硼化铈

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  • 【求助】碳化硼透射电镜制样

    请各位帮帮忙要做碳化硼的透射电镜样,可是它太硬了,用金刚轮切了2-3小时,只是微小的缝隙。而且碳化硼是耐磨材料,超耐磨。请问,要用什么方法切割以及磨片呢?

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  • 六硼化镧(LaB6)灯丝与飞纳电镜六硼化铈灯丝(CeB6)区别
    说起台式扫描电镜的灯丝,只分两种,六硼化铈(CeB6)灯丝和钨灯丝。这两种灯丝在本质上差别很大,单根六硼化铈(CeB6)灯丝的寿命为 1500 小时,单根钨灯丝的平均寿命为 40-80 小时;在亮度方面,六硼化铈(CeB6)灯丝是钨灯丝的 10 倍,灯丝的亮度可以显著提高电镜的分辨率。如下图所示:
  • 微波消解碳化硼
    碳化硼,别名黑钻石,分子式为B4C,通常为灰黑色微粉。是已知最坚硬的三种材料之一(其他两种为金刚石、立方相氮化硼),用于坦克车的装甲、避弹衣和很多工业应用品中。不受热氟化氢和硝酸的侵蚀,溶于熔化的碱中,不溶于水和酸。由于制备手段的因素,碳化硼容易形成碳缺陷,导致硼碳比在很大的范围内变化而不影响其晶体结构,这往往导致其理化性能的降低。这种缺陷往往难以通过粉末衍射分辨,常常需要化学滴定以及能量损失谱确定。为了对其成分进行分析,采用微波消解的方法进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续对痕量元素的准确快速测定。
  • 微波消解碳化硼
    碳化硼,别名黑钻石,分子式为B4C,通常为灰黑色微粉。是已知最坚硬的三种材料之一(其他两种为金刚石、立方相氮化硼),用于坦克车的装甲、避弹衣和很多工业应用品中。不受热氟化氢和硝酸的侵蚀,溶于熔化的碱中,不溶于水和酸。由于制备手段的因素,碳化硼容易形成碳缺陷,导致硼碳比在很大的范围内变化而不影响其晶体结构,这往往导致其理化性能的降低。这种缺陷往往难以通过粉末衍射分辨,常常需要化学滴定以及能量损失谱确定。为了对其成分进行分析,采用微波消解的方法进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续对痕量元素的准确快速测定。

