2O3薄膜晶体管thin-film transistor,TFT的3D单片集成。图2. 制造垂直集成在10-S器件中的单个薄膜晶体管TFT的工艺步骤及其结构和元素分析。图3. 器件特性。图4. 使用垂直集成的In2O3 薄膜晶体管TFT制造的电压反相器电路和操作特性。图5. 可配置反相器电路的特性图。图6. 基准图表。【科学结论】本文探索并实现了在室温下将氧化铟(In2O3)薄膜晶体管(TFT)单片式三维集成的方法,这一创新不仅突破了传统集成电路制造的温度限制,还展示了可与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的技术路线。通过这一方法,研究团队成功在硅/二氧化硅(Si/SiO2)衬底上堆叠了多达十层的In2O3 TFTs,实现了各种不同结构的设计。实验结果显示,这些器件具有优异的电性能,包括高达15 cm2 V&minus 1 s&minus 1的场效迁移率、仅为0.4 V dec&minus 1的亚阈摆幅以及高达108的开关比,为未来高密度、能效高且低成本的集成电路提供了新的可能性。特别值得关注的是,通过在不同层次单片集成双栅In2O3 TFT,研究团队成功创建了性能优越的单极反相器电路,展示了高达50的信号增益和优异的噪声裕度。这不仅突显了三维垂直集成技术在电子器件设计中的潜力,还为实现更复杂、功能更强大的集成电路奠定了基础。参考文献:Yuvaraja, S., Faber, H., Kumar, M. et al. Three-dimensional integrated metal-oxide transistors. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928-024-01205-0

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  • RapidOxy快速氧化安定性测试仪测量原理:RapidOxy通过升高温度和通入一定压力的氧气来加速氧化过程在一个密闭的测试仓中,充氧加热保持温度不变,监测压力降优势:无需脂肪提取适用于液体,固体和半固体样品操作简单,清洗方便低样品量,约5mL高安全性,德国BAM认证配置OxyLogger软件,方便操作和监测全程测试典型应用:提高温度条件下氧化安定性测试保质期预测受控的加速老化试验抗氧化剂的筛选包装和存储条件相关工业:食品化妆品石油售前售后服务:安东帕(中国)提供用户所需的售前售后各种服务RapidOxy 通过提高温度和增大氧气压力人为地加速氧化过程。它能快速测定氧化安定性,而无需提前制备样品。将样品放入测试池并密封后,向测试室通入氧气,然后加热样品。耗氧量通过压力降低来标示。测量持续进行,直至达到转折点 – 即定义的压降。该结果称为诱导期 (IP),即从测试开始到转折点之间的时长,它表示所测样品的氧化安定性。该仪器是保质期调查、进货质量控制和产品开发的明智之选,即插即用,操作便捷,方便日常实验室测量以及研发用途的使用。最重要的是该仪器获得联邦材料研究与测试研究所(德国)的安全认证实现最高的用户安全性。 应用范围:润唇膏、护手霜、润肤露等化妆品植物油和动物脂肪之类的食品蛋黄酱、饼干等其他食品样品润滑油及润滑脂、及抗氧化剂 无与伦比的重复性和易操作性:安全隔离罩:实现最高的用户安全性和完美的温度稳定性测量池:不锈钢测量池通过帕尔贴温控元件,控温精确稳定;耐化学性极佳,清洁快捷方便内置样品盘:无需进行样品制备—可盛装液体、固体和半固体样品;样品用量小
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  • 二氧化氯是一种新兴的优良水消毒剂,已经越来越广泛地使用在饮用水消毒领域,然而二氧化氯消毒也有一个缺点:控制不当会引起消毒副产物亚氯酸盐含量超标。根据卫生部有关资料显示:长期接触超标的亚氯酸盐可能引起人的红血细胞病变,为此国家生活饮用水卫生标准GB/5749-2006中特别新增了亚氯酸盐的控制性指标,要求经二氧化氯消毒过的水中亚氯酸盐的残留量不得大于0.7mg/L。深圳清时捷Q-CL501A便携式二氧化氯双参数测定仪是一款能够检测亚氯酸盐的水质测定仪,仪器的功能和性能都全面超越了同类型的国产甚至进口产品,采用最权威经典的消毒剂检测方法——DPD分光光度法,与最新的国标方法完全一致,既可以检测二氧化氯等新型消毒剂的残留量,同时可以检测出二氧化氯的消毒副产物——亚氯酸盐;既能满足自来水厂对亚氯酸盐的检测控制,更为饮用水安全体系提供最好的保障!技术参数检测项目:二氧化氯 亚氯酸盐检测方法:DPD分光光度法读数分度:0.01mg/L量程范围:二氧化氯0.02~10.00mg/L 亚氯酸盐0.00~2.00mg/L精密度:全量程平均偏差≤3%±0.01仪器尺寸:16×6.2×3cm仪器重量:0.15kg电源:2节AA碱性电池功能特点1. 