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  • 大连化物所实现半导体光催化硼化反应
    近日,大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组(02T6组)戴文研究员团队在多相光催化硼化方面取得新进展。团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂,利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用,通过选择性硼化反应,实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳(杂)环的高值转化,合成了硼氢化和硼取代产物。氮杂环卡宾硼烷(NHC-BH3)由于其化学性质稳定且制备方法简单,近年来作为一种新型硼源,被应用于自由基硼化反应中。然而,大量有害的自由基引发剂或昂贵且无法回收的均相光催化剂的使用仍然阻碍其广泛应用。因此,发展一种通用、廉价且可循环的催化体系对NHC-BH3参与的自由基硼化反应的发展具有重要意义。在上述研究背景下,戴文团队发展了一种简单、高效的多相光催化体系。该体系利用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂,NHC-BH3为硼源,在室温光照的条件下,实现了多种烯烃、炔烃、亚胺、芳(杂)环以及生物活性分子的选择性硼化反应。由于该转化过程充分利用了光生电子—空穴对,从而避免了牺牲剂的使用。进一步研究发现,该催化体系不仅能够实现克级规模放大,且催化剂多次循环后依旧保持稳定的收率,同时,该催化体系作为一个可循环的通用平台,回收后的催化剂仍可继续催化不同种类底物的硼化反应,这些结果可为以NHC-BH3为硼源的自由基硼化反应的发展提供新思路。此外,该工作还对所得到的有机硼化物进行了衍生化,合成了含有羟基,硼酸酯和二氟硼烷反应活性位点的合成砌块。  戴文团队一直致力于多相催化大宗化学品(烯烃、炔烃、有机硫化物和醇等)的高附加值转化并取得了一系列研究成果:在前期的工作中,分别发展了钴基氮掺杂介孔碳催化醇的氧化酯化制备酯(Angew. Chem. Int. Ed.,2020)、廉价锰氧化物催化醇的氧化氨化制备酰胺和腈(Chem,2022)、铁单原子纳米酶催化酮的氧化氨化制备腈(Science Advances,2022)、锰氧化物催化不饱和碳氢资源的氧化氨化制备酰胺和腈(JACS Au,2023)、钴纳米颗粒和钴单原子协同催化有机硫化物制备酰胺和腈(Nat. Commun., 2023)。  相关研究成果以“Facile Borylation of Alkenes, Alkynes, Imines, Arenes and Heteroarenes with N-Heterocyclic Carbene-Boranes and a Heterogeneous Semiconductor Photocatalyst”为题,于近日发表在《德国应用化学》(Angewandte Chemie International Edition)上,并被选为热点文章(Hot Paper)。该工作的共同第一作者是大连化学物理研究所02T6组博士后谢复开和科研助理毛展。上述工作得到了辽宁省优秀青年基金的资助。
  • 中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-015)——超高热导率半导体-砷化硼的载流子扩散动力学研究
    以下文章来源于国家纳米科学中心 ,作者刘新风课题组1 工作简介——超高热导率半导体-砷化硼的载流子扩散动力学研究国家纳米科学中心刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队在超高热导率半导体-立方砷化硼(c-BAs)单晶的载流子扩散动力学研究方面取得重要进展,为其在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在Science杂志上。随着芯片集成规模的进一步增大,热量管理成为制约芯片性能越来越重要的因素。受散热问题的困扰,人们不得不牺牲处理器的运算速度。从2004年后,CPU的主频便止步在了4 GHz,只能通过增加核数来进一步提高整体的运算速度,然而这一策略对于单线程的算法却是无效的。2018年,具有超高热导率的半导体c-BAs的成功制备引起了人们极大兴趣,其样品实测最高室温热导率超过1000 Wm-1K-1,约为Si的十倍。c-BAs不仅具有高的热导率,由于其超弱的电声耦合系数和带间散射,理论预测c-BAs还同时具有非常高的电子迁移率(1400 cm2V-1s-1)和空穴迁移率(2110 cm2V-1s-1),这在半导体材料系统中是非常罕见的,有望将其应用在集成电路领域来缓解散热的困难并且能够实现更高的运算速度,因而通过实验来确认这种高热导率的半导体材料的载流子迁移率具有非常重要的意义。虽然c-BAs被制备出来,但样品中广泛分布着不均匀的杂质与缺陷,为其迁移率的测量带来极大的困难。一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,然而电极的大小制约着其空间分辨能力,并直接影响到测试的结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。通过大量的样品反复比较,研究团队确定了综合应用XRD、拉曼和带边荧光信号来判断样品纯度的方法,并挑选出了具有锐利XRD衍射(0.02度)窄拉曼线宽(0.6波数),接近0的拉曼本底,极微弱带边发光的高纯样品。进一步,研究团队自主搭建了超快载流子扩散显微成像系统。通过聚焦的泵浦光激发,广场的探测光探测,实时观测载流子的分布情况并追踪其传输过程,探测灵敏度达到了10-5量级, 空间分辨能力达23 nm。利用该测量系统,详细比较了具有不同杂质浓度的c-BAs的载流子扩散速度,首次在高纯样品区域检测到其双极性迁移率约 1550 cm2V-1s-1, 这一测量结果与理论预测值(1680 cm2V-1s-1)非常接近。通过高能量(3.1 eV,400 nm)光子激发,研究团队还发现了长达20ps的热载流子扩散过程,其迁移率大于3000 cm2V-1s-1。立方砷化硼高的载流子和热载流子迁移速率,以及其超高的热导率,表明其可以广泛应用在光电器件、电子元件中。该研究工作厘清了理论和实验之间存在的巨大差异的具体原因,为该材料的应用指明了方向。图1. 瞬态反射显微成像和在c-BAs中的载流子扩散。(A)实验装置示意图,激发波长为600 nm探测波长为800 nm (B)不同时刻的瞬态反射显微成像(标尺1微米) (C)典型的载流子动力学 (D)0.5 ps的二维高斯拟合 (E)不同时刻的载流子分布方差随时间的演化及载流子迁移率,误差标尺代表95%置信拟合区间。国家纳米科学中心副研究员岳帅为文章第一作者,刘新风研究员为通讯作者。文章的共同第一作者为休斯顿大学田非博士(现中山大学教授),共同通讯作者为休斯顿大学包吉明教授和任志锋教授。该研究工作得到了中国科学院战略性先导科技专项(B类)、国家自然科学基金委项目、万人计划青年拔尖人才计划、科技部重点研发计划、科学院仪器研制项目等项目的大力支持。2作者简介通讯作者刘新风,国家纳米科学中心研究员,博士生导师。2004年获东北师范大学学士学位。2007年获东北师范大学硕士学位。2011年获中科院大学博士学位。2015年中科院海外人才计划加入国家纳米科学中心。2021年获中组部人才计划支持。目前担任中国科学院纳米标准与检测重点实验室副主任。研究方向为半导体材料微纳尺度光与物质相互作用光谱和物性研究。近年来在Science, Nat. Mater., Adv. Mater., Nano Lett.等期刊上发表论文210余篇,总引用15000余次,H因子61。担任Nat. Nanotech., Sci. Adv., Nano Lett., Adv. Mater. 等国际学术期刊审稿人。任Journal of Physics: Photonics, Nano Materials编委会委员,InfoMat, Materials Today Physics, Materials Today Sustainability, Frontiers of Physics青年编委。通讯作者包吉明,美国休斯顿大学电子与计算机工程系教授,博士生导师。美国物理学会会士,美国光学学会会士。2003年于密歇根大学获得博士学位,导师Roberto Merlin,2003年-2008年在哈佛大学做博士后研究,合作导师为Federico Capasso。2008年加入美国休斯顿大学电子与计算机工程系。主要研究方向为新型纳米材料的制备与纳米光电子学研究。发表文章250余篇,引用量19000,H因子62。通讯作者任志锋,教授,博士生导师。现为美国休斯顿大学物理系M.D. Anderson讲席教授,德克萨斯州超导研究中心主任。1984年在西华大学获得本科学位,1987年在华中科技大学获得硕士学位,1990年在中科院物理所获得博士学位。他的研究集中在具有高ZT值和高功率系数的热电材料、极高热导及载流子迁移率的砷化硼单晶、用于提高石油采收率的纳米材料、电解水产制氢催化剂、用于捕获和消灭SARS-CoV-2冠状病毒的加热过滤器、碳纳米管、太阳能转换材料、柔性透明电子器件和超导材料及其应用等。第一作者岳帅,国家纳米科学中心副研究员。2016年于中科院物理所获理学博士学位,导师翁羽翔研究员。2017年-2020年在电子科技大学-美国休斯顿大学从事博士后研究,合作导师王志明教授和包吉明教授。2020年加入国家纳米科学中心。长期从事超快光谱研究。在Science, PNAS, Nature Materials 等期刊上发表论文20余篇,申请专利5项。第一作者田非,中山大学材料科学与工程学院教授,博士生导师。2012年本科毕业于南开大学物理科学学院,2013年进入美国休斯顿大学物理系攻读博士学位,导师是任志锋教授。2018年获得博士学位后,继续在任志锋教授课题组从事博士后研究。2020年起加入中山大学材料科学与工程学院。长期从事新型散热材料的合成和制备,基本性质的表征和分析,以及相关应用的设计和开发。目前已在国际主流学术期刊发表论文三十余篇。
  • 著名催化科学开拓者、色谱学者彭少逸院士逝世
    p   化学界5月6日痛失巨擘。中国科学院山西煤炭化学研究所5月8日发布的讣告称,中国著名燃料化学家、催化专家,中国科学院院士,中国化学学会常务理事,中国科学院山西煤炭化学研究所名誉所长彭少逸先生,因病医治无效,于2017年5月6日凌晨0时29分在美国洛杉矶与世长辞,享年100岁。 /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201705/insimg/49326fa7-98f6-49d7-98d7-426a24cd092d.jpg" title=" 201705081122143554.png" / /p