引进美国技术,自主研发,获得三项专利技术;2. 与国标GB/T5750—2006现场方法完全一致,是新国标的配套分析仪器;3. 便携式设计,便于现场检测;4.采用超密封稳定结构,外壳防护等级达到GB4208-1993规定的IP54要求,确保了在恶劣环境下测量准确性;5. 能够在10分钟以内快速准确地完成游离二氧化氯、亚氯酸盐等全部5项目检测并得到结果的高科技水质分析仪。仪器性能:1. 采用最新的微处理技术和高可靠性集成电路,确保仪器持久可靠;2. 采用超密封稳定结构,外壳防护等级达到GB4208-1993规定的IP54要求,确保了在恶劣环境下测量准确性;3. 预存高精度全数学模拟工作曲线,确保直读结果可靠;应用范围可广泛应用于城市供水、食品饮料、环境、医疗、化学、制药、热电、造纸、养殖、生物工程、发酵工艺、纺织印染、石油化工、水处理等领域的水质现场快速检测或实验室标准检测(检测二氧化氯 、 亚氯酸盐)。
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  • 二氧化氯双参数测定仪 天尔TE-70z可以检测水中余氯、总氯、化合余氯,依据DPD光度法设计研发,运用光电比色检测原理取代传统的目视比色法,操作简单,测量准确,自带户外便携检测箱,携带方便。本仪器符合国家标准《GBT 5750.11-2006 生活饮用水标准检验方法》消毒剂指标的测定方法。可广泛用于自来水厂、城市供水、医疗废水、游泳池水、消毒剂中等水质中余氯、总氯、化合余氯的检测。二氧化氯双参数测定仪 天尔TE-70z功能特点:01)采用DPD光度比色法测定,测量准确,浓度直读;02)可自动调零和标定,用户可随时校正仪器;03)内存工作曲线可直接使用;04)运用微电脑触摸式键盘,中文界面显示;05)低功耗配置,具有低电压提示功能。二氧化氯双参数测定仪 天尔TE-70z技术参数:测定原理:光电比色法自动关机:无操作10分钟后自动关机供电电源:6F22 9V电池
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    低维材料在线商城可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片,质量优良;氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度,使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层,它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中,热氧化层都扮演着非常重要的角色,以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。应用范围:1,刻蚀率测定2,金属打线测试3,金属晶圆4,电性绝缘层产品名称:4英寸二氧化硅抛光硅片 (SiO2)生长方式:直拉单晶(CZ) 热氧化工艺直径与公差:100±0.4mm掺杂类型:N型(掺磷、砷、锑) P型(掺硼)晶向:111\100电阻率:0.001-50(Ω?cm) 可按客户要求定制工艺数据:平整度TIR:3μm 、 翘曲度TTV: 10μm 、弯曲度BOW 10μm 、粗糙度0.5nm、颗粒度 10 (for size 0.3μm)现有规格:50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm用途介绍:用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 类型1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸单面抛光片1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸双面抛光片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸二氧化硅片(SiO2)不可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸可定制切割片、研磨片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制区熔本征高阻不掺杂硅片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制单晶硅棒1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制注:本商城提供多系列多规格的硅片,标价仅为一种规格,如需多种规格请与客服联系。
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