硼化铈相关的仪器

  • 仪器简介:适合于食品、医药品、细胞组织等的冷冻干燥,一次处理量可以达到10L的生产型设备。 干燥棚即可以进行冷却也能进行加热,所以试料置于棚内后可进行预备冻结和冷冻干燥。 棚的冷却加热采用热媒体循环方式,与加热器加热、冷冻机制冷方式相比,温度分布更加均一。 棚内没有加热器,所以清洗时不用担心漏电。 干燥棚内可以进行预备冻结和冷冻干燥,无需将样品取出,不受室温的影响。 配有安全装置,防止棚温度异常上升。 FD-500P型通过确定升华潜热的预处理程序,可以得到含水率、菌生存率等数据,并且可以记录真空度、棚温度和试料温度。 FD-550P可以通过程序调节冻干时间,可根据需要调节晶体尺寸,根据程序进行的冻结干燥,可以展现优异的干燥处理能力。技术参数:棚温度控制方式: 冷媒循环方式 冷阱温度: -45℃ 除湿量: 10L/回(1回=24小时) 预冻结槽温度: -35~-30℃ 到达真空度: 6.67Pa 干燥棚温度调节范围: 10~40℃ 干燥棚温度设定· 显示: 手动旋钮设定· 数字显示(最小精度1℃) 数字输入设定· 显示(仅P型) 安全机能: 漏电· 电流过高保护器、棚温度过升防止器、冷冻机高压压力开关、真空泵保护装置 冷冻机· 冷媒: 空冷式 输出1.1KW+0.2KW· R22 干燥棚面积: 360W× 450D× 20H× 3层(mm) 0.48m2 冻干仓尺寸: &Phi 500× 500H 120L· SUS304 冷阱尺寸: &Phi 260× 553H mm 外部尺寸· 重量: 1102W× 797D× 1504H· 约350kg主要特点:产品特点: 1、冷却温度-45℃,除湿量10L; 2、干燥棚即可以进行冷却也能进行加热,所以试料置于棚内后可进行预备冻结和冷冻干燥; 3、棚的冷却加热采用热媒体循环方式,与加热器加热、冷冻机制冷方式相比,温度分布更加均一; 4、干燥棚内可以进行预备冻结和冷冻干燥,无需将样品取出,不受室温的影响; 5、FD-500P型通过确定升华潜热的预处理程序,可以得到含水率、菌生存率等数据,并且可以记录真空度、棚温度和试料温度; 6、FD-550P可以通过程序调节冻干时间,可根据需要调节晶体尺寸,根据程序进行的冻结干燥,可以展现优异的干燥处理能力; 7、R型和P型带记录计,可对各种数据进行详细记录; 8、完善的安全机能确保您的使用方便和安全。
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  • 六硼化镧单晶阴极lanthanum-hexaboride-cathodes-single-crystal高电流、高亮度、单晶发射电流密度高达 30 A/cm 2发射表面尺寸范围长寿命工作压力 10 -7 torr定制尺寸在 AEI 底座、紧凑型 CB-104 底座上或要求定制安装
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  • 适用范围 适用于煤炭、电力、冶金、化工等化验室以及大专院校的实验室分析和工业热处理等行业。尤适用于流动气氛条件下各类固体材料的高温合成、煅烧、焙烧、烧结、灰化、焚化、熔融及热处理等。通用功能1、组成:微波加热箱体、微波发生器、物料输送系统、控制系统、三通高硼硅玻璃管、物料收集箱。2、使用环境:1.输入电源:3相,380V(10%变化范围),50Hz2.配电功率:7.5KVA3.使用环境:无易燃、易爆和腐蚀性气体4.辅件:三通高硼硅玻璃管3、 微波系统1.微波频率: 2450MHz2.微波功率:4KW 3.设备尺寸:约1200× 600× 1000mm (高× 宽× 深,暂订),金属管道距离设备侧边为500mm以上,留有法兰4.设备内腔尺寸:约400× 400× 400 mm(宽× 高× 深)5.玻璃管尺寸:横管长700mm直径230mm,竖管长275mm直径81mm6.微波箱体材料:内腔不锈钢,外壳碳钢喷塑7.微波馈入部位:侧部8.冷却方式:磁控管风冷;变压器自冷9.管道各连接口安装截止波导,防止微波泄漏10.微波泄漏量国标:5mW/cm² (检测方法:手持式泄漏仪检测,置于微波可能泄漏的地方检测,大于5mW/cm² 为超标)4、物料输送系统1.称量式料桶:物料经自动称量系统进入料斗,经闭合式开关送入管道2.鼓风机:管道一侧设置鼓风机,根据时间判断,经阀门进风及时将物料送入收集水箱3.刮料板:手动推拉式可拆卸环形刮料板,将设备工作过程中可能出现的未反应的物料清理出管道(操作的过程为:将管道的防泄漏密封取下后,运用刮板将物料推出管道)4.管道密封:设备管道处保持良好的气密性,在工作过程中不出现管道接口处漏气的情况5、控制系统1.控制方式:PLC实现多段功率、时间精确控制,及闭合开关、鼓风机等联动控制2.微波功率调节范围: 0~4KW可选择使用,单个微波源功率线性无级可调3.采用温度控制器,保护微波源核心部件,以延长使用寿命4.观察窗:侧部开观察窗配合内部照明,可随时观察加热过程5.闭合开关:门控式开关,自动判断进料及微波启动条件,确保物料及时加热并防止微波泄漏规格参数1、 设备总输入功率:约7.5kVA2、 输入电源:3相,380V(-5~5%变化范围),50Hz3、 使用环境:无易燃、易爆和腐蚀性气体4、 进料温度:厂房的室温,平均按照20℃设计 5、 加热物料:石墨烯6、 盛料结构:三通高硼硅玻璃管
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硼化铈相关的耗材

  • 碳化硼磨料
    碳化硼是非常坚硬的材料,摩氏硬度为9.3,并是继氮化硼、金刚石、富勒烯化合物和钻石整体纤管后的第五种已知最硬的物质。与酸碱不起反应,耐高/低温,耐高压,密度&ge 2.46g/cm3,显微硬度&ge 3500kgf/mm2,抗弯强度&ge 400Mpa,熔点为2450℃,是极佳的磨料材料。 货号产品名称规格50510-08Boron Carbide Powder, 8 micro m 碳化硼粉1 lb50510-10Boron Carbide Powder, 10 micro m1 lb50510-14Boron Carbide Powder, 14 micro m1 lb50510-18Boron Carbide Powder, 18 micro m1 lb50510-23Boron Carbide Powder, 23 micro m1 lb50510-35Boron Carbide Powder, 35 micro m1 lb50510-42Boron Carbide Powder, 42 micro m1 lb50510-50Boron Carbide Powder, 50 micro m1 lb
  • 碳化硼粉(磨料)
    碳化硼是非常坚硬的材料,摩氏硬度为9.3,并是继氮化硼、金刚石、富勒烯化合物和钻石整体纤管后的第五种已知最硬的物质。与酸碱不起反应,耐高/低温,耐高压,密度&ge 2.46g/cm3,显微硬度&ge 3500kgf/mm2,抗弯强度&ge 400Mpa,熔点为2450℃,是极佳的磨料材料。 货号产品名称规格50510-08Boron Carbide Powder, 8µ m 碳化硼粉1 lb50510-10Boron Carbide Powder, 10µ m1 lb50510-14Boron Carbide Powder, 14µ m1 lb50510-18Boron Carbide Powder, 18µ m1 lb50510-23Boron Carbide Powder, 23µ m1 lb50510-35Boron Carbide Powder, 35µ m1 lb50510-42Boron Carbide Powder, 42µ m1 lb50510-50Boron Carbide Powder, 50µ m1 lb
  • Q-GARD B 硼纯化柱
    产品货号/Catalogue Number:QGARD00B1 降低Milli-Q系统中,所有类型的进水中的硼含量查看全部 » (进水为Elix水,RO水,双蒸水)适用于超痕量元素分析,如ICP-MS,FAAS和ILS等。正常情况下,不需要降低水中的硼含量时:如果进水水质较高,如Milli-Q Elix的二级水、RO反渗透水、双蒸水,请选用Q-Gard 1预纯化柱。如果进水为DI去离子水,请选用Q-Gard 2预纯化柱;如果进水为水质较差的DI去离子水(杂质含量较高),请选用Q-Gard 3预纯化柱;主要功能:用于Milli-Q Century超纯水机:Milli-Q Element一级水超纯水机。 去除纯水中的离子(尤其硼离子)和有机物,:专利技术Jetpore离子交换树脂,独特配方,专供Milli-Q;超大容量,去除离子能力强。高精度人造活性炭,强力去除小分子有机物。失效影响:水质下降、后端精纯化柱快速消耗、紫外氧化失效、产水不合格、直至系统停机更换周期:一年,或者过水量达到3000L

硼化铈相关的试剂